2. Графический способ определения h–параметров транзистора

Располагая вольт–амперными характеристиками транзистора, можно графическим путем определить низкочастотные значения h-параметров. Для определения h-параметр необходимо задать рабочую точку, например А (I_бА, U_кэА), в которой требуется найти параметры.

Параметры h_11э  и h_12э находят по входной характеристики U_бэ =₁(I_б)|_Uкэ=const.

Определим h_11э для заданной рабочей точки А (I_бА, U_кэА). На входной характеристике находим точку А, соответствующую заданной рабочей точке (рис.1.4). Выбираем вблизи рабочей точки А две вспомогательные точки А₁ и А₂ (приблизительно на одинаковом расстоянии), определим по ними U_бэ и I_б и рассчитаем входное дифференциальное сопротивление, по формуле:

h_11э=(U_бэ /I_б)|_Uкэ=const.

Приращения U_бэ и I_б выбирают так, чтобы не выходить за пределы линейного участка, их можно примерно принять за (10-20)% от значений рабочей точки.

Графическое определение параметра h_12э =  U_бэ /U_кэ затруднено, так как семейство входных характеристик при различных U_кэ0 практически сливается в одну (рис.1.4 а.).

Параметры h_22э и h_21э определяются из семейства выходных характеристик транзистора I_к=₁ (U_кэ) (рис.1.4б).

Параметр h_21э= (I_к /I_б) |_Uкэ=const находится в заданной рабочей точке А (I_бА, U_кэА). Для нахождения приращений выбирают две вспомогательные точки А₁ и А₂ вблизи рабочей точки А при постоянном U_кэ =U_кэ0. Приращение тока базы I_б следует брать, как I_б=I_б2 – I_б1, где I_б2 и I_б1 определены как токи базы в точках А₂ и А₁. Этому приращению I_б соответствует приращение коллекторного тока I_к = I_к2 – I_к1, где I_к2 и I_к1.определены в точках А₂ и А₁. Тогда дифференциальный коэффициент передачи тока базы рассчитаем по формуле h_21э= (I_к /I_б) )|_Uкэ=const .

Параметр h_22э=(I_к/U_кэ)_Iб=const  определяется по наклону выходной характеристики (рис.1.9) в заданной рабочей точке А (I_бА, U_кэА), при постоянном токе базы I_б. Для нахождения приращений выбирают две вспомогательные точки точки А^*₁ и А^*₂ . Для этих точек определяют U^*_кэ|_{Iб = IбА} =U_к2 – U_к1 – приращение коллекторного напряжения, и приращение коллекторного тока I^*_к= I^*_к2 – I^*_к1. При этом из семейства выходных характеристик следует выбирать ту характеристику, которая снята при выбранном значение тока базы I_б=I_бА .

3. Описание лабораторной установки

Лабораторная установка содержит: 1 – исследуемый транзистор типа Кт 315; 2 – источник постоянного напряжения смещения; 3 – источник питания коллекторной цепи; 4 – микроамперметр для измерения силы начального тока базы; 5 – миллиамперметр для измерения силы тока цепи коллектора.

Рис.1.6 Электрическая схема лабораторной установки

4. Порядок выполнения работы

1.Задание на дом

Методика исследования характеристик и параметров транзистора

Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора подразумевает снятие статических характеристик транзистора и вычисление с их помощью параметров транзистора.

ЗАДАНИЕ 1 . Методика теоретического исследования статических характеристик транзистора

В работе исследуются статические характеристики транзистора в схемах с общим эмиттером и общей базой.

А. Изучить семейства входных и выходных ВАХ в схеме с общим эмиттером.

Схема с общим эмиттером представлена на рисунке 2.

Входная характеристика – это зависимость входного тока (в данном случае тока базы) от входного напряжения при постоянном напряжении на выходе, т.е. на коллекторе:

Выходная характеристика – зависимость выходного тока (тока коллектора) от выходного напряжения при постоянном токе базы.

При данной схеме :