- •§6.3. Газоразрядные источники
- •§6.4. Лазеры
- •§6.5. Светодиоды
- •Глава V. Приёмники излучения §7.1. Классификация приёмников излучения, интегральные приёмники излучения
- •§7.2. Характеристики фотоприёмников
- •§7.3. Фотоэлементы с внешним фотоэффектом
- •§7.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом
- •§ 8.2. Метод определения толщины эпитаксиальных слоёв по окрашиванию шлифа
- •Литература
§ 8.2. Метод определения толщины эпитаксиальных слоёв по окрашиванию шлифа
На образце со стороны эпитаксиального слоя изготавливают косой шлиф под некоторым углом , поверхность которого химически окрашивают для визуализации границы эпитаксиального слоя с подложкой. Под микроскопом определяется расстояние от края шлифа до этой границы (рис. 8.2). Толщина эпитаксиального слоя определяется по формуле:
. (8.1)
Основной трудностью в применении этого метода является точное определение угла .
Если применять интерференционный микроскоп (МИМ-4, МИМ-10) то необходимость в определении угла отпадает. Толщина эпитаксиального слоя при этом измеряется непосредственно по числу интерференционных полос, укладывающихся на поверхности шлифа от его края до границы эпитаксиального слоя с подложкой. Так как расстояние между соседними полосами интерференции равно монохроматического света интерференционного микроскопа, то (где – число полос).
Для контроля толщины эпитаксиального слоя может использоваться и сферический шлиф. При этом толщина слоя определяется по формуле:
, (8.2)
где Н – длина хорды контура сферического шлифа, касательной к контуру границы эпитаксиальный слой – подложка 1 (рис. 8.3); R– радиус сферической поверхности.
Т акие методы определения толщины эпитаксиальных слоёв могут использоваться, если удельное сопротивление слоя отличается от сопротивления подложки по крайней мере на порядок.
В диапазоне толщин 1 25 мкм метод косого шлифа имеет погрешность измерений 15%, а сферического 26%.
Литература
Прикладная оптика. Под. ред. Дубовика А.С., М.: Недра, 1982.
Вычисленная оптика. Справочник под. ред. Русикова, Л.: Машиностроение, 1984.
Оптические методы контроля интегральных микросхем. Под. ред. Дубовицкого Л.Г., М.: Радио и связь, 1982.
Левшина Е.С., Новицкий П.В., Электрические измерения физических величин. Л.: Энергоатомиздат, 1983.
Глудкин О.П., Густов А.Е. Устройства и методы фотометрического контроля в технологии производства ИС. М.: Радио и связь, 1981.
Концевой Ю.А., Кудин В.О. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973.
Бутиков Е.И. Оптика. Под. ред. Н.И. Калитевского, М.: Высшая школа, 1986.
Верник С.М., Гитин В.Я., Иванов В.С. Оптические кабели связи. М.: Радио и связь, 1988.
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. СПб.: “Лань”, 2001.