- •Технологія одержання і застосування плівКових матеріалів
- •Проценко і.Ю., Шумакова н.І.
- •© І.Ю.Проценко, н.І Шумакова, 2008
- •Передмова...................................................................................... 7
- •Конструкції термовипарників та їх застосування……… 19
- •Передмова
- •1 Основи термодинаміки та кінетичної теорії газів
- •Рівноважний тиск пари
- •1.2 Розподіл атомів пари за швидкостями
- •1.3 Механізми випаровування рідин та твердих тіл
- •2 Конструкції термовипарників та їх застосування
- •2.1 Загальна інформація
- •2.2 Випаровування із дротів та металевої фольги
- •2.3 Випаровування із тиглів, матеріали тиглів
- •2.4 Випаровування матеріалів електронно-променевими методами
- •3 Вакуумно-плазмова технологія
- •4 Плазмові випарники
- •4.1 Випарники з випаровуванням матеріалу катода
- •4.2 Вакуумно-дугові випарники
- •4.3 Випарники з випаровуванням матеріалу анода
- •4.4 Електронно-променеві випарники
- •5 Метод іонного та реактивного розпилення
- •5.1 Іонне розпилення
- •5.2 Реактивне розпилення
- •6 Особливості випаровування сплавів та хімічних сполук
- •7 Методи контролю товщини плівок
- •7.1 Мікрозважування
- •7.2 Метод кварцового резонатора
- •7.3 Оптичні методи
- •7.4 Інші методи
- •8 Характеристика елемента карбону
- •9 Класифікація алотропів карбону
- •10 Фізичні властивості алотропів карбону
- •11 “Метастабільність алмазу” та шляхи його одержання
- •12 Хімічний синтез алмазу
- •13 До історії розвитку хімічного синтезу алмазу
- •14 Методи одержання алмазоподібних плівок
- •14.1 Термохімічні методи осадження
- •14.2 Електророзрядні методи
- •14.3 Комбіновані розряди
- •14.4 Методи одержання апп на атмосфері
- •15 Методи одержання гідрогенезованих
- •16 Методи одержання ультрадисперсних алмазів (уда) і наноалмазів (на)
- •17 Методи одержання
- •18 Хімічний склад і кристалічна структура
- •18.1 Нітрид титану
- •18.2 Карбід вольфраму
- •Задачі та вправи
- •19 Уявлення про адатом, кластер та критичний зародок
- •20 Залежність розміру критичного зародка від матеріалу плівки та підкладки
- •21 Механізми конденсації плівок, їх узагальнена діаграма
- •22 Чотири стадії росту плівки
- •22.1 Утворення острівців
- •22.2 Коалесценція острівців
- •22.3 Утворення каналів
- •22.4 Утворення суцільної плівки
- •23 Критична товщина і критична температура конденсації
- •24 Утворення дефектів у процесі росту плівки
- •24.1 Дислокації
- •24.2 Межі зерен
- •24.3 Шорсткість та пористість конденсатів
- •25 Епітаксіальний ріст плівок
- •25.1 Зародження епітаксіальних частинок
- •25.2 Механізми епітаксіального росту
- •26 Змінювання параметра решітки, псевдоморфний ріст плівок
- •27 Види спряжень кристалів при епітаксіальному рості
- •28 Субструктура полікристалічних плівок
- •29 Нанокристалічні та аморфні матеріали
- •30 Внутрішні макронапруження в конденсатах
- •30.1 Вплив температури підкладки
- •30.2 Причина виникнення макронапружень у
- •30.3 Вплив товщини плівок, швидкості конденсації та термообробки
- •30.4 Розрахунок величини st
- •30.5 Методи вимірювання s
- •Вплив іонного бомбардування підкладки на властивості плівок
- •32 Процес старіння в тонких плівках
- •Датчики температури із платини та нікелю
- •Термопари
- •Терморезистори із від’ємним і додатним
- •Кремнієві датчики
- •37 Датчики на основі металевої плівки
- •38 Термокондуктометричні та термохімічні
- •39 Тонкоплівкові газові датчики
- •40 Датчики вологості
- •41 Уявлення про тензоефект
- •42 Перетворення деформації тензорезистором
- •43 Передача деформації чутливому елементу
- •44 Металеві тензодатчики
- •45 Напівпровідникові та полімерні тензорезистори
- •46 Магніторезистивні датчики
- •47 Датчики Холла
- •Технологія одержання і застосування плівкових матеріалів
26 Змінювання параметра решітки, псевдоморфний ріст плівок
Термін "псевдоморфізм" можна визначити так: утворення нерівноважної кристалічної структури в тонкому конденсованому шарі, параметри решітки якого наближаються до параметрів решітки підкладки. В теорії епітаксіального росту І.Франк та Дж. ван дер Мерве виходять з того, що перші шари епітаксіальної плівки спрягаються з підкладкою псевдоморфно, тобто решітка конденсату набуває симетрії та періоду решітки підкладки. Природно, що у плівці виникає певний запас енергії пружної деформації, необхідної для вирівнювання періодів решітки епітаксіального шару та підкладки. Наприклад, у плівках нікелю на NaCl параметри решітки у площині плівки a1 = 0,350 нм, а у перпендикулярному напрямку а2 =0,3546 нм, у той час як у масивних зразках а0 = 0,3524 нм. Подібних прикладів можна навести дуже багато. Але при досягненні певної товщини плівки рівень пружної деформації решітки знижується за рахунок виникнення mіsfіt-дислокацій. Схематично цей процес показано на рисунку 2.7. Проте це не єдина можливість релаксації пружних напружень.
