Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Цифровая электроника

.pdf
Скачиваний:
27
Добавлен:
10.03.2016
Размер:
7.3 Mб
Скачать

 

 

 

 

41

iб =

U D

(U D ≈ 0,4(Si).

 

 

 

 

 

 

Rб

 

 

3) КлючсдиодамиШоттки

:

 

Этоп лупроводник,гдеоднимизграничныхявляметал..(однатсяобласть

 

металл,вторая

 

– полупроводник n- или p- типа).

 

Отсутствиеприграничногослоя=>нетбарьернойёмкости.

 

 

Это оченьбыстродействующиедиодыВАХ(

– какуобычдиода,ноасыщеого

ние~

0,1В)Использов. этдихбрдовсвязиатранзисниетнойключаавтоматическирного

 

исключает Rб . Врезультатеполучаследующее: м

+E

Uвх Rб

iб

Шоттки

Si

Ge

Светодиоды

RK

 

 

 

Uвых

 

 

 

 

0,4

0,6

2,4

Притакомподходежеавтоматичесизбыточноеисключакетсяопление

зарядовбазе.

Логическиеэлементы

диодамиШотткиявляютсамбыстродействующимия

логичэлементамидляскисхеоднополярным.танием

§2.4 Логическиеэл

ементынарылеи

переключателях. Резисторно-транзисторная

 

 

логикаРТЛ()

Постпервыхвычислительныхоениесист

емнабазелогическихэлементов

промышленнобылосвсерединеоеносороковых

годовпрошстолетия.Ониого

строивполномись

оответствииосновнымизаконамиБуле

вой ал,гвебрыдекачестве

переключаустройствбылизадействованымых

рыле и переключатели.

42

Физическэквиваледвоичпеременнйдлятакихустройствследующий

:

+Е – логическая «1»;

 

0 – логический «0».

 

Построимфункцисистемулогическихнальнуюэлеме

нтов.

И:

+E

x1

x2

Y

 

 

 

 

 

0

0

0

Þ Y =x1 ×x2

x1

 

0

+E

0

 

т.е. выполняется

 

+E

0

0

 

 

 

 

+E +E +E

операция И

 

 

P

 

 

 

 

 

1

 

 

 

&

x2

P2

Y

ИЛИ:

+E

x1

x2

Y

 

x1

0

0

0

Þ Y =x1 +x2

 

P

0

+E +E

 

1

+E

0

+E

т.е. выполняется

 

 

+E +E +E

операция ИЛИ

x2

1

P2

Y

НЕ:

 

+E

 

 

 

 

x

 

x

Y

Þ Y =x

 

 

R

0

+E

 

P

Y

+E

0

т.е. выполняется

 

 

 

 

операция НЕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

43

Системафункциональлогическихэлементовполностьюзамкнуласьых.

Послеприменениярылепереключестественвоаотелейпереходероснаым

болеекомпакибыстныеродействующиеустройства.Вкачестветакогоустройствастали

использоватьизобретённый1847годуполуп оводниковыйанзистор.

 

Наегобазе

появиласьрези

сторно-транзисторная логика.Базовымэлементом

такойлогикиявляется

следующийэлемент:

 

 

 

 

 

+E

 

x1 =Uвх

R1

RK

 

 

Uвых

 

 

 

 

x2 =0

R2

 

 

 

 

 

.

.

 

 

.

.

 

 

.

.

 

 

xn

 

 

 

Rн

Составтаблицум

переводятключнасыщение

Х1

Х 2

Y

0

0

1

0

1*

0

1

0

0

1

1

0

истинноститакогоустройства

,предполагая,чтонапряжения

Х i

.

iб = 0

 

 

 

Y =

 

Травнасыщениизистор

x1 + x2

(ИЛИ -НЕ)

 

 

1Uвх 0 (Перетранзисторавглубокоеоднасыщение).

Т.о.

построэлемИЛИент

-НЕдлюбогояколичествавходныхпеременных,

 

котообрыйазует

функционально – полнуюсистемулогическихэлементов

,т.е.спомощью

негоможн

овполномобъёмереализоБулевуать

алгебру.ЧтоипривелоксозданиюЭВМ

 

набазетранзисторов.

Ксож,таэлементылениюкиесложнореализоватьинтегральном

 

исполнсущественнымихедостаткомииявляетсявлияодпернойиенаменной

 

 

другие,чтонепозволяетсоздаватьбыс родействующиеустройства

 

.

