Лабораторная работа № 8 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДОВ И ОДНОКАСКАДНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ТРАНЗИСТОРЕ

Цель работы

1.Исследование статических характеристик биполярного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером.

2.Исследование статических характеристик биполярного транзистора, включённого по схеме с общим коллектором.

3.Исследование одиночного усилительного каскада при работе на малых частотах.

Описание лабораторной установки

Принципиальная схема стенда приведена на рис 8.1. Напряжение питания коллекторной цепи транзистора подается от источника питания 15 В, регулируется потенциометром “рег. ЕК” и контролируется вольтметром V (ЕК). Ток базы измеряется микроамперметром µA, ток коллектора – миллиамперметром mA. Данные измерительные приборы смонтированы на стенде. Микроамперметр µA включен в диагональ моста для измерения среднего значения входного тока.

Рис. 8.1. Принципиальная схема лабораторной установки

Переключателями S1, S12 входная цепь триода подключается к источнику постоянного или переменного входного напряжения. Величина входного напряжения регулируется потенциометром “per. UВХ”. Тумблерами

29

S2, S5 подается смещение на базу транзистора, тумблерами S8, S10, S13 подключается нагрузка. С помощью S6, S7 включается эмиттерная стабилизация. Нагрузка в коллекторной и эмиттерной цепях включается тумблерами S3, S4, S9, S11. Напряжение на входе и выходе каскада измеряется цифровым вольтметром. Форма выходного сигнала контролируется осциллографом.

Порядок выполнения работы

1. Собрать на стенде схему, соответствующую рис. 8.2, для снятия статистических характеристик транзистора по схеме с общим эмиттером, для этого:

а) подать на вход постоянное напряжение (S12 в положение “UВХ=”, тумблер S1 – в положение “вкл”);

б) отключить нагрузку схемы и зашунтировать резисторы в эмиттерной

и коллекторной цепи (выключатели S3, S4, S6, S9, S11 включить, а S2, S5, S7 и S13 выключить).

2.Подать питание на стенд (тумблер "сеть" включить).

3.Снять статические входные характеристики транзистора по схеме с общим

эмиттером Iб = f(UбЭ) при UКЭ = 0 В; UКЭ = –5 В; UКЭ = –10 В.

Постоянным напряжение UКЭ поддерживают с помощью потенциометра “peг. ЕК”. Входное напряжение UбЭ изменяют потенциометром “peг. UВХ”, а измеряют цифровым вольтметром.

Результаты измерений записать в таблицу 8.1.

Рис. 8.2. Схема для снятия статических характеристик транзистора с ОЭ

4. Снять статические выходные характеристики транзистора по схеме с общим эмиттером IК = f(UКЭ) при Iб = const. Напряжение на выходе UКЭ изменяют потенциометром “рег. ЕК”. Входной ток базы Iб поддерживают

30