1). Исследование входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим

эмиттером

1.Выбрать тип транзистора (задается преподавателем);

2.По заданным значениям входных токов и входных напряжений из справочника определить входные характеристики биполярного транзистора.

3. Нарисовать графическое изображение входной характеристики.

2). Исследование выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

1.Выбрать тип транзистора (аналогично для входной характеристики);

2.По заданным значениям выходных токов и выходных напряжений из справочника определить выходные характеристики биполярного транзистора;

3. Нарисовать графическое изображение выходной характеристики.

Б. Изучение семейства входных и выходных ВАХ в схеме с общий базой

Схема с общим эмиттером представлена на рисунке 2.

Входная характеристика – это зависимость входного тока (в данном случае тока эмиттера) от входного напряжения при постоянном напряжении на выходе, т.е. на коллекторе:

Выходная характеристика – зависимость выходного тока (тока коллектора) от выходного напряжения при постоянном токе эмиттера:

При данной схеме включения входным током является ток эмиттера, а входным напряжением – напряжение между эмиттером и базой. Выходными являются ток коллектора и напряжение между коллектором и базой.

1). Исследование входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общей

базой

Повторить выше описанные пункты 1) из А.

2). Исследование выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой

Повторить выше описанные пункты 2) из А.

ЗАДАНИЕ 2 Методика определения основных параметров транзистора:

1. Определение основных h-параметров транзистора сводиться к формулам

ЗАДАНИЕ 2. Методика расчёта h - параметров транзистора по его статическим характеристикам. Схема с общим эмиттером

Определение h11Э:

Кривая Uкэ = 0,1 В соответствует условию ∆Uвых=0.

- дифференциальное входное сопротивление.

Определение h12Э:

КОС - коэффициент обратной связи по напряжению.

Определение h21Э:

Выбираем ВАХ, соответствующую току базы, при которой определялись параметры h11 и h12. Выбираем на ней рабочую точку А.

Двигаясь по прямой ∆Uвых = const, находим ∆Iвых и ∆Iвх.

β - коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером.

Определение h22Э:

Рабочая точка А берется так же, как и при определении h21. На характеристике Iб= const, проходящий через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆Iвых и ∆Uвых.

- дифференциальное внутреннее сопротивление.

3. Результаты расчетов занесите в таблицу 1:

2.ЗадаНие на эксперимент

1. Установить переключатель рода работ П1 в положение «вкл». Установить переключатель рода работ П2 в положение с общим эмиттером.

2. Снять семейство входных характеристик для семи значений силы тока базы и трех значений,

Таблица 2

1
2
3
4
5
6
7

3. Снять семейство выходных характеристик для пяти значенияхпри трех значениях, результаты записать в таблицу 2.

Таблица 3

1
2
3
4
5

4. Определить входное сопротивление транзистора

5. Определить выходное сопротивление транзистора