8. Імпеданс тканин оранізму

Імпеданс – повний опір кола. Для клитин імпеданс - , для шкіри - . З формулу видно, що імпеданс залежить від частоти змінного струму. Така залежність дисперсія імпедансу. Вона сама по собі є діагностичним показником функціонального стану тканини. для використання дисперсії імпедансу в медицині використовують коефіцієнт поляризації (відношення значень імпедансів різних частот). . Коли то тканина мертва. Реографія – діагностичний метод, за допомогою якого реєструються зміни імпедансу тканин при їх кровонаповненні. Вона застосовується для діагностики різного роду судинних порушень головного мозку, кінцівок, легень, серця, печінки. Реографія сітківки ока – офтальмореографія. реографія поперечна – реографія кінцівок, прий якій електроди розташовуються на одному рівні відносно їх повздовжньої осі; використовується для оцінки функції кровоносних судин кінцівок. Реографія повздовжня – реографія кінцівки, прий якій електроди розташовуються по її повздовжній осі; використовується для оцінки функції кровоносних судин всієї кінцівки. реограму записують за допогою реографа, який складається з блока живлення, генератора струму високої частоти, підсилювача, записуючого пристрою і електродів. 

Основні положення реографії («рео» — течу, «графо» — пишу) наступні :

1) Зміна об’єму ділянки V пропорційна зміні її електричного опору R:

V~R. (3.6.6)

2) Зміну кровонаповнення органу (ділянки) можна знайти з рівняння нерозривності струменя для нестаціонарного потоку рідини, враховуючи об’ємну швидкість притоку Q_in(t) та відтоку Q_out(t) рідини для даної ділянки:

. (3.6.7)

3) Величина об’ємної швидкості рідини визначається рівнянням Гагена-Пуазейля:

, (3.6.8)

де Р(t) - зміна тиску, X(r, ) – гідравлічний опір, який залежить від радіуса судини r та в’язкості рідини .

При послідовному з’єднанні активного опору R і ємності С повний опір (імпеданс) дорівнює

, (3.6.2)

а при паралельному

– , де .

9. Власна і домішкова провідність

Є власна і домішкова провідність напівпровідникових матеріалів. Електропровідність чистих напівпровідників, у яких концентрація вільних електронів (n) і дірок (р) однакова, називають власною. Домішки створюють у напівпровідниках надлишкову кількість носіїв заряду — від’ємного (n–тип) або додатнього (р-тип). Тонкий шар напівпровідника , в якому має місце просторова зміна типу провідності від електронної до діркової, називається n-р переходом. В результаті цього в р-області залишаються негативно заряджені акцепторні атоми, а в n-області — позитивно заряджені донорні атоми. Оскільки ці атоми нерухомі, на межі n-р переходу виникає подвійний шар просторового електричного заряду, що називається запираючим шаром. Він створює контактне електричне поле Ек, що протидіє дифузії основних носіїв.

Струм через n-р перехід дорівнює нулю. Різницю потенціалів, якою характеризується контактне поле, називають висотою потенціального бар’єра. Зовнішнє електричне поле змінює висоту бар’єра. Електропровідність n-р переходу залежить від напрямку струму: в одному напрямку (прямому) вона велика, в іншому (зворотньому) — мала. Вільні електрони дифундують із n-області в р-область, де їх концентрація менша і там рекомбінують з дірками.