- •1.Электрические сво-ва полупроводников.
- •2.Носители зарядов беспримесных металлов
- •3. Энергетическая диаграмма.
- •4. Носители зарядов примесных металлов
- •5. Время жизни носителей зарядов.
- •6.Дрейфовые и диффузионные движение зарядов.
- •7. Полупроводниковые диоды
- •8.Полная вах диодов
- •10.Принцип действия биполярного транзистора и его параметры.
- •11.Биполярный транзистор
- •12. Статический вах транзистора.
- •13.Выходные характеристики транзисторов с оэ
- •14. Входные характеристики транзисторов с об
- •15. Схема с оэ
- •1 6.Входные характеристики транзисторов с оэ
- •17.Моделирование работы биполярных транзисторов. Модель Этерса-Молла
- •18. Линейные малосигнальные модели
- •20 Полевой транзистор с р-n переходом
- •21. Вах полевых транзисторов с р-n переходом
- •23. Мдп транзисторы
- •24 Диодные выпрямители с умножением напряжения
- •27. Фильтрующие свойства стабилизаторов.
- •28. Основные показатели качества стабилизаторов.
- •31. Связь между переходн. Хар-кой и ачх усилителя.
- •32. Усилительн. Каскад с оэ.
- •32,1 Статич. Ражим работы каскадов, а,в,с,д
- •34. Коэф. Усиления по напряжению в схеме с оэ.
- •35. Статич. Передаточная хар-ка схемы с оэ.
- •41. Расчет Rб1 и Rб2 резистивного делителя.
- •50) Область высоких частот.
- •51) Амплитудная характеристика усилителя.
- •52) Фазочастотные искажения.
- •53) Усилители постоянного тока.
- •54) Нелинейное искажение.
- •5 5) Дифференциальные усилительные каскады.
- •56) Принцип действия каскада при наличии входящего сигнала.
- •57) Передаточная характеристика дифференциального каскада. Смещение нуля.
- •58) Режим баланса. Параметры ирт.
- •59) Коэффициент усиления дифференциального каскада по напряжению.
- •60. Особенности диф. Каскадов в интегральных оу (116-118)
- •61. Усиление синфазн. Сигнала диф. Каскада (114-116)
- •62. Схемотехника линейн. Устройств на базе иоу. Инвентир. Усилитель (119-121)
- •63. Входн. Сопр-е диф. Каскада (118)
- •64. Неинвертирующ. Усилитель (121-122)
- •65. Преобразователь тока в напряжение (123-124)
- •66. Интегрирование сигнала на базе иоу (124-126)
- •67. Инвертирующ. Сумматор (122-123)
- •68. Узкополосн. Фильтр на базе избирательн. Усилителя (128-129)
- •69. Дифференциаторы (126-127)
- •70. Lc резонанс. Усилители (129-130)
- •71. Низкочастотные узкополосные полосовые фильтры(rc).
- •72.Связь ачх избирательного усилителя с параметрами колебательного контура и элементами какскада.
- •73.Схема фильтра с двойным т-образным мостом.
- •74.Синтез фильтров по заданной частотной характеристике.
- •75.Генераторы синусоидальных колебаний
- •7 6.Маломощные генераторы
- •77.Условия самовозбуждения генератора
- •83. Виды обратных связей усилителей.
41. Расчет Rб1 и Rб2 резистивного делителя.
По исходным требованиям к Rк (или Rн) и исходным требованиям к коэффициенту усиления Кu
Рассчитать ориентированную величину Rэ<=Rк/Кu
Определим ориентированную величину Iбп
Iбп=Ек-Uкн-Uэmax/2βRк , Uкн<<Ек
где Uэmax – max падение напряжения в точке Uэ
Uэmax=Iэmax*Rэ=Ек*Rэ/Rк (пренебрегая Uкн)
Uкн – U насыщенность коллектора (Uкн=0,2 В)
Определяем I через Rб1:
IRб1= Iбп + IRб2=Kiб* Iбп
IRб2=(Kiб – 1)*Iбп
Kiб=3..6 коэффициент резистивного делителя
Основные признаки выбора Kiб: с целью повышения термостабильности схемы ток через делитель д.б. больше, чем ток базы транзистора (малое влияние на положения ИРТ)
Определим ориентированную величину Есм:
Есмп=[rвхоэ*(1+1/ Kiб)*(Ек-Екн- Uэmax)/2βRк]+Uбэ0
Есмп – напряжение опирания транзистора (‘Пятка’)
Рассчитываем сопротивление Rб1 и Rб2
Rб1 =Ек-Есмп/IRб1
Rб2 = Есмп/IRб2
Уточняем напряжения
Есмп=Rвхоэ(Ек-Uкн-Uэmax)/2βRк + Uбэ0-Iк0(Rб||Rвхоэ),
где Rб=Rб1||Rб2
Uкн=0,2 В
Рассчитываем Iбп
Iбп=Есмп-Uбэ0+Iк0(Rб1|| Rб2+||rвхоэ)/Rвхоэ
50) Область высоких частот.
На характеристики усилителя в ОВЧ влияет задание коэффициента передачи тока от частоты и напряжения емк. колл-ого перехода Ck , емк. нагрузки Cн . Понижение || коэффициента усилителя в ОВЧ обуславливается снижением β и шунтирующим действием конденсаторов Ck и Cн ; в ОВЧ понижение коэффициента усиления каскада характеризуется коэффициентом частотного искажения.
, где
rв – постоянная времени
rв -
Каждая из этих составляющих может быть охарактеризована
Ck – усредненная емкость кол.пер.
Cн – емкость нагрузки.
rk(э) – диф.сопр. кол.пер. в схеме в общим эмиттером
В ОВЧ линейный фазовый сдвиг между вх и вых сиг. φв. Создается каждым каскадом и определяется
- фазовый сдвиг отриц.
Т.е. вых сигнал отстает по фазе от вх, это связано с тем что Uконд отстает от Iконд.
Для многокаскадного усилителя
общий фазовый сдвиг
При расчете усилителя в ОВЧ необходимо обеспечивать верхнюю частоту пропускания, поэтому расчет сводится к выбору транзистора и уравнения частотного искажения.
51) Амплитудная характеристика усилителя.
отражает зависимость амплитуды выходного сигнала от изменения амплитуды напряжения на входе , при этом частота входного сигнала поддерживается постоянной.
АХ нужна для оценки предельных изменений входных и выходных сигналов.
Особенность: не проходит через начало координат, это объясняется тем что, на выходе есть U собственных шумов, поэтому min значение входного усиливаемого сигнала определяют с учетом уровня шумов.
Участок 2-4 соответствует зависимости амплитуды Uвых от Uвх
В точке 4 б.зам. начала нелинейного искажения сигнала
В точке 5 вместо sin сигнала получается сигнал по форме напоминающий трапецию
На уровне Uпит сх
По величине определяют чувствительность усилителя
При этом Umin, кот. Использовалось в качестве усилительного сигнала, как правило превышает уровень собственных шумов в определенное число раз
по
динамический диапазон усилителя
чем больше D, тем качественней схема усилителя.