13.Электрическое смещение.

Теорема Гаусса для диэлектриков.

Вектор напряжённости переходя через границу диэлектриков, претерпевает скачкообразное изменение, поэтому поле характеризуют вектором электрического смещения D=₀E=₀E+P.

Вектор D характеризует поле создаваемое свободными зарядами.

Эл смещ также хар-ся линиями эл смещ – т.е это линии касательные к кот в каждой точке простр совп с напр D.: Ф=

Теор Гаусса для эл поля диэл:Поток вектора смещения элст п в диэл через любую замкн пов= алгебр сумме свободн эл зар заключ внутри : = _ndS=Q_i

14.Условия на границе раздела двух диэлектрических сред.

Пусть на границе отсутств свободн зар. Посторим замкнутый контур длиной L.

; E_1,TL-E_2,TL=0 ; E _1= E _2 ; D_1 /D_2=₁/₂

Рассмотрим т Гаусса при отсутствии на гр своб зар: D_1nΔS- D_2nΔS=0 ; D_n1 =D_n2 ; E_n1/E_n2=₂/₁

При переходе через границу раздела тангенциальная составл вектора Е (Е_Е) и нормальная составл вектора D (D_n) изменяются непрерывно, а Е_n и D_T претерпевают скачок.

15.Проводники в эл ст поле.

Если поместить во внешн эл ст поле проводник то на зар проводника будет дейтвовать эл ст поле. Во всех точках проводника напряж Е =0. При этом зар располог только на пов проводника. Т.к Е=0, то ϕ=const. поверхность проводника в электростатическом поле является эквипотенциальной : Q= =0

Вблизи проводн: DS=S ; D=; E=/₀ , где  — диэлектрическая проницаемость среды, окружающей проводник.

16. Электроёмкость и плоск конд.

Эл ёмкость- это физ вел опред зар-ом, сообщение кот проводнику изменяет его потенциал на единицу.C=Q/ϕ . 1 Ф — емкость такого уединенного провод­ника, ϕ кот измен-ся на 1 В при сообщении ему заряда 1 Кл.

уединенный проводник-проводник удален от других провод­ников, тел и зарядов.

Шар: C=4₀R

Плоск конденс-это сист сост из 2-х проводн(обкладок) с одинак по модулю, но противопол по знаку зар, форма и располож таковы что эл поле сосредот в узком зазоре между обкладк.

C=S₀/d ; E=U/d=/₀

17.Соедин конденс в батареи.

Конденс хар-ся пробивным напряжением(разностью потенциа­лов между обкладками конденсатора, при которой происходит пробой — электричес­кий разряд через слой диэлектрика в конденсаторе.) Оно зависит от формы обкладок, свойств диэлектрика и его толщины.Для измен ёмк конденс и уменьш приклад напряж, конденс соедин в батар.

При парал соед конденс:1)U=U₁=U_i ; 2)Q=Q_i ; 3)C=C_i ;

При послед соед:1)U= U_i ;2)Q=Q₁=Q_i ;3) 1/C=1/C_i)

При парал соед конд ёмк батар = сумме ёмк отдельн конд.

18.Энергия сист зар и уедин проводн.

1) сист 2-х неподв точ зар. W₁=Q₁ϕ₁₂ W₂=Q₂ϕ₂₁ , где ₁₂ и ₂₁ — соответственно потенциалы, создаваемые зарядом Q₂ в точке нахожде­ния заряда Q₁ и наоборот.

ϕ₁₂=kQ₂/r и ϕ₂₁= kQ₁/r ; W₁ = W₂ = W=Q₁ϕ₁₂=Q₂ϕ₂₁= (Q₁ϕ₁₂+ Q₂ϕ₂₁)

2)эн сист сост из неподв точ зар W= ϕQ_iϕ_i ,где _i — потенциал, создаваемый в той точке, где находится заряд Q_i, всеми зарядами, кроме i-го.

Эн зараж уедин проводн: пусть у нас Q,C,ϕ. Увеличим на dQ. Чтобы перенести из бескон dA=ϕdQ=Cϕdϕ; dQ=Cdϕ; А= ϕdϕ=Cϕ²/2 ; W=Cϕ²/2=Qϕ/2=Q²/2C

Пов заряж проводн- эквипотенциальн : W= ϕQ_i=Qϕ/2.