44

§2.5 Логическиеэлементыди

одно-транзисторной логикиДТЛ()

. Логические

элеметранзистоты

рно-транзисторнойлогикиТТЛ()

 

А)С ледующимшагомвплразнелогическихещенияэлеме

 

нтовнакристаллах

 

увеличенияихбыстродявляейтствия

 

созданиедиодно

-транзисторнойлогики

(ДТЛ)

результаэтойработые

поядвабилисьэлемезовыхданлогикин: таой

 

 

 

 

 

 

+E

 

 

RK

x1

 

Uвых

x2 .

 

U вых Î"1"

.

Rб

.

.

.

.

xn

 

 

ПринципдействияполаностьюалогиченпринципудействияРТЛ

– логики.

Преимущество – всеэлементыможноизготовитьинтеграспособом.Влияниеьным

однойпеременнойнадругуюполност

ьюисключено.

Каквидноизрисунка,реализуетсяфункция:

Y = x1 + x2 + ... + xn ,т.е.ИЛИ

– НЕ

Вторбазэлементо:вый

 

 

 

 

+E

 

Rб

RK

x1

 

Y

 

iб

x2 .

.

 

.

.

 

.

.

 

xn

 

 

45

Составтаблистинностидляцумдвухпеременных:

Х1

Х 2

Y

 

 

0

0

1

 

 

0

1

1

И – НЕ

 

 

1

0

1

Y =

 

x1 x2

1

1

0

 

 

Еслизаземлхотябыодинвходнапример(тьХ1),товесьтокпойдётобратно.

 

 

Вданномслучаепринципработытранзисторанципиной.Еслкдиодамально

 

 

ничегонеподключатьилиподатьлогическуюединицу,тоонизакрытыток

 

iб.

открываетдонасыщ

 

ениятранзистора.Врезульт те

Y = 0.

 

Еслиналюбойдиодовзпод

атьлогичесто0,диодотквесьроетсяийтокпойдёт

 

чернего,т.. з

iб. =0, итранзистор кажвреотсечкижимется,..

Y = 1.

 

Такимоб,врамкахДТЛзомбыларешеназ созддачасрдвухалогическихниязу

 

 

элементов,каждыйиз

 

котообфункциональнорыхазует

-полнуюсистемутаких

 

элементов,чтосуществен

 

ноувелстепеньичилонтеграции,компактность

 

эффективность созданияцифровыхустройствувеличилобыстродействие.

 

 

Б) Транзисторно-транзисторнаялогикаТТЛ().

 

 

Базовыйэлемент

 

диодно-транзисторнойлогикиИ

-НЕпослужилосновойдля

 

созданияновогоперспективногонаправлензвитлогическихэлементовя

– ТТЛ.

В

настоящеевремяэтоодниизосновныхтиповлогики

 

, используемыхвцифровой

 

электронике.Основудляеёпостроениясоста

вляют многоэмиттерныетранзисторы

,

работающиеврежимепереключателятоков:

 

 

46

+E

 

 

Rб

iб

RK

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y

 

 

 

 

x1

 

 

 

 

 

 

 

x2

 

 

T

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

xn

iб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2)

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрпринцдействиятаклогическогопм элемента:

 

 

 

 

 

1)Пувсеть

xi = тогда«1»,базовыепе

реходыобратносмещенные,иследовательно

 

 

весьток

iб.

поступаетна

T1 ,значит

T1 врежименасыщен.Аэтознач,чтоитя

 

Y= «0»

 

 

2)Пустьлюбойизвыходов

 

xi = т.е«0».заземле(

н),следовательно

весьток

iб.

пойдчерезпрямот

-смещеннбазовыйпереход.Врезультатейтранзистор

 

T1 врежим

е

отсечки.Аэтоэкв: валентно

Y = «1».

 

 

 

 

Исходяизэтихдвухусловийданнэлементыйпогичлняоп ескуют

 

 

ерацию И-

НЕ. Т.о.дляТТЛлогикиосн внымгическимэлеявляетсяентом

 

элемент И-НЕ.

 

 

Примечание:излогикиработыследует,чтоеслик

 

о входуникакогосигналане

 

 

подаётся,этоэквивалентнологическ«1»навходеэлемента. й

 

 

 

 

 

§2.6 Элементы ТТЛ сразными

выходнымикаскадами

ВпроцессеразвитияТТЛбылразработанцелыйнаборэлементов,предназначенный

 

длярешенияконкретныхзадачвцифровойэлектронике.

Общимдлянихявляетсяналичие

многоэмиттерноготра вхазис,а детличаютсяониазл памчными

и

выходныхкаскадов:

 

А)Элементсотколлекторомрытым:

 

R б

x1

xn

Исподляэ ьзуетсяементовиндикации,

общихшинвычислительныхсистеммонтажное( ИЛИ).

