17. Магнитные поля дефектов: модели, вид тангенциальной и нормальной составляющей напряженности магнитного поля над трещиной

Для расчета магнитных полей дефектов, расположенных внутри изделия, при небольших напряженностях поля применяют метод зеркальных отображений. Практика показывает, что такие предположения допустимы при небольших полях подмагничивания.

Существует проблема индикации картины (топографии) поля рассеяния дефекта с его формой, глубиной залегания, степенью намагничивания. Применяя разные способы намагничивания, различную ориентацию приложенного поля и изучая изменение картины поля рассеяния, можно ориентировочно синтезировать образ дефекта, расположенного внутри изделия. Для того чтобы иметь такую возможность, надо проанализировать основные идеализированные ситуации и их влияние на топологию поля.

Идеализированными дефектами являются цилиндрическое отверстие, шарообразная пора, плоский дефект в виде трещины или непровара. Эти дефекты часто переходят один в другой, например, пора окружена паутиной трещин и т.п.

Рис. 71. Модель дефекта в виде шаровой полости.

Рис. 72. Модель дефекта в виде цилиндра в полупространстве

18. Магнитная дефектоскопия: способы магнитного контроля.

Способы магнитногоконтроля:

1. способ приложенного поля(СПП)

2. способ остаточной намагниченности(СОН)

СПП заключается в том, что деталь одновременно намагничивают и контролируют. Достоинства способа: возможность получения индукции вплоть до насыщения

Недостатки: сильное магнитное поле влияет на ОК, воздействует на первичный измерительный преобразователь.

СОН заключается в том, что объект намагничивают, затем устраняют магнитное поле и потом производят контроль. Достоинства СОН: высокая технологичность, возможность контроля в отсутствии электропитания. Применяется для магнитотвердых материалов.

19. Магнитопорошковая дефектоскопия: уровни чувствительности; технология контроля.

Уровни чувствительности устанавливают по размеру выявляемых дефектов. Под условным дефектом понимают дефект в форме плоской щели с параллельными стенками, ориентированы перпендикулярно контролируемой поверхности и направлению контролируемого поля.

Выбор уровня чувствительности позволяет качественно сравнить условие намагничивания. Уровень Б-основной. Уровень А-для особо ответственных деталей.

Номограмма для определения уровня

чувствительности при контроле по остаточной намагниченности

Основные этапы технологии мпк

1.Подготовка поверхности ОК(тонкие покрытия, можно не убирать);

2.Выбор способа контроля(в зависимости от магнитных свойств);

3.Выбор вида и схемы намагничивания ОК;

4.Нанесение магнитного индикатора;

5.оценка результатов и разбраковка.

20.Средства магнитного контроля: магнитопорошковый, индукционный дефектоскопы.

Магнитопорошковый дефектоскоп – устройство для выявления нарушений сплошности в ОК, использующий в качестве индикаторов полей рассеяния дефектов магнитный порошок.

Структурная схема магнитопорошкового дефектоскопа

Индукционные дефектоскопы применяют в основном для контроля цилиндрических объектов. В качестве магнитных преобразователей используют индукционные катушки.

Для намагничивания объектов применяют электромагниты и постоянные магниты, Кроме того, намагничивание осуществляют циркулярно (путём пропускания тока).

Контроль объектов по остаточной намагнич-ти производят только в том случае, если они изготовлены из магнитожестких материалов.

Снижение мощности намагничивающих устройств достигается применением для намагничивания переменного тока. При этом вследствие действия поверхностного эффекта ток распространяется только в поверхностном слое изделия, вследствие чего повышается его плотность именно в тех местах объекта, которые подлежат контролю.