- •Часть 2
- •1. Вах полупроводникового диода
- •1.1 Вах идеализированного р-п-перехода
- •1.2 Прямая ветвь вах
- •1.3 Обратная ветвь вах
- •1.4. Пробой p-n перехода
- •1.5 Дифференциальное сопротивление p-n перехода
- •2. Выпрямительные диоды
- •3. Стабилитрон
- •4. Обозначение диодов
- •5. Обозначение транзисторов
- •6. Усилительные свойства транзистора
- •7. Схемы включения транзистора
- •7.1 Схема с об
- •7. 2 Схема с ок
- •7.3. Схема с оэ
- •8. Статические характеристики для схемы с оэ
- •8.1 Входная характеристика
- •8.2 Выходная характеристика
- •9. Системы малосигнальных параметров бт
- •10. Динамические характеристики бт
- •10.1 Выходная динамическая характеристика (для схемы оэ)
- •10.2 Входная динамическая характеристика
- •11 Импульсный режим работы бт (ключевой режим)
- •11.1. Запирание транзистора (режим отсечки)
- •11.2 Режим отпирания (насыщения)
- •11.3 Переходные процессы в схеме ключа
7. Схемы включения транзистора
Транзистор может быть включен в усилительный каскад тремя различными способами: по схеме с общей базой (ОБ), сообщим эмиттером (ОЭ), и с общим коллектором (ОК).
Такая терминология указывает, какой из электродов транзистора является общим для его входной и выходной цепей. Различные схемы включения имеют различные свойства, но принцип усиления у них одинаков.
7.1 Схема с об
(рис.7.1)
Эта схема рассматривалась нами выше для пояснения принципа работы транзистора.
Входной сигнал прикладывается к выводам эмиттера и базы, а источник питания UK и нагрузка RH включены между выводами коллектора и базы. Усилительный каскад, собранный по схеме с ОБ обладает малым входным сопротивлением (единицы Ом) и большим выходным сопротивлением (1-10 МОм).
Рис.7.1
При отсутствии переменного входного сигнала (UВХ =0) через транзистор текут токи покоя -Iоэ, Iок, т.к базо-эмиттерный переход открыт напряжением смещения Есм, на делителе напряжения Rб1 и Rб2 (статический режим работы)
При подаче на вход транзистора последовательно с напряжением Eсм переменного входного напряжения Uвx ток Iэ становится пульсирующим.
При этом будет изменяться количество электронов вводимых из эмиттера в базу (для транзистора n-p-n), а следовательно, и ток коллектора 1К в цепи коллектора .
Этот ток, проходя по сопротивлению нагрузки RH, создает на нем пульсирующее напряжение, повторяющее по форме входной сигнал . Переменная составляющая пульсирующего напряжения UH отделяется с помощью конденсатора С от постоянной составляющей и подается на выход усилителя в виде переменного напряжения Uвых. В схеме с ОБ полярности входного и выходного сигналов совпадают.
7. 2 Схема с ок
(рис.7.2)
В схеме с ОК входным током является Iб, а выходным током, протекающим по нагрузке - Iэ.
Рис.7.2
В отличие от схемы с ОБ схема с ОК усиливает сигнал по току.
Коэффициент усиления по току(в системе h-параметров - h21K) для этой схемы равен:
КI =Iэ/Iб =Iэ/(Iэ-Iк)=1/(1-Iк/Iэ)=1/(1-)>10 (10)
Входное сопротивление Rвх схемы с ОК очень велико
(десятки - сотни кОм), а выходное Rвых - мало (десятки - сотни Ом)
Коэффициент усиления по напряжению Ки < 1 (0,9 - 0,95);
Коэффициент усиления по мощности КР порядка 10.
Схема применяется в основном для согласования сопротивлений между отдельными каскадами усилителя или между выходом усилителя и низкоомной нагрузкой.
Схема с ОК не изменяет полярности выходного сигнала.
7.3. Схема с оэ
(рис.7.3)
Наиболее распространенная схема включения БТ.
Входной сигнал прикладывается к выводам эмиттера и базы, а источник питания коллектора, и последовательно соединенное с ним RH, включены между выводами эмиттера и коллектора.
Таким образом, эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепей.
Рис.7.3
Особенностью схемы с ОЭ является то, что входным током является IБ. Поэтому входное сопротивление каскада с ОЭ R6X значительно выше, чем входное сопротивление каскада с ОБ, и составляет сотни Ом.
Выходное сопротивление RВЫХ в схеме с ОЭ также достаточно велико - десятки кОм.
Важнейшим достоинством схемы с ОЭ является большое усиление по току (10-100):
КI = Iк/Iб (11)
Обычно КI обозначают буквой (в системе h- параметров - h21Э).
=Iк/IБ=Iк/(IЭ-Iк)=1/(IЭ/IК)-1 (12)
помня, что =IК/IЭ
=/1- (13)
Коэффициент усиления по напряжению для схемы с ОЭ имеет приблизительно такую же величину, как и в схеме ОБ
Uвых=IK Rн
KU =IK Rн/UВХ (14)
Чем больше коэффициент , тем ближе по своей величине 1К к Iэ и выше усиление по напряжению. Коэффициент усиления по мощности для схемы с ОЭ равен:
KP = KI KU = KU (15)
оказывается значительно выше, чем для схемы с ОБ и может достигать величины нескольких тысяч (до 10000).
Выходной сигнал схемы с ОЭ имеет противоположную полярность по отношению к входному.
Сравнительные характеристики для различных схем включения
|
KU |
KI |
KP |
Rвх |
Rвых |
|
ОЭ |
>1 |
>1 |
>>1 |
<ОК >ОБ |
>ОК <ОБ |
Инвертируют Основная схема усиления |
ОК |
<1 |
>1 |
>1 |
велико |
мало |
Не инвертируют (эмитерный повтор.) Используется как устр-во согласованиZ |
ОБ |
>1 |
<1 |
>1 |
мало |
велико |
Не инвертируют (токовый повторитель) |