Задачі та вправи

Задача 1 Викласти фізико-хімічні основи методу іонно-стимульованого осадження нітридних плівок.

Задача 2 Електронографічні дослідження [1] ГЩП-фази W₂C показують, що найбільш інтенсивні лініїї (002) і (110) мають міжплощинні відстані 0,235 і 0,177 нм. За цими даними оцінити величину параметрів а і с ГЩП - решітки.

Відповідь: а = 0,300 нм, с = 0,472 нм.

Задача 3 Згідно з даними [2] плівковий нітрид титану має ГЦК - решітку з параметром а = 0,424 нм, причому радіус іона Ті має величину r⁺ = 0,147 нм. Виходячи із цих даних, оцінити величину радіуса (r^-) іона азоту.

Задача 4 Виходячи із даних [3], визначити фізичні й хімічні методи отримання нанокристалічних нітридів і карбідів.

Список літератури

1. Иевлев В.М., Сербин О.В., Кущев С.Б. и др. Синтез пленок карбидов W при быстром фотонном отжиге пленочных гетероструктур W/C// Алмазные пленки и пленки родственных материалов.- Харьков: ННЦ ХФТИ, 2003.- С. 302-309.

2. Васильев М.А., Панарин В.Е., Ткачук А.А. Покрытия из TiN, осажденные методом вакуумного дугового разряда (обзор)// Металлофиз. новейшие технол.- 2000.- Т.22; № 11.- С. 58-71.

3. Андриевский Р.А. Синтез и свойства пленок фаз внедрения// Успехи химии.- 1997.- Т.66. № 1.- С. 58-76.

Список літератури до частини 1

1. Глэнг Р. Вакуумное испарение // Технология тонких пленок. / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга.- Москва: Советское радио, 1977.- Т.1.- C.9-174.

2. Радушкевич Л.В. Курс термодинамики.- Москва: Просвещение, 1971.- C.32-198.

3. Проценко И.Е. Тонкие металлические пленки в науке и технике.- Киев: Знание, 1988.- N12.-C.11-12.

4. Слуцкая В.В. Тонкие пленки в технике СВЧ.- Москва: Советское радио, 1967.- 456 с.

5. Дутчак Я.Й. Молекулярна фізика. - Львів: ЛДУ, 1973.- C. 95-97.

6. Хирс Д., Паунд Г. Испарение и конденсация.- Москва: Металлургия, 1966.- 195с.

7. Nіcholson Y.L. Method of vacuum deposition of refractory metal fіlms// RSІ.- 1963.- V.34, N1.- P. 118.

8. Гладких М.Т., Проценко І.Ю., Хоткевич В.Т. Фазові переходи в тонких плівках вольфраму та молібдену // ДАН УРСР.- 1971.- Т.74А.- С.668-671.

9. Проценко И.Е., Шамоня В.Г., Яременко А.В., Яременко Л.А. Электростатическая стабилизация капли металла при электронно-лучевом испарении в диодной пушке // ПТЭ.- 1991.- Т.2.- С. 206-207.

10. Самсонов Г.В., Эпик А.П. Тугоплавкие покрытия. – Москва: Металлургия, 1973. – 400 с.

11. Саенко В.А. Источники плазмы и ионов с однородно испаряющимся электродом (обзор) // Проблемы специальной электрометаллургии. – 1997. - № 3. – С.35-60.

12. Саенко В.А. Интенсивные стационарные электрические разряды с однородно испаряющимся в вакууме электродом // Прикладная физика. – 1997. - № 4. – С.48-66.

13. Венер Г.К., Андерсон Д.С. Физический механизм распыления материалов под действием ионной бомбардировки (ионного распыления) // Технология тонких пленок. / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга.- Москва: Советское радио, 1977.- Т.1.- С.352-404.

14. Майссел Л. Получение пленок методом ионного распыления // Технология тонких пленок. / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга.- Москва: Советское радио, 1977.- Т.1.- С.405-460.

15. Векшинский С.А. Новый метод металлографического исследования сплавов.- Москва: Гостехиздат, 1944.

16. Плискин В.А., Занин С.Ж. Толщина и химический состав пленок// Технология тонких пленок. / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. - Москва: Советское радио, 1977.- Т.2.- С.176-245.

17 Proceebings оf 4^th International Symposium on Diamond Films and Related Materials.- Kharkiv: ННЦ ХФТИ, 1999.- 367с.

18 Алмазные пленки и пленки родственных материалов //Сборник докладов 12-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике».- Харьков: ННЦ ХФТИ, 2001.- 342с.

19. Алмазные пленки и пленки родственных материалов //Сборник докладов 5-го Международного симпозиума «Алмазные пленки и пленки родственных материалов».- Харьков: ННЦ ХФТИ, 2002.- 317с.

20. Самсоненко С.Н., Сельская И.В., Самсоненко Н.Д. и др. Строение и структурные характеристики поликристаллических алмазных пленок //Сборник докладов 12-го Международного симпозиума МСТПЭ-12.- Харьков: ННЦ ХФТИ, 2001.- С. 35-37.

21. Труды Третьего международного симпозиума “Вакуумные технологии и оборудование”. – Харьков: ННЦ ХФТИ, 1999.- 170с.

22 Долматов В.Ю. Опыт и перспективы нетрадиционного использования ультрадисперсных алмазов взрывного синтеза //Сверхтвердые материалы.- 1998.- №4.-С.77-81.

21. Дорошенко А.А., Семенович В.И., Хандожко С.И. и др. Характер колебательных спектров алмазоподобных пленок// Сверхтвердые материалы.- 1993.- № 4.- С. 15-20.

22. Андреев В.Д., Созин Ю.И. Структура кристаллитов ультрадисперсных алмазов //Сверхтвердые материалы.- 1998.- № 4.- С. 67-69.

23. Богатырева Г.П., Созин Ю.И., Олейник Н.А. Структура, субструктура, фазовый состав ультрадисперсных алмазов АДС и УДА// Сверхтвердые материалы.- 1998.- № 4.- С. 5 -9.

24. Даниленко В.В., Петруша И.А., Олейник Г.С. и др. Эволюция структуры компакта при спекании нанодисперсных алмазов в условиях высоких давлений // Сверхтвердые материалы.- 1998.- №4.- С. 53-61.

25. Смехнов А.А. Формирование состава поверхности ультрадисперсных алмазов //Сверхтвердые мате-риалы.- 1998.-№ 1.- С. 33-39.

26. Андриевский Р.А. Синтез и свойства пленок фаз внедрения// Успехи химии.- 1997.- Т.66, № 1.- С. 57-76.

27. Васильев М.А., Панарин В.Е., Ткачук А.А. Покрытия из нитрида титана, осажденные методом вакуумного дугового разряда (обзор) //Металлофиз. новейшие технол.- 2000.- Т.22, № 11.- С. 58-71.

28. Иевлев В.М., Сербин О.В., Кущев С.Б. и др. Синтез пленок карбидов W при быстром фотонном отжиге пленочных гетероструктур W/C //Алмазные пленки и пленки родственных материалов.- Харьков: ННЦ ХФТИ, 2003.- С. 302-309.

Частина 2 Взаємний зв'язок між умовами одержання тонких плівок та ЇХ особливостями

Розділ 4 Механізми конденсації та росту тонких плівок