- •1.Электрические сво-ва полупроводников.
- •2.Носители зарядов беспримесных металлов
- •3. Энергетическая диаграмма.
- •4. Носители зарядов примесных металлов
- •5. Время жизни носителей зарядов.
- •6.Дрейфовые и диффузионные движение зарядов.
- •7. Полупроводниковые диоды
- •8.Полная вах диодов
- •10.Принцип действия биполярного транзистора и его параметры.
- •11.Биполярный транзистор
- •12. Статический вах транзистора.
- •13.Выходные характеристики транзисторов с оэ
- •14. Входные характеристики транзисторов с об
- •15. Схема с оэ
- •1 6.Входные характеристики транзисторов с оэ
- •17.Моделирование работы биполярных транзисторов. Модель Этерса-Молла
- •18. Линейные малосигнальные модели
- •20 Полевой транзистор с р-n переходом
- •21. Вах полевых транзисторов с р-n переходом
- •23. Мдп транзисторы
- •24 Диодные выпрямители с умножением напряжения
- •27. Фильтрующие свойства стабилизаторов.
- •28. Основные показатели качества стабилизаторов.
- •31. Связь между переходн. Хар-кой и ачх усилителя.
- •32. Усилительн. Каскад с оэ.
- •32,1 Статич. Ражим работы каскадов, а,в,с,д
- •34. Коэф. Усиления по напряжению в схеме с оэ.
- •35. Статич. Передаточная хар-ка схемы с оэ.
- •41. Расчет Rб1 и Rб2 резистивного делителя.
- •50) Область высоких частот.
- •51) Амплитудная характеристика усилителя.
- •52) Фазочастотные искажения.
- •53) Усилители постоянного тока.
- •54) Нелинейное искажение.
- •5 5) Дифференциальные усилительные каскады.
- •56) Принцип действия каскада при наличии входящего сигнала.
- •57) Передаточная характеристика дифференциального каскада. Смещение нуля.
- •58) Режим баланса. Параметры ирт.
- •59) Коэффициент усиления дифференциального каскада по напряжению.
- •60. Особенности диф. Каскадов в интегральных оу (116-118)
- •61. Усиление синфазн. Сигнала диф. Каскада (114-116)
- •62. Схемотехника линейн. Устройств на базе иоу. Инвентир. Усилитель (119-121)
- •63. Входн. Сопр-е диф. Каскада (118)
- •64. Неинвертирующ. Усилитель (121-122)
- •65. Преобразователь тока в напряжение (123-124)
- •66. Интегрирование сигнала на базе иоу (124-126)
- •67. Инвертирующ. Сумматор (122-123)
- •68. Узкополосн. Фильтр на базе избирательн. Усилителя (128-129)
- •69. Дифференциаторы (126-127)
- •70. Lc резонанс. Усилители (129-130)
- •71. Низкочастотные узкополосные полосовые фильтры(rc).
- •72.Связь ачх избирательного усилителя с параметрами колебательного контура и элементами какскада.
- •73.Схема фильтра с двойным т-образным мостом.
- •74.Синтез фильтров по заданной частотной характеристике.
- •75.Генераторы синусоидальных колебаний
- •7 6.Маломощные генераторы
- •77.Условия самовозбуждения генератора
- •83. Виды обратных связей усилителей.
10.Принцип действия биполярного транзистора и его параметры.
Т ранзистор включают 3 способами с ОБ ,ОЭ, ОК. Рассмотрим тр-р р-n-р с ОБ:
Использ 2 источника U: Uэ подкл к + полюсу,а Uк к -.
Внешние напряжения подключают к транзистору таким образом, чтобы эмиттерный переход оказался смещенным в прямом направлении, а коллекторный - в обратном.
Напряжение Uэ действует в прямом направлении, и дырки из эмиттера в большом количестве будут диффундировать в область базы. Диффузионный поток электронов, основных носителей заряда в базе, также возрастает.
Осовная функция эмиттерного перехода сводится к ИНЖЕКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА (ДЫРОК) В БАЗУ.
Iэ = Iэp + Iэn ; Iк = Iкp + Iк0; Iб = Iбp + Iэn - Iк0
Управляющ. св-ва: 1) изменение выходного коллекторного тока под действием подводимого тока эммитора – происходит из-за изменения дырочной составляющей эм. тока.
принцип действия основан на создании транзитного потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и управления выходным током за счет изменения входного тока. Следовательно, биполярный транзистор управляется током.
В соответствии с первым законом Кирхгофа:
Iэ = Iк + Iб; Iк = Iэ + Iк0; Iб = (1- )Iэ - Iк0
Коэф-т передачи эм. тока равен: =γ*δ, где γ- коэф-т инжекции – показатель эм. перехода; γ=Iкр/Iэ=0,97...0,998 – какая часть дырок участвует в движении; δ-относител. коэф-т переноса носителя заряда к базе = Iкр/ Iэр (дыр. состав. кол. тока/ дыр. состав. эм. тока);
В идеальном транзисторе =1. Мощность вых сигнала может быть больше входной мощности ( т.к Uк больше Uэ). Низкое входное соп-е – это способствует достижению наивысших частотных св-в тран-ра.
11.Биполярный транзистор
П о структуре бывают либо биполярные ( имеют носители зарядов двух видов е и дырки), либо униполярные (использ заряды только одного вида). Транзистором – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрических сигналов по мощности, имеет трехслойную полупроводниковую структуру и содержит два p-n перехода. Существуют транзисторы типов p-n-p и n-p-n. Имеет 3-слойную структуру: рис-ки.
Сплавная технология изготовления: пластина n-типа явл. основанием или базой конструкции, два р-слоя создаются путем диффузии в них сплавов акцепторной примеси. Один слой – эммитор, он имеет меньшую площадь, а другой слой – коллектор. Основная фун-я эммитера – эмметирование носителей в базу, фун-я кол-ра – сбор носителей, прошедших через базу. Площадь коллектора делают больше, для сбора носителей, прошедших через базу.
12. Статический вах транзистора.
П ри расчете и анализе электронных схем удобно пользоваться входными и выходными ВАХ транзистора. ВАХ снимают при относительно медленных изменениях тока и напряжения, поэтому их называют статическими. Статические характеристики транзистора в схемах ОЭ и ОК примерно одинаковы, поэтому рассмотрим характеристики только для: ОБ и ОЭ.
Схема ОБ.
Зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой - это выходные характеристики. Они снимаются при постоянном токе эмиттера:
Iк = f(Uкб)| Iэ=const
Для p-n-p транзистора напряжение Uкб отрицательное (см. рис.2.3).
ВАХ имеет три явно выраженные области:
1 - крутая область, где зависимость Iк от Uкб сильная; (при заданном токе эмиттера и отсутствии напряжения коллекторного источника (Uкб=0) дырки все равно перебрасываются в коллектор под действием внутренней разности потенциалов 0. С увеличением тока эмиттера требуется несколько большее положительное напряжение, поэтому начальные участки характеристик смещены влево).
2 - пологая или линейная область, где зависимость Iк от Uкб слабая; (небольшой подъем при увеличении Uкб. Некоторое увеличение тока Iк объясняется увеличением коэффициента передачи тока вследствие возникающего эффекта Эрли - эффекта модуляции толщины базового слоя, а также из-за роста тока Iк0 = f(Uкб) Эффект модуляции базы связан с расширением коллекторного перехода lк за счет увеличения объемного заряда, вызванного повышением напряжения Uкб)
3 - область пробоя коллекторного перехода. (Коллекторное напряжение не может повышаться произвольно - возможен электрический пробой коллекторного перехода (область 3). Электрический пробой может перейти в тепловой и транзистор выходит из строя. Предельно-допустимая величина Uкб max указывается в справочниках.)
Некоторое возрастание тока Iк при повышении напряжения Uкб, вызванное эффектом модуляции базы, характеризуют дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода rк: rк(б) = duкб/diк|iэ = const
Нижняя ветвь семейства ВАХ - это зависимость: Iк = f (Uкб)|Iэ=const
В области 2 выходные характеристики практически линейны и сопротивление rк можно считать постоянным. Тогда для этой области Iк = f(Uкб) можно представить в более корректной форме:
Uкб
Iк = Iэ + ------- + Iк0.
rк(б)
Повышение температуры приводит к увеличению тока Iк0 и смещению характеристик вверх.
Аналогичное воздействие на коллекторные характеристики оказывает зависимость от температуры: при повышении температуры несколько возрастает.