- •Электронный вариант конспекта по дисциплине «Техническая электроника»
- •Электропроводность полупроводников.
- •Собственная электропроводность п/п.
- •Основы квантовой статистики
- •Примесные п/п.
- •Электронно-дырочный переход
- •Физические процессы в симметричном р-n – переходе
- •Условия равновесия
- •Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе
- •Плотность диффузионного тока.
- •Плотность дрейфового тока. Дырочный ток.
- •Ширина запирающего слоя (зс)
- •Различные виды переходов Несимметричный переход
- •Контакт металл - п/п Контакт Ме – n-п/п
- •Контакт Ме – п/п p-типа
- •Пробой p-n-перехода.
- •Ёмкости p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды Устройство и классификация п/п диодов
- •Вах диода
- •Статические параметры диодов
- •Зависимость характеристики и параметров диодов от температуры
- •Выпрямительные диоды
- •Параметры вд
- •Параллельное соединение диодов
- •Последовательное включение диодов
- •Особенности германиевых и кремниевых вд
- •Импульсные диоды
- •Стабилитроны и стабисторы
- •Варикапы
- •Транзисторы
- •Биполярные транзисторы
- •Режимы работы.
- •Токи в транзисторе
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •Транзистор как чп
- •Параметры бт в схеме с об
- •Параметры бт в схеме оэ
- •Параметры бт в схеме с ок
- •Режим большого сигнала
- •Особенности транзисторов на вч при малых сигналах
- •Эквивалентная схема транзистора
- •Полевые транзисторы
- •Транзисторы, управляемые с помощью p-nперехода или барьера Шоттки
- •Пт с изолированным затвором.
- •Принцип работы пт с индуцированным каналом.
- •Пт со встроенным каналом.
- •Приборы с отрицательным сопротивлением
- •Туннельный диод
- •Токи в тд
- •Тиристоры
- •Динисторы. Переход п2 обычно считается коллекторным переходом. Динисторы можно рассматривать как два включённых навстречу друг другу транзистора.
- •Iвыкл III
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Фотоэлектронные приборы
- •Фотоэлемент
- •Светодиоды
- •Диод Устройство и принцип действия
- •Статические параметры диода
- •Предельные параметры диода
- •Устройство и принцип действия триодов
- •Статические параметры триода
- •Тетроды
- •Пентоды
- •Электронно-лучевые приборы
- •Принципы управления электронным лучом
- •Осциллографические трубки с электростатической фокусировкой и отклонением
- •Приложение 1: «Телевизоры на жк-панелях»
- •Шумы электронных приборов общие положения
- •Шумы транзисторов
- •Надежность электронных приборов
- •Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •Принципы усиления электрических сигналов
- •Точка покоя. Напряжение смещения
- •Работа уэ с нагрузкой. Динамические характеристики уравнение нагрузочного режима
- •Нагрузочные линии усилителя и их построение
- •Сквозная характеристика усилителя на биполярном транзисторе
- •Схемы подачи смещения на вход полевого транзистора
- •Режимы работы усилительных элементов
- •Резисторный каскад
- •Микроэлектронные приборы
- •Классификация интегральных микросхем
- •Методы изоляции элементов имс
- •Полупроводниковые интегральные микросхемы технология изготовления
- •Элементы имс на биполярных структурах
- •Технология создания имс на биполярных структурах
- •Элементы имс на мдп-структурах
- •Параметры пзс
- •Области применения пзс
- •Применение пзс в вычислительной технике
- •Использование пзс в устройствах связи
- •Глава 1. Исторический обзор развития микроэлектроники.
- •1.1. Основные направления развития электроники.
- •1.2. История развития микроэлектроники.
- •Глава 2. Общие сведения о полупроводниках
- •2.1. Полупроводники и их электрофизические свойства
- •2.2. Структура полупроводниковых кристаллов
- •2.3. Свободные носители зарядов в полупроводниках
- •2.4. Элементы зонной теории твердого тела.
- •Глава 3. Методы получения монокристаллов кремния
- •3.1. Метод Чохральского
- •3.2. Метод зонной плавки
- •Глава 4. Электронно-дырочный переход.
- •4.1. Образование p-n-перехода.
- •4.2. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •Глава 5. Биполярные и полевые транзисторы.
- •5.1. Структура биполярных транзисторов и принцип действия.
- •5.2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
- •5.4. Методы получения транзисторов.
- •Глава 6. Интегральные схемы.
- •6.1. Общие понятия.
- •6.2. Элементы биполярных полупроводниковых ис.
- •6.3. Элементы ис на мдп-структуре.
- •Глава 7. Большие интегральные схемы.
- •7.1. Общие положения.
- •Глава 8. Технологический процесс изготовления ис.
- •Глава 9. Гибридные интегральные схемы.
- •Глава 10. Методы обеспечения качества и надежности в процессе серийного производства ппи.
- •10.1. Общие понятия.
- •10.2. Система получения и использования информации при проведении работ по повышению надежности ппи.
- •10.3. Требования по обеспечению и контролю качества ис в процессе производства.
Основы квантовой статистики
Для того, чтобы описать расположение электронов в твёрдом теле, используется квантовая статистика Ферми – Дирака.
Основные положения квантовой статистики:
Частицы, находящиеся в твёрдом теле, неразличимы, т.е. обмен энергетическими состояниями между соседними электронами не меняет состояния всей системы;
Энