- •Проектирование усилителей низкой частоты на биполярных транзисторах (учебно-методическое пособие по курсовому проектированию)
- •1. Цель курсовой работы
- •2. Задание на курсовое проектирование транзисторных усилителей низкой частоты (унч)
- •3. Сходные данные для проектирования унч средней и большой мощности
- •4. Рекомендации по проектированию усилителей низкой частоты
- •4.1. Порядок расчёта
- •4.2. Выбор принципиальных схем каскадов предварительного усиления, транзисторов для них и способа их включения
- •4.3. Оконечные каскады усиления
- •4.4. О выборе транзистора для оконечного каскада
- •4.5. Анализ принципиальных схем оконечных каскадов
- •4.5.1. Трансформаторные каскады мощного усиления
- •4.6. Расчёт каскадов мощного усиления
- •4.6.1. Задачи расчёта
- •5. Методика эскизного расчёта
- •В режиме ав
- •6. Пример расчёта усилителя низкой частоты
- •6.1. Задание
- •6.2. Эскизный расчёт усилителя низкой частоты
- •7. Расчёт двухтактного оконечного усилителя мощности в режиме в
- •8. Расчёт однотактного предоконечного усилительного каскада в режиме а
- •9. Расчёт оконечного усилителя мощности в режиме ав
- •Список литературы
- •Содержание
- •Приложение 1
- •Пояснительная записка
- •Тема: расчёт усилителя низкой частоты на биполярных транзисторах
- •Приложение 2
- •Приложение 3
- •Приложение 4
4.6. Расчёт каскадов мощного усиления
4.6.1. Задачи расчёта
Для расчёта транзисторного каскада мощного усиления необходимо иметь следующие данные: выходную мощность Рвых, сопротивление нагрузки Rн (R2), допустимый коэффициент гармоник Кг, низшую и высшую рабочие частоты Fн и Fв, допустимые коэффициенты частотных искажений Мн и Мв, низшую и высшую температуры окружающей среды, т. е. диапазон температуры от t мин до t макс. Кроме того, должен быть известен тип источника питания и конечно же назначение проектируемого усилителя мощности.
В расчёт каскада мощного усиления входит: выбор напряжения источника питания, если оно не задано, выбор точки покоя (тока покоя выходной цепи), тока и напряжения смещения входной цепи, сопротивления нагрузки выходной цепи переменному току, проверка по выходной динамической характеристике (нагрузочной прямой), отдаваемой каскадом колебательной мощности Р, определение амплитуды тока и напряжения входного сигнала (входной мощности) и входного сопротивления каскада, расчёт коэффициента гармоник каскада К г, расчёт сопротивлений, задающих смещение, и цепи стабилизации, если она необходима. К расчёту каскада мощного усиления также относится расчёт электрических данных выходного трансформатора (L1, LS, n, r1, r2), его конструктивный расчёт (при необходимости) и расчёт радиатора, охлаждающего транзистор каскада мощного усиления.
Расчёт каскадов мощного усиления в режимах А , В и АВ производится различно и рассматривается в примере расчёта усилителя низкой частоты данного пособия после методики эскизного расчёта всего усилителя и методики расчёта каскадов мощного усиления.
5. Методика эскизного расчёта
Составить блок-схему и принципиальную схему усилителя низкой частоты по следующим исходным данным:
требуемая мощность в нагрузке Р н;
сопротивление нагрузки R н;
коэффициент нелинейных искажений К г;
полоса усиливаемых частот Fн – Fв;
частотные искажения в крайних точках диапазона частот М н – М в;
рабочий диапазон температур t мин – t мак .
Уровень напряжения источника питания усилителя определяется режимом работы выбранного по справочнику транзистора оконечного каскада (то есть зависит полностью только от проектирующего), параметры источника сигнала на входе проектируемого усилителя в каждом варианте заданы (см. табл.1).
1. Выбор транзистора по справочнику, определение способа его включения, а также обоснование режима усиления оконечного каскада. При этом транзисторы, количество которых зависит от схемы оконечного каскада, должны удовлетворять трём условиям:
а) допустимая мощность рассеяния на коллекторе Р к доп (по справочнику) должна быть больше рассеиваемой мощности при заданной максимальной температуре среды (см. исходные данные):
Р к доп Р к (t мак) .
б) граничная частота f - в схеме с ОЭ или в схемах с ОБ и ОК должна быть выше F в (см. исходные данные), чтобы частотные искажения, вносимые транзистором, были малы.
в) транзистор должен вносить небольшие нелинейные искажения (см. рис. 1 рекомендаций к проектированию).
Для реализации первого условия величину Р к, в зависимости от режима работы выбранного транзистора, раньше при проектировании определяли по эмпирическим выражениям:
для однотактного каскада
, (1)
для двухтактного трансформаторного в режиме В
, (2)