Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
«Самарский Государственный Аэрокасмический Университет
им. С.П. Королева
(Национальный исследовательский университет)»(СГАУ)
Исследование основных характеристик и параметров биполярного транзистора
Самара 2014
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
«Самарский Государственный Аэрокасмический Университет им. С.П. Королева
(Национальный исследовательский университет)»(СГАУ)
Исследование основных характеристик и параметров биполярного транзистора
Рекомендовано редакционно-издательским советом университета
в качестве методических указаний к лабораторным работам
Самара 2014
УДК 621.3 (075)
ББК 32.79
Составитель: Р.К.. Мирзаев
Рецензент: канд. техн. наук, доц. Г.П. Шопин
Исследование основных характеристик и параметров биполярных транзисторов: метод. указания / сост.. Р.К.. Мирзаев – Самара: Изд-во самар. гос. аэрокосм. Ун-та, 2014. – 15 с.
В данной работе студенты исследуют статические характеристики и вычисление с их помощью параметров транзистора .
Методические указания предназначены для студентов неэлектрических факультетов всех специальностей «СГАУ им. С.П. Королева(Национальный исследовательский университет)», изучающих курс “ Электротехника и электроника ”.
Методические указания к выполнению лабораторной работы № 2
предназначены для студентов очно-заочного и заочного образования, обучающихся , в том числе по специальности: 150700.62- "Машиностроение", 151001.65 «Технология Машиностроения », 151000.62 «Технология и Обработка металлов давлением» для 4 факультета.
УДК 621.3 (075)
ББК 32.79
© Самарский государственный
аэрокосмический университет, 2014
Учебное пособие
Исследование основных характеристик и параметров биполярных транзисторов
Методические указания
Составитель Мирзаев Равшан Кудратович
Редактор
Компьютерная верстка
Подписано в печать 12.12.14. Формат 60х84 1./16.
Бумага офсетная. Печать офсетная.
Печ. л. 1,0
Тираж 50 экз.
Самарский государственный
аэрокосмический университет.
443086 Самара, Московское шоссе, 34.
Изд-во Самарского государственного
аэрокосмического университета.
443086 Самара, Московское шоссе, 34.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
2. КРАТКАЯ ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
2.1 Устройство биполярного транзистора
2.2 Принцип работы транзистора.
2.3 Характеристики транзисторов
2.4 Основные параметры транзистора
3. ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ОБОРУДОВАНИЯ И ПРИБОРЫ
4. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ
4.1Задание на дом
4.2.ЗадаНИЕ НА ЭКСПЕРИМЕНТ
5. РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЯ
Расчёт параметров и анализ полученных результатов
6. ВЫВОДЫ
7. ВОПРОСЫ ДЛЯ ДОПУСКА К РАБОТЕ
8. Содержание отчёта
9. ВОПРОСЫ К ЗАЩИТЕ
10. Литература
ВВЕДЕНИЕ
Методическое указание к лабораторной работе «Исследование основных характеристик и параметров биполярных транзисторов» предназначено для студентов неэлектрических факультетов очно-заочной и заочной формы обучения всех специальностей «СГАУ им. С.П. Королева (Национальный исследовательский университет)», изучающих курс “ Электротехника и электроника ”.
Продолжительность лабораторной работы – 4 часа.
В данной работе изучаются:
- биполярные транзисторы различных типов.
-основные характеристики и параметры биполярных транзисторов;
- роль и область их целесообразного применения в силовой электрике и электронике.
В данной
работе студенты исследуют основные
характеристики полупроводниковых
биполярных транзисторов (входные и
выходные вольт-амперные характеристики
(ВАХ)) и параметры (коэффициент усиления
по току
входное дифференциальное сопротивление
транзистора (
),
выходная дифференциальная проводимость
(
),
исследуют биполярные транзисторы на
лабораторных стендах, позволяющих
измерять параметры и основные
характеристики биполярных транзисторов
и оценить параметры транзисторов на
основе результатов измерений.
Работа проводится на лабораторном стенде, разработанном кафедрой электротехники СГАУ, с которым студенты должны ознакомиться, а также изучить работу измерительных приборов при проведении эксперимента.
При подготовке к работе и после проведённых измерений студенты проводят графические построения входных и выходных характеристик, расчёты и вычисления графическим способом параметров транзисторов.
Лабораторная работа №5