заготовка ЛР15

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ПЕТЕРБУРГСКИЙ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ» Кафедра «Электротехника»

Лабораторная работа №15

Исследование статических и динамических характеристик транзистора

Работу проверил

Санкт-Петербург 2016

ВВЕДЕНИЕ

Биполярный транзистор является полупроводниковым прибором, состоящим из трёх областей чередующегося типа электропроводимости, которые образуют два p-n перехода, расположенных в непосредственной близости друг от друга. В зависимости от порядка расположения областей различают p-n-p и n-p-n транзисторы. Их условные графические изображения приведены на рис 1.

Вбиполярных транзисторах перенос электрического тока через кристалл полупроводника

иусиление сигнала обусловлены движением носителей заряда обеих полярностей – электронов

идырок.

Центральную область полупроводниковой структуры транзистора называют базой. С одной стороны к ней примыкает эмиттерный переход, а с другой – коллекторная область, образующая коллекторный p-n переход. К внешним областям эмиттера присоединены электроды, на которые подаются напряжения смещения p-n переходов. Кроме того, толщина базы должна быть меньше длины свободного пробега носителей заряда и концентрация примесей заряда в эмиттере должна быть значительно больше, чем в базе.

Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на следующие группы: усилительные низкочастотные (fгр < 30 МГц); высокочастотные ( 30 МГц < fгр < 300 МГц); сверхвысокочастотные (fгр > 300 МГц), усилительные мощные высокочастотные; высокочастотные и СВЧ генераторные; переключающие маломощные и мощные высоковольтные; импульсные мощные высоковольтные универсальные.

По мощности транзисторы подразделяются на маломощные с мощностью рассеивания P<0,3 Вт и транзисторы средней мощности (0,3 < P < 1,5 Вт). Транзисторы с мощностью рассеивания от 1 до 10 Вт иногда называют транзисторами большой мощности, а транзисторы на токи 10 А и выше, называют силовыми.

2