- •1. Рівняння руху електрона в е/м полі, час та кут прольоту електрона.
- •2. Конвекційний та наведений струми. Теорема Шоклі-Рамо.
- •3. Електростатичний та динамічний методи модуляції електронного пучка.
- •4.Функціональна схема, принцип дії, основні співвідношення, які описують роботу підсилювача на пролітному клістроні. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •5.Функціональна схема, принцип дії, основні співвідношення . Які описують роботу генератора па пролітному клістроні. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •6. Функціональна схема, принцип дії. Основні співвідношення . Які описують роботу помножувача частоти на пролітному клістроні. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •8. Функціональна схема, принцип дії, основні співвідношення, які описують роботу лампи біжучої хвилі типу о. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •9. Функціональна схема, принцип дії, основні співвідношення, які описують роботу лампи зворотньої хвилі типу о. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.(след.Стр.)
- •10.Функціональна схема, принципи дії, основні співвідношення , які описують роботу магнетрона. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •13. Резонаторі системи пролітних клістронів,їх конструктивно технологічні -особливості
- •14. Резонаторні снстемн відбивних клістронів,їх конструктивно-технологічні особливості.
- •15. Резонаторні системи магнетронів,їх конструктивно технологічні особливості
- •16. Системи затримки лампи біжучої хвилі типу о, їх конструктивно-технологічні особливості.
- •17. Системи затримки лампи зворотної хвилі типу о, їх конструктивно-технологічні особливості.
- •18. Системи затримки лампи біжучої хвилі та зворотної хвилі типу м, їх конструктивно-технологічні особливості.
- •19. Фокусуючі системи вакуумних пристроїв нвч, їх конструктивно технологічні особливості
- •Соленоид
- •Постоянные магниты
- •Реверсная магнитная система и мпфс
- •20. Напівпровідникові p-n діоди, їх еквівалентні схеми та параметри, застосування в нвч пристроях та ситемах
- •21. Детекторні та змішувальні нвч діоди, характеристики та застосування
- •22. Конструктивні особливості варакторних діодів та діодів Шотткі, характеристики та застосування
- •23. Конструктивні особливості діода на основі р-і-n структур, характеристики та застосування
- •24. Структура та моделі діода Ганна, умови формування домена, режими роботи
- •25. Функціональні схеми та принципи роботи генераторів на діодах Ганна
- •26. Структура та моделі лавинно-пролітного діода, режими роботи
- •27. Функціональна схема та принцип дії генератора на підсилювача на лавинно-пролітному діоді
- •28. Структура та моделі тунельного діода, режими роботи.
- •29. Функціональна схема та принцип дії генератора та підсилювача на тунеотному діоді.
- •30. Біполярні нвч-транзистори, їх еквівалентні схеми та параметри, застосування в нвч пристроях та системах.
- •31.Польові нвч-транзистори, їх еквівалентні схеми та параметри, застосування в нвч-пристроях та системах
- •32.Принципи побудови та застосування нвч-систем побутового та медичного призначення
- •33. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування поглиначів електромагнітних хвиль
- •34. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування відгалужувачів електромагнітних хвиль.
- •35. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування фазообертачів електромагнітних хвиль.
- •35. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування феритового циркулятора електромагнітних хвиль.
- •36. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування вимірювальної лінії електромагнітних хвиль.
Постоянные магниты
Поперечные составляющие в постоянных магнитах несколько больше, чем в соленоиде, но есть возможность сформировать более или менее однородное поле. Однако в большинстве случаев это не применяется из-за необходимости применения магнитов большой массы. рассматриваются с протяженным пространством взаимодействия. Поэтому, скажем, увеличение длины прибора в N раз по сравнению с другими приборами приводит к увеличению массы магнитов в N3 раз.
Постоянные магниты применяются в коротковолновой части рабочего диапазона (миллиметровом диапазоне длин волн) и в коротких лампах, там, где получение значимых результатов более важно, чем увеличение массы.
Реверсная магнитная система и мпфс
Данные магнитные системы строятся за счет создания ячеек на основе кольцевых магнитов вдоль всего пространства взаимодействия. Отличие заключается в том, что в реверсной системе количество таких ячеек значительно (иногда на порядок) меньше, чем в МПФС. Выигрыш в массе получается за счет смены полярности магнитной индукции на краях каждого кольцевого магнита. В этом случае увеличение длины прибора в N раз приводит к увеличению массы также в N раз. Конечно, уменьшение количества периодов приводит к необходимости увеличивать массу магнитов, т. е. масса реверсной системы для одной и той же лампы больше, чем МПФС.
На рис показано схематическое построение МПФС и синусоидальное распределение индукции магнитного поля.
|
Рис.Схема МПФС и синусоидальное распределение индукции магнитного поля
|
20. Напівпровідникові p-n діоди, їх еквівалентні схеми та параметри, застосування в нвч пристроях та ситемах
Лавинно-пролётный полупроводниковый диод (ЛПД), полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением, возникающим из-за сдвига фаз между током и напряжением на выводах прибора вследствие инерционных свойств лавинного умножения носителей заряда и конечного времени их пролёта в области р-n-перехода. ЛПД можно назвать твердотельным эквивалентом отражательного клистрона, как эффективного автогенератора сантиметровых волн.Лавинное умножение в р-n-переходе вызвано ударной ионизацией атомов носителями заряда. В отличие от др. приборов этого класса (туннельных диодов, тиристоров, Ганна диодов), отрицательное сопротивление ЛПД проявляется только на СВЧ.
Л ПД применяются для генерирования колебаний в диапазоне частот от 1 до 300 Ггц. Мощность колебаний составляет единицы вт (при кпд ~ 10%). В 1967 был открыт режим работы ЛПД, при котором электрические колебания возникают сразу на 2 частотах: частоте f0, характерной для обычного режима, и её субгармонике f0/fn, где n > 3. Этот режим отличается высокими значениями кпд (до 60% ) и высокими уровнями отдаваемой на субгармониках мощности (до нескольких сотен вт).
Діод Ганна
Д іод Ганна це напівпровідниковий прилад без pn-переходу, що перетворює енергію джерела живлення постійної напруги в енергію надвисокочастотних коливань в результаті виникнення в напівпровіднику домену сильного поля. На відміну від тунельних, лавинно – пробійних та інших діодів, властивості яких визначаються процесами в p-n-переходах, властивості діодів Ганна характеризуються явищами, що виникають в об’ємі напівпровідника з електронною провідністю. Аномальна залежність швидкості електронів від напруженісті електричного поля в деяких напівпровідникових з'єднаннях використовується для посилення і генерації коливань НВЧ - діапазону. Діод Ганна (ДГ) являє собою однорідний кристал напівпровідникового матеріалу, на основі елементів III-V груп таблиці Менделєєва. До таких напівпровідниковим матеріалами відноситься GaAs, InSb, InAs, ZnSe і CdTe. Однак, найбільш характерним для діодів Ганна і найбільш дослідженим є GaAs. На рисунку 1 представлена структура діода Ганна. Площа торців кристала S = 100 100мкм2, довжина d = 5 - 100мкм. На торці кристала нанесені металеві контакти. Тунельний діод
О сновные параметры Т. д.: макс. прямой ток Iмакс и мин. прямой ток Iмин, соответствующие им напряжения Uмакс и Uмин (значения этих параметров для Т. д. на GaAs и Ge приведены на рис. Г); отрицат. дифференц. сопротивление, определяемое наклоном падающего участка ВАХ (ВГ на кривой 2, рис. 1), имеет значения (по абс. величине) для разл. типов Т. д. от единиц до десятков Ом Т. д. могут работать в более широком интервале темп-р, чем обычные диоды, изготовленные на основе того же материала (до 200 °С германиевые; до 600 °С арсенидгаллиевые). Поскольку рабочий диапазон смещений Т. д. расположен в области значительно более низких напряжений по сравнению с др. полупроводниковыми приборами, то они относительно маломощны (выходная мощность порядка мВт). Малая инерционность процесса туннелирования электронов позволяет применять Т. д. на частотах СВЧ-диапазона вплоть до десятков ГГц. Предельная рабочая частота Т. д. (при использовании его в качестве прибора с отрицат. сопротивлением) выражается через параметры эквивалентной схемы (рис. 3) в виде а резонансная частота паразитных колебаний определяется ф-лой Для усилит. Т. д. необходимо, чтобы выполнялись условия , где fо - рабочая частота. Величинами Rп Сп, rs, а соответственно и частотными характеристиками диода можно управлять, если изменять степень легирования областей полупроводника по обе стороны от р-n-перехода (сувеличением степени легирования частотный предел Т. д. возрастает). Частотные соотношения Т. д. накладывают также ограничения на технологию изготовления и конструктивное оформление диодов: в Т. д., чтобы достичь малых Lк, электрич. контакт к вплавленной металлич. капле на кристалле полупроводника выполняют с помощью металлич. мембраны, ленточного лепестка или пластины; при этом Lк составляет 10-10 Гн. Обычно Т. д. оформляются в металлокерамич. корпусе.
Рис. 3. Эквивалентная схема туннельного диода: Rп и Сп-дифференциальное сопротивление и ёмкость р -n-перехода; rs-омическое сопротивление потерь; Lk и Ск - индуктивность и ёмкость корпуса.
Т. д. находят применение в схемах усилителей и генераторов СВЧ-диапазона, в быстродейств. переключающих устройствах, устройствах памяти с двоичным кодом и т. д.