Добавил:
kostikboritski@gmail.com Выполнение курсовых, РГР технических предметов Механического факультета. Так же чертежи по инженерной графике для МФ, УПП. Писать на почту. Дипломы по кафедре Вагоны Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
1 семестр / Шпоры / шпорка.docx
Скачиваний:
230
Добавлен:
27.10.2017
Размер:
1.57 Mб
Скачать

10. Физические основы трибоэлектрического, электрографического и высокочастотной фотографии методов нк.

Трибоэлектрический метод основан на регистрации электрических зарядов, возникающих в ОК при трении (от греч. tribos - трение) двух тел из разнородных материалов. Измеряя заряд, полученный объектами контроля при трении об одного и то же тело, можно сортировать объекты.

Электростатический порошковый способ индикации дефектов применяют для обнаружения трещин в изделиях из фарфора, фаянса, керамики, а также в эмалевых и стеклянных покрытиях на металлах. Положительно заряжается тот объект, который имеет большую диэлектрическую проницаемость. При трении диэлектрика об металл, диэлектрик приобретает положительный заряд. Измеряя заряд, можно сортировать объекты. Таким образом можно обнаружить дефекты размером до 0,3 мм. Скорость движения пленки может быть достаточно большой 0,5 м/с.

Электрографический метод. Сущность метода к испытуемой поверхности ОК плоским электродом прижимают бумагу, пропитанную электродом и пропускают постоянный ток между электродом (анодом) и испытуемой поверхностью. В тех местах, где сплошность покрытия нарушена, бумага меняет цвет и на ней образуется рисунок дефектов покрытия. Используется для обнаружения пор и трещин в металлических покрытиях на плоском металлическом основании.

Метод высокочастотной фотографии (метод визуализации и фотографирования в полях высокой напряженности). Метод основан на эффекте Кирлиан. Получение фотоизображений объектов, помещенных в высокочастотной электрическое поле. В основе метода лежат фотохимические процессы. Эффект Кирлиан визуальное наблюдение или регистрация на фотоматериале свечения газового разряда, возникшего вблизи поверхности исследуемого объекта при помещении последнего в электрическое поле высокого напряжения. Между электродами приложено небольшое напряжение, частотой 50-300 МГц. Напряжение до 40 кВ. Частота исследуемого импульса 30-50 Гц.

11. Основные понятия магнитного нк: напряженность, магнитная индукция, намагниченность, магнитная восприимчивость, гистерезис, кривые намагничивания.

Напряжённость м.п. (обозначение Н) — векторная физическая величина, характеризующая магнитное поле, измеряющиеся А/м. Зависит от силы тока, от проводника.

Магнитная индукция — векторная величина, являющаяся силовой характеристикой магнитного поля (его действия на заряженные частицы) в данной точке пространства. Определяет, с какой силой магнитное поле действует на заряд q , движущийся со скоростью v.

Намагниченность – характеризует состояние в-ва при взаимодействии на него магнитного поля.

Магнитная восприимчивость — физическая величина, характеризующая связь между магнитным моментом (намагниченностью) вещества и магнитным полем в этом веществе.

Магнитный гистерезис — явление зависимости вектора намагничивания и вектора напряжённости магнитного поля в веществе не только от приложенного внешнего поля, но и от предыстории данного образца. Магнитный гистерезис обычно проявляется в ферромагнетиках — Fe, Co, Ni и сплавах на их основе. Именно магнитным гистерезисом объясняется существование постоянных магнитов. Явление магнитного гистерезиса наблюдается не только при изменении поля H по величине и знаку, но также и при его вращении (гистерезис магнитного вращения), что соответствует отставанию (задержке) в изменении направления M с изменением направления H. Гистерезис магнитного вращения возникает также при вращении образца относительно фиксированного Направления.

Зависимость вида В=f(H) обычно изображают в виде кривых намагничивания. Магнитные свойства зависят не только от таких параметров, как напряженность поля, температура, наличие или отсутствие механических напряжений и др., но также и от предшествующего магнитного состояния.

Во многих случаях получения кривых намагничивания в качестве исходного состояния используют размагниченное состояние образца, при котором в отсутствии внешнего поля индукция равна нулю и нет преимущественного направления намагничивания доменов, т. е. они расположены статистически равновероятно.