- •1. Электрофизические свойства полупроводников
- •1.1 Собственные и примесные полупроводники
- •Собственный полупроводник
- •Электронный полупроводник
- •Дырочный полупроводник
- •1.2. Энергетические диаграммы полупроводников
- •1.3. Расчет равновесной концентрации свободных носителей заряда
- •1.4. Hеpавновесное состояние полупpоводника
- •Время жизни неосновных носителей заряда
- •Распределение концентрации неравновесных носителей заряда
- •1.5. Токи в полупроводниках
- •Ток проводимости
- •Ток диффузии
- •Распределение токов в полупроводнике
- •2.3. Вах реального p-n-перехода
- •2.4. Влияние температуры на вах p-n-перехода
- •2.5. Емкости p-n-перехода
- •3. Биполярные транзисторы и тиристоры
- •3.1 Общие сведения о биполярном транзисторе Основные определения
- •Режимы работы транзистора
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •Принцип работы биполярного транзистора
- •3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе
- •3.3 Расчет токов биполярного транзистора Основные допущения идеализированной теории биполярных транзисторов
- •Составляющие токов транзистора
- •Перенос электронов из эмиттера в коллектор. Ток связи
- •Дополнительные токи переходов
- •Влияние обратного напряжения на коллекторном переходе на токи транзистора. Эффект Эрли
- •Коэффициенты передачи токов
- •3.4. Нелинейные модели биполярного транзистора Передаточная модель Эберса-Молла
- •Классическая модель Эберса - Молла
- •Модели для активного режима работы транзистора
- •3.5. Статические характеристики биполярного транзистора
- •Статические характеристики в схеме об
- •Статические характеристики в схеме оэ
- •3.6. Влияние температуры на работу биполярного транзистора
- •3.7. Пробой биполярного транзистора
1. Электрофизические свойства полупроводников
Полупроводниками являются вещества, занимающие по величине удельной проводимости промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Эти вещества обладают как свойствами проводника, так и свойствами диэлектрика. Вместе с тем они обладают рядом специфических свойств, резко отличающих их от проводников и диэлектриков, основным из которых является сильная зависимость удельной проводимости от воэдействия внешних факторов (температуры, света, электрического поля и др.) К полупроводникам относятся элементы четвертой группы периодической таблицы Менделеева, а также химические соединения элементов третьей и пятой групп типа AIII BV(GaAs, InSb) и второй и шестой групп типа AII B VI ( CdS, BbS, CdFe). Ведущее место среди полупроводниковых материалов, используемых в полупроводниковой электронике, занимают кремний, германий и арсенид галлия GaAs.
1.1 Собственные и примесные полупроводники
Собственными полупроводниками или полупроводниками типа i (от английского intrinsic - собственный) называются чистые полупроводники, не содержащие примесей. Примесными полупроводникам называются полупроводники, содержащие примеси, валентность которых отличается от валентности основных атомов. Они подразделяются на электронные и дырочные.
Собственный полупроводник
Собственные полупроводники имеют кристаллическую структуру, характеризующуюся периодическим расположением атомов в узлах пространственной кристаллической решетки. В такой решетке каждый атом взаимно связан с четырьмя соседними атомами ковалентными связями (рис. 1.1), в результате которых происходит обобществление валентных электронов и образование устойчивых электронных оболочек, состоящих из восьми электронов. При температуре абсолютного нуля (T=0° K) все валентные электроны находятся в ковалентных связях, следовательно, свободные носители заряда отсутствуют, и полупроводник подобен диэлектрику. При повышении температуры или при облучении полупроводника лучистой энергией валентный электрон может выйти из ковалентной связи и стать свободным носителем электрического заряда. (Рис. 1.2). При этом ковалентная связь становится дефектной, в ней образуется свободное (вакантное) место, которое может занять один из валентных электронов соседней связи, в результате чего вакантное место переместится к другой паре атомов. Перемещение вакантного места внутри кристаллической решетки можно рассматривать как перемещение некоторого фиктивного (виртуального) положительного заряда, величина которого равна заряду электрона. Такой положительный заряд принято называть дыркой.
П роцесс возникновения свободных электронов и дырок, обусловленный разрывом ковалентных связей, называется тепловойгенерацией носителей заряда. Его характеризуют скоростью генерации G, определяющей количество пар носителей заряда, возникающих в единицу времени в единице объема. Скорость генерации тем больше, чем выше температура и чем меньше энергия, затрачиваемая на разрыв ковалентных связей. Возникшие в результате генерации электроны и дырки, находясь в состоянии хаотического теплового движения, спустя некоторое время, среднее значение которого называется временем жизни носителей заряда, встречаются друг с другом, в результате чего происходит восстановление ковалентных связей. Этот процесс называется рекомбинацией носителей заряда и характеризуется скоростью рекомбинации R, которая определяет количество пар носителей заряда, исчезающих в единицу времени в единице объема. Произведение скорости генерации на время жизни носителей заряда определяет их концентрацию, то есть количество электронов и дырок в единице объема. При неизменной температуре генерационно- рекомбинационные процессы находятся в динамическом равновесии, то есть в единицу времени рождается и исчезает одинаковое количество носителей заряда (R=G). Это условие называется законом равновесия масс. Состояние полупроводника, когда R=G, называется равновесным; в этом состоянии в собственном полупроводнике устанавливаются равновесные концентрации электронов и дырок, обозначаемые ni и pi . Поскольку электроны и дырки генерируются парами, то выполняется условие: ni=pi . При этом полупроводник остается электрически нейтральным, т.к. суммарный отрицательный заряд электронов компенсируется суммарным положительным зарядом дырок. Это условие называется законом нейтральности заряда. При комнатной температуре в кремнии ni=pi=1,4· 1010 см-3, а в германии ni=pi=2,5· 1013 см-3. Различие в концентрациях объясняется тем, что для разрыва ковалентных связей в кремнии требуются большие затраты энергии, чем в германии. С ростом температуры концентрации электронов и дырок возрастают по экспоненциальному закону.