- •2. Взаимоотношение понятий «неразрушающий контроль», «техническая диагностика», «дефектоскопия».
- •3. Технический контроль: основные термины и определения; классификация видов тк.
- •4. Продукция и качество продукции: дефекты и брак продукции.
- •5. Классификация видов и методов нк.
- •6. Физические основы электрического неразрушающего контроля. Классификация методов электрического контроля; конструкции преобразователей.
- •7. Физические основы электроемкостного метода нк.
- •8. Физические основы электропотенциального и электрического сопротивления методов нк.
- •9. Физические основы электроискрового и термоэлектрического методов нк.
- •10. Физические основы трибоэлектрического, электрографического и высокочастотной фотографии методов нк.
- •11. Основные понятия магнитного нк: напряженность, магнитная индукция, намагниченность, магнитная восприимчивость, гистерезис, кривые намагничивания.
- •12. Основные понятия магнитного нк: остаточная магнитная индукция, коэрцитивная сила, относительная и абсолютная магнитные проницаемость, коэффициент размагничивания.
- •13. Основные понятия магнитного нк: методы определения магнитных характеристик, задачи магнитного контроля, информативные параметры, классификация методов.
- •14. Первичные преобразователи магнитного поля и магнитные материалы: общая характеристика первичных преобразователей, их классификация, примеры.
- •15. Методы и средства намагничивания: сущность магнитной дефектоскопии, способы и схемы намагничивания.
- •16. Методы и средства намагничивания: особенности намагничивания в постоянном, переменном и импульсном магнитных полях; размагничивание объекта контроля.
- •17. Магнитные поля дефектов: модели, вид тангенциальной и нормальной составляющей напряженности магнитного поля над трещиной
- •18. Магнитная дефектоскопия: способы магнитного контроля.
- •19. Магнитопорошковая дефектоскопия: уровни чувствительности; технология контроля.
- •Основные этапы технологии мпк
- •20.Средства магнитного контроля: магнитопорошковый, индукционный дефектоскопы.
- •21. Средства магнитного контроля: феррозондовый, магнитографический дефектоскопы.
- •22. Магнитная толщинометрия (разновидности) и ее средства.
- •23. Магнитная структуроскопия (разновидности) и ее средства.
- •24. Физические основы вихретокового метода нк (закон электромагнитной индукции, схемы замещения, особенности и области применения).
- •25. Классификация вихретоковых преобразователей по типу преобразования параметров (общая схема классификации, определение и примеры).
- •26. Классификация вихретоковых преобразователей по способу соединения катушек (общая схема классификации, определение и примеры).
- •27. Классификация вихретоковых преобразователей по положению относительно ок (общая схема классификации, определение и примеры).
- •29. Средства вихретокового нк: дефектоскопы, их классификация, характеристики.
- •30. Средства вихретокового нк: толщиномеры (глубина проникновения магнитного поля, типы покрытий), структуроскопы (регистрируемый параметр, типы полей).
- •31. Физические основы акустических методов нк: определения, основные акустические величины и формулы, понятие децибела, номограмма перевода относительных величин в децибелы.
- •32. Волновое уравнение (сферическая, плоская волны, частные виды уравнения).
- •Уравнение сферической волны
- •33. Типы акустических волн, упругие постоянные, схематическое представление волн.
- •34. Акустические свойства сред: акустический импеданс, затухание звука и его причины.
- •36.Дифракция упругих волн в твердых телах (типы дифракции).
- •37.Пьезоэффект, свойства пьезоматериалов.
- •38.Схема пэп, основные типы пэп, соотношения, определяющие работу пэп (амплитуда, добротность, мощность).
- •39.Основные параметры, характеризующие свойства пэп (коэффициент преобразования, ахч, полоса пропускания).
- •40.Акустическое поле преобразователя, диаграмма направленности.
- •45. Активные акустические методы: собственных частот, импедансные
- •46. Пассивные акустические методы: сущность и примеры.
- •47.Нк проникающими веществами: термины и определения.
- •48. Геометрические характеристики поверхностных дефектов.
- •49. Операции капиллярного контроля, их последовательность и сущность
- •50. Смачивание и поверхностное натяжение;
- •51. Адгезия и когезия; Капиллярность;
- •52. Растворение. Давление насыщающего пара, капиллярная конденсация.
