14. Входные характеристики транзисторов с об

Представляет собой. Вид характеристики близок к прямой p-n перехода, полученная характеристика при более высоком напряжении располагается левее и выше – причина эффект модуляции базы. Градиент концентрации дырок в базе высок, высок ток эмиттера. Iвых> Iвх, входная мощность тк Ubэ не может быть больше 0,5 вольт будет значительно меньше чем выходная мощность, но Ukb мб достаточно большим.

15. Схема с оэ

В схеме с общим эмиттером вывод эмиттера является общим для входной и выходной цепи транзистора. В транзисторе н-п-н типа полярности будут противоположны,необходимы 2 источника питания Ubэ и Uкэ, на эмиттерном переходе определяется Ubэ, напряжение на коллекторном переходе = Uкэ- Ubэ.

1 6.Входные характеристики транзисторов с оэ

Ib=f(Ubэ)|ukэ=const. п-н-п переход, при напряжении не равном 0, Киэ это характеристика параллельного соединения коллекторного и эмиттерного переходов. В цепи базы питание это сумма токов. К работает в режиме инжекции, при повышении напряжения на коллекторе переход закрывается и ток базы падает, дальнейшее повышение напряжения кэ по абсолютной величине вызовет смещение к оси входного напряжения изза эффекта модуляции базы. Тепловой ток течет к базе цепи и напряжение встречно отпир. поэтому нулевой ток базы может обеспеч лишь при некотором напряжении компенсирующем ток коллектора0. При наличии тока коллектора запирание перехода БЭ приводит к появлению в бзе отрицательного тока. Уровень этого тока –Ik0. В отличии от германия на силициуме все смещено вправо. Прямое падения напряжения на открытой переход силициума транзистора, приблизительно в 2 раза больше чем на в германии и достигает 0,7 вольт. В силовых транзисторах могут быть особенности, связанные с большим током колектора0, в маломощных транзисторах этот ток равен 1…10микроампер

Rb≤(Ubэ0-4υt)/Ik0max

17.Моделирование работы биполярных транзисторов. Модель Этерса-Молла

Математическое моделирование связано с необходимостью проведения расчетных исследований схем, транзистор по своей структуре нелинейный элемент. Наиболее чувствительной моделью является Э-М. Биполярный транзистор можно представить в виде эквивалентной схемы, причем принципиально отличая п-н-п и н-п-н транзисторы. Модель нахождения применима только для анализа статического режима работ. Включение пассивного компонента в эту модель существенно усложняет доказательство:простота и прозрачность, связь с физическими процессами затруднена. Есть и положительная сторона хорошо отражается обратимость транзистора, те принцип равномерность обеих переходов транзистора, проявляются в режиме работы 2ой инжекции. На схеме Э-Ь токи инжекции обозначают как I1 и I2 причем I1=f(Uэ), I2=f(Uk). Собираемые носители обозначаем αnI1, αiI2. αn- коэффициент передачи тока при норм включении, αi- при инверсном вкл п-н перехода. Эта работа позволяет составить уравнения:

Iэ=I1- αiI2. Ik= αnI1-I2. I1=I’э0(e^{(Uэ/ υt)}-1), I2=I’k0(e^{(Uk/ υt)}-1). I’э0= Iэ0/(1-αnαi). I’k0= Ik0/(1-αnαi).

Токи со штрихами- тепловые токи, соответст п-н переходов, их малое измер в транзисторе, если задать обратное напряжение |Uобр|>(3…4) υt. Второй переход требуется закоротить. На практике делают обрыв второго перехода и токи обозначают Ik0 и Iэ0.