коллсоекторди няетсячерезвнешнсвязие

 

 

+E

 

Rб

 

x1

 

ОК

xn

1

T

 

Возьмем дваэлемента:

RН

Логический элемент1

47

+E

ОК

T1

элементовкоммуникации,длясозд

ания

Дляфункционированияэлемента

+Е. Напр,элементиндикации:ер

+300V

+E

 

100 мА

С повышенным

С повышенной

U

нагрузочной

способностью

 

Линия

Логический элемент2

Вэтомслучаелюбойизтранзисторов

, переводрежинасыщенимый

я,приводит

клогическому«0»в

линии(=>ИЛИ).

 

 

Б)Элементысосложнымвыходнымкаскадом:

Обесущественноепечиваютпреимущестпоотношениюкбазоэлементуво, му

поскоискраболькуючаютвыходранзисторувлиныхейнжиме..(вмов ент

переключенияс

одногоуровнянадругой

потреблениятокам

инимальны).

48

+E

2

Rб

 

 

R

R2

iб

1

 

 

 

1

T2

 

 

iб

 

2

x1

 

 

T1

1

 

 

 

i1

 

xn

 

 

 

D1

 

 

 

 

Y (выход )

1

МЭТ

T3

Принципработы:

 

 

 

 

 

 

 

 

1)Все xi

-

«1»т.е. (

Т1

врежименасыщения).

 

 

 

 

Врезультатеток

 

i1 потечет какпокнрисункеазано

. => Т3

- врежименасыщения,

 

Т 2 - врежимеотсечки(

 

 

напряжение базына

Т 2

ниже,чемнапряжение

эмиттерана

Т 2 ) =>

Y= «0».

 

 

 

 

 

 

 

 

2)Любой

xi

= 0 (т.е.

Т1

врежимеотсечки,

 

внегоидетток).

 

 

=> Т 2 - врежименасыщения,

Т3 - врежимеотсечки,знач т

Y= «1».

 

Т.о.общаялогикаработынеизменилась,транзисторы

 

 

 

Т 2 и Т3 помощ

ности

достаточны,чтобыработатьнаприемлемуюнагрузку.

Диод Т1

нужендлятого,чтобыисключитьситуации,когдатранзисторы

Т 2 и Т3

одновременнонаходятсярежименасыщения.

 

 

В)Элемен

тыстремя

состоянияминавыходе:

 

Расширители поИЛИ.

49

+E

А

x1

xn

У (выход)

 

В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вход Z - состояния

 

 

 

 

 

 

 

Внастоящеевремячастоиспользуются

 

 

 

 

вмикропроцессорнойвычислительной

технике.

Сихпомфощьюрмшвычиныруютсялительныхтройств

 

 

 

 

(путемперевода

Y входатретье,высокоимпед

ансное или z-состояние).Переводосуществляется

помощьюцепочки:

 

 

 

 

 

А

Вход Z - состояния

При Z =весь«0»токбудетнаправленвоВход«

Z – состояния»

транзисторы Т 2 и

Т3 всегбурежимедутаотсечки,что

эквивалентновысопротивлениюкому

Y-выхода.

Графичтакиэлеимеютсентыкиледующееизображение:

Х - вход

У - выход

ШД

 

Z - управление

Z = 0 У Z сост.

Z = 1 У − вобычномТТЛ

-режиме.

 

 

50

Спомощью такихэлементовсоздаются

устр,которыенйства

азываются шинными

формирователями.С ихпомомещьюжнаправлеятьопередачидан. ниеых

 

 

Шинныйформирователь:

 

 

 

А

 

1

В

 

 

 

 

 

 

 

 

Z – упр.

 

1

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пусть Z =то0,

2 – в Z -состоянии,а1

– вТТЛ -состоянии.Т.е

.передачаидетотАк

 

В.

 

 

 

 

 

 

Пусть Z =то1,

1 – в Z -состоянии,а2

– вТТЛ -состоянии.

ПередачаидетотВк

А.

РасширителипоИЛИ:

 

создаются,есликточкамАиВподключитьследующий

 

 

элемент:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+E

 

 

 

 

Rб

 

 

 

 

x1¢

 

 

 

А

 

 

¢

 

 

 

В

 

 

xn

 

 

 

 

 

Врезультатетакподключениягополучаем

 

следующеелогическоеустройство:

 

x1

& 1

 

 

 

 

 

xn

 

 

 

 

 

 

x1¢

&

 

 

 

 

 

¢

 

 

 

 

 

 

xn

 

 

 

 

 

 

 

А

 

 

 

 

 

 

В

 

 

 

 

 

 

 

 

§2.7 Ключинаполевыхтранзисторах

 

 

Важнымнаправлением

развитияцифровойэлектроникивляется

 

создание

логическихэлементов

 

набазеполевыхструктур.Д

ляэтихцелейбылииспользованы

 

следующие структуры: