- •1. Электрофизические свойства полупроводников
- •1.1 Собственные и примесные полупроводники
- •Собственный полупроводник
- •Электронный полупроводник
- •Дырочный полупроводник
- •1.2. Энергетические диаграммы полупроводников
- •1.3. Расчет равновесной концентрации свободных носителей заряда
- •1.4. Hеpавновесное состояние полупpоводника
- •Время жизни неосновных носителей заряда
- •Распределение концентрации неравновесных носителей заряда
- •1.5. Токи в полупроводниках
- •Ток проводимости
- •Ток диффузии
- •Распределение токов в полупроводнике
- •2.3. Вах реального p-n-перехода
- •2.4. Влияние температуры на вах p-n-перехода
- •2.5. Емкости p-n-перехода
- •3. Биполярные транзисторы и тиристоры
- •3.1 Общие сведения о биполярном транзисторе Основные определения
- •Режимы работы транзистора
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •Принцип работы биполярного транзистора
- •3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе
- •3.3 Расчет токов биполярного транзистора Основные допущения идеализированной теории биполярных транзисторов
- •Составляющие токов транзистора
- •Перенос электронов из эмиттера в коллектор. Ток связи
- •Дополнительные токи переходов
- •Влияние обратного напряжения на коллекторном переходе на токи транзистора. Эффект Эрли
- •Коэффициенты передачи токов
- •3.4. Нелинейные модели биполярного транзистора Передаточная модель Эберса-Молла
- •Классическая модель Эберса - Молла
- •Модели для активного режима работы транзистора
- •3.5. Статические характеристики биполярного транзистора
- •Статические характеристики в схеме об
- •Статические характеристики в схеме оэ
- •3.6. Влияние температуры на работу биполярного транзистора
- •3.7. Пробой биполярного транзистора
2.3. Вах реального p-n-перехода
На рис.2.4 приведена вольтамперная характеристика реального p-n- перехода, здесь же пунктиром показана характеристика идеального p-n-перехода. Рассмотрим основные причины, приводящие к отличию характеристик.
При прямом напряжении на p-n- переходе (область 1 ) отклонение реальной характеристики от идеальной связано с конечным ( не нулевым) сопротивлением слаболегированной области базы (rБ'). Часть внешнего напряжения U падает на объемном сопротивлении базы rБ', поэтому напряжение на p-n-переходе уменьшается до величины Upn=U-i rБ'. С учетом сопротивления базы, прямой ток реального p-n-перехода описывается уравнением:
. (2.7)
Таким образом, при одинаковой величине поданного напряжения ток реального p-n-перехода будет меньше, чем идеального.
При обратном напряжении обратный ток реального перехода оказывается больше чем ток идеального перехода, и, кроме того, величина обратного тока зависит от обратного напряжения (область 2 на рис. 2.4). Причиной этого отличия является то, что при выводе выражения (2.5) нами не учитывалась тепловая генерация в области объемного заряда. Вследствие малой концентрации носителей заряда в p-n-переходе скорость генерации пар носителей зарядов в этой области преобладает над скоростью рекомбинации; любая пара носителей заряда, генерируемая в этой области, разделяется полем перехода, а , следовательно, к тепловому току добавляется генерационная составляющая.
При обратном напряжении обратный ток реального перехода оказывается больше, чем ток идеального перехода, а, кроме того, величина обратного тока зависит от обратного напряжения (область 2 на рис. 2.4). Причиной этого отличия является то, что при выводе выражения (2.5) нами не учитывалась тепловая генерация в области объемного заряда. Вследствие малой концентрации носителей заряда в p-n-переходе, скорость генерации пар носителей заряда в этой области преобладает над скоростью рекомбинации; любая пара носителей заряда, генерируемая в этой области, разделяется полем перехода, а следовательно, к тепловому току добавляется генерационная составляющая ( Рис. 2.5).
Величина тока генерации пропорциональна ширине p-n- перехода, а следовательно, зависит от приложенного обратного напряжения. Для германиевых p-n-переходов обе составляющие обратного тока одного порядка; для кремниевых p-n-переходов ток генерации на несколько порядков может превышать тепловой ток.
При достаточно больших обратных напряжениях (область 3 на рис. 2.4) в p-n-переходе может произойти пробой. Пробоем называется неограниченное увеличение тока при постоянном или даже уменьшающемся напряжении на p-n-переходе.
Различают три вида пробоя: лавинный, туннельный, тепловой.
Лавинный пробой ( область 3, рис. 2.4) связан с возникновением ударной ионизации атомов полупроводника в области объемного заряда при высокой напряженности электрического поля . При больших обратных напряжениях процесс ударной ионизации лавинообразно нарастает, что приводит к увеличению обратного тока.
Туннельный пробой связан с туннельными переходами электронов сквозь узкий и высокий потенциальный барьер. Такой пробой возникает в p-n-переходах на базе сильнолегированных областей n- и p-типа.
Лавинный и туннельный пробои обратимы, то есть при включении в цепь p-n-перехода ограничивающего ток сопротивления эти виды пробоя не приводят к разрушению p-n-перехода.
Тепловой пробой ( область 4, рис. 2.4) наступает при условии, когда выделяемая в p-n-переходе мощность РВЫД. оказывается больше, чем отводимая. В этом случае температура p-n-перехода лавинообразно возрастает, что в конечном счете приводит к необратимому разрушению p-n-перехода. Чтобы предотвратить тепловой пробой, необходимо улучшать теплоотвод от p-n-перехода.