- •53. Диффузия (Закон Фика. Заполнение тупиковых капилляров).
- •54. Сорбционные явления. Взаимодействие «жидкость–жидкость» в капилляре.
10. Физические основы трибоэлектрического, электрографического и высокочастотной фотографии методов нк.
Трибоэлектрический метод основан на регистрации электрических зарядов, возникающих в ОК при трении (от греч. tribos - трение) двух тел из разнородных материалов. Измеряя заряд, полученный объектами контроля при трении об одного и то же тело, можно сортировать объекты.
Электростатический порошковый способ индикации дефектов применяют для обнаружения трещин в изделиях из фарфора, фаянса, керамики, а также в эмалевых и стеклянных покрытиях на металлах. Положительно заряжается тот объект, который имеет большую диэлектрическую проницаемость. При трении диэлектрика об металл, диэлектрик приобретает положительный заряд. Измеряя заряд, можно сортировать объекты. Таким образом можно обнаружить дефекты размером до 0,3 мм. Скорость движения пленки может быть достаточно большой 0,5 м/с.
Электрографический метод. Сущность метода к испытуемой поверхности ОК плоским электродом прижимают бумагу, пропитанную электродом и пропускают постоянный ток между электродом (анодом) и испытуемой поверхностью. В тех местах, где сплошность покрытия нарушена, бумага меняет цвет и на ней образуется рисунок дефектов покрытия. Используется для обнаружения пор и трещин в металлических покрытиях на плоском металлическом основании.
Метод высокочастотной фотографии (метод визуализации и фотографирования в полях высокой напряженности). Метод основан на эффекте Кирлиан. Получение фотоизображений объектов, помещенных в высокочастотной электрическое поле. В основе метода лежат фотохимические процессы. Эффект Кирлиан визуальное наблюдение или регистрация на фотоматериале свечения газового разряда, возникшего вблизи поверхности исследуемого объекта при помещении последнего в электрическое поле высокого напряжения. Между электродами приложено небольшое напряжение, частотой 50-300 МГц. Напряжение до 40 кВ. Частота исследуемого импульса 30-50 Гц.
11. Основные понятия магнитного нк: напряженность, магнитная индукция, намагниченность, магнитная восприимчивость, гистерезис, кривые намагничивания.
Напряжённость м.п. (обозначение Н) — векторная физическая величина, характеризующая магнитное поле, измеряющиеся А/м. Зависит от силы тока, от проводника.
Магнитная индукция — векторная величина, являющаяся силовой характеристикой магнитного поля (его действия на заряженные частицы) в данной точке пространства. Определяет, с какой силой магнитное поле действует на заряд q , движущийся со скоростью v.
Намагниченность – характеризует состояние в-ва при взаимодействии на него магнитного поля.
Магнитная восприимчивость — физическая величина, характеризующая связь между магнитным моментом (намагниченностью) вещества и магнитным полем в этом веществе.
Магнитный гистерезис — явление зависимости вектора намагничивания и вектора напряжённости магнитного поля в веществе не только от приложенного внешнего поля, но и от предыстории данного образца. Магнитный гистерезис обычно проявляется в ферромагнетиках — Fe, Co, Ni и сплавах на их основе. Именно магнитным гистерезисом объясняется существование постоянных магнитов. Явление магнитного гистерезиса наблюдается не только при изменении поля H по величине и знаку, но также и при его вращении (гистерезис магнитного вращения), что соответствует отставанию (задержке) в изменении направления M с изменением направления H. Гистерезис магнитного вращения возникает также при вращении образца относительно фиксированного Направления.
Зависимость вида В=f(H) обычно изображают в виде кривых намагничивания. Магнитные свойства зависят не только от таких параметров, как напряженность поля, температура, наличие или отсутствие механических напряжений и др., но также и от предшествующего магнитного состояния.
Во многих случаях получения кривых намагничивания в качестве исходного состояния используют размагниченное состояние образца, при котором в отсутствии внешнего поля индукция равна нулю и нет преимущественного направления намагничивания доменов, т. е. они расположены статистически равновероятно.