Крім того, підкреслимо, що товщина псевдоморфного шару (d*) дорівнює декільком нанометрам. Так, у системі Co на Cu d* 2 нм (Тп 300 К) та d* 37,5 нм (Тп 620 К); у системі Fe на Cu d* 1 нм; у системі Cr на Nі d* 1 нм і т.д.
Рисунок 2.7 - Схема спряження решіток монокристалічної підкладки і плівки з виникненням дислокації невідповідності
27 Види спряжень кристалів при епітаксіальному рості
У теорії епітаксіального росту Франка та Дж. ван дер Мерве аналізується питання про можливі способи компенсації невідповідності періодів решіток кристалів, що спрягаються. Розглянемо лише основні висновки цієї теорії.
Згідно з Франком та Дж. ван дер Мерве невідповідність решіток виникає не лише на межі підкладка-епітаксіальна плівка (площина ху), а й на межі спряження окремих епітаксіальних кристалів (площина уz). Невідповідність як для горизонтальних, так і вертикальних меж спряження виникає через відмінність решіток з такими характеристиками:
період кристалічної решітки;
їх взаємне зміщення;
кут повороту;
симетрія граней, що спрягаються.
Компенсація невідповідності в цих випадках відбувається за допомогою таких механізмів (див. також підрозділ 25):
завдяки пружній деформації;
за допомогою точкових дефектів;
завдяки дислокаціям невідповідності;
шляхом утворення двовимірних дефектів (межа двійникового типу та типу великокутової межі зерен).
28 Субструктура полікристалічних плівок
Для реального кристала є характерним порушення періодичної структури кристалічної решітки. З точки зору лінійних розмірів дефектів решітки їх можна класифікувати таким чином:
нульовимірні, або точкові (вакансії, міжвузлові та домішкові атоми, пари Френкеля);
одновимірні, або лінійні (крайові та гвинтові дислокації);
двовимірні, або поверхневі (межа зерен і двійників, дефекти пакування, міжфазні та малокутові границі);
тривимірні (пори, тріщини).
Якщо розглядати будову кристаліту (зерна), то він складається з субзерен (їх ще називають областями когерентного розсіювання (ОКР), або блоками мозаїки). Окремі блоки мозаїки розбиваються на менші ділянки дислокаціями (це можуть бути як малокутові, так і великокутові межі). Густина дислокацій в субмежі досягає величини 1016 м-2, в той час як в об'ємі субзерна - 1014 - 1015 м-2. Вони створюють в об'ємі субзерна поле напружень, що призводить до зміни міжплощинних відстаней та мікродеформацій.
Субструктура тонких плівок, як і масивних кристалів, вивчається методами електронної мікроскопії та за шириною, профілем і формою дифракційних ліній на електрограмах та рентгенограмах. Таблиця 2.4 дає уявлення про середні розміри субзерен та їх взаємне розорієнтування ()
Таблиця 2.4 - Експериментальні дані про субструктуру полікристалічних плівок Al та Ag
Алюміній |
Срібло |
||||
d, нм |
L, нм |
, град. |
d, нм |
L, нм |
, град. |
15 |
22 |
1,6 |
- |
- |
- |
40 |
26 |
1,5 |
- |
- |
- |
|
|
|
45 |
27 |
3,2 |
55 |
28 |
1,5 |
- |
- |
- |
75 |
32 |
1,9 |
- |
- |
- |
у плівках алюмінію та срібла. Той факт, що при d = 15 нм (плівка Al) середній розмір субзерна L=22 нм більший за товщину, говорить про те, що при відносно малих товщинах (і це стосується не тільки плівок алюмінію) кристаліти мають форму пластинки з L>d, а за товщиною плівка моноблочна.
Збільшення товщини, як правило, призводить до немоноблочності за товщиною, хоча у плівок різних металів це відбувається в різних інтервалах товщин. Наприклад, у плівках золота при 10<d<45 нм L залишається на рівні 13 нм, а в плівках хрому при 10<d<40 нм L=10 нм. Аналогічні результати одержані на даний час практично для плівок усіх металів.