- •Лаборатория электронных устройств
- •1. Цель лабораторной работы
- •2. Содержание работы
- •3. Методика выполнения работы
- •3.2. Режим переменного тока
- •3.3. Исследование схемы с помощью осциллографа
- •3.4. Исследования схемы с помощью измерителя частотных характеристик
- •4. Содержание отчёта
- •Режимы моделирования и анализа схем электронных устройств
- •1. Цель лабораторной работы
- •2. Содержание работы
- •3. Методика выполнения работы
- •3.1. Режим постоянного тока
- •3.2. Режим переменного тока
- •4. Содержание отчёта
- •4. Содержание отчёта
- •Биполярные транзисторы
- •1. Цель работы
- •2. Содержание работы
- •3. Методика выполнения работы
- •4. Содержание отчёта
- •Транзисторные каскады. Выбор и настройка режима покоя. Оценка температурной стабильности
- •1. Цель лабораторной работы
- •2. Содержание работы
- •3. Подготовка к работе
- •4. Выполнение работы
- •4.1. Простейший каскад с общим эмиттером
- •4.2. Каскад с общим эмиттером и температурной стабилизацией
- •3. Подготовка к работе
- •4. Выполнение работы
- •4.1. Исследование частотных характеристик
- •4.2. Исследование нелинейных искажений
- •5. Содержание отчёта
- •Приложение Базовые схемы транзисторных каскадов
- •Лаборатория электронных устройств
4. Выполнение работы
4.1. Исследование частотных характеристик
4.1.1. Собрать схему, показанную на рис. 7,в. Установить численные значения параметров элементов, полученные при выполнении лабораторной работы «Транзисторные каскады. Выбор и настройка режима покоя». Проверить карту режимов и, при необходимости, подстроить режим покоя. Для контроля искажений выходного напряжения использовать осциллограф.
4.1.2. Установить численное значение сопротивления нагрузки, равное сопротивлению резистора в коллекторной цепи. Установить на генераторе амплитуду синусоидального напряжения 1 мВ. Исследовать зависимость от частоты величину амплитуды и фазы переменного напряжения на выходе генератора, на базе транзистора, на коллекторе транзистора и на нагрузке. Для этого следует воспользоваться режимом моделирования Analysis>AC Frequency, указав пределы изменения частоты от 1 Гц до 1 МГц и номера соответствующих узлов схемы. Зарисовать в отчёт АЧХ и ФЧХ напряжений в узлах при логарифмическом масштабе изменения частоты и линейном масштабе изменения напряжений. Измерить с помощью визирной линии коэффициенты передачи входной цепи и усилителя в целом на средней частоте полосы пропускания усилителя.
4.1.3. Измерить нижнюю и верхнюю граничные частоты полосы пропускания на уровне минус 3 дБ. Эти параметры удобно измерять с помощью визирных линий, установив масштаб измерения напряжений в децибелах. Зарисовать в отчёт логарифмические амплитудно-частотные характеристики и показать на них нижнюю и верхнюю границы полосы пропускания. Измерить сдвиг фаз на граничных частотах полосы пропускания.
4.2. Исследование нелинейных искажений
4.2.1. Установить на генераторе сигнал треугольной формы и частоту, примерно равную средней частоте полосы пропускания усилителя.
4.2.2. Увеличить амплитуду входного напряжения до появления небольших заметных на глаз искажений выходного напряжения.
4.2.3. Переключить генератор в режим формирования синусоидального напряжения. Исследовать с помощью режима моделирования Analysis>Fourier спектральный состав напряжения на нагрузке. Зарисовать в отчёт спектр амплитуд выходного напряжения и записать численное значение коэффициента гармоник (Total harmonic).
4.2.4. Рассчитать предсказанное теоретически значение коэффициента гармоник по формуле
Кг≈Umбэ/FmφТ (4)
и сравнить его с измеренным значением.
4.2.5. Установить на входе усилителя амплитуду напряжения 10 мВ, рассчитать коэффициент гармоник при этом значении входного напряжения и измерить его с помощью моделирования. Сравнить расчёт с экспериментом.
5. Содержание отчёта
5.1. Схемы и результаты экспериментальных исследований.
5.2. Объяснение полученных результатов.
Если у вас есть время и желание глубже разобраться в принципах построения, свойствах, методах анализа и моделирования базовых схем транзисторных усилителей, воспользуйтесь описанной методикой для исследования остальных схем, приведённых на рис. 7, рис. 8, и других схем (см. Приложение, рис. 9 – рис. 19), составляющих схемотехническую базу широкого класса электронных устройств. Описание свойств этих схем и назначения элементов приведены в учебных пособиях [2; 3 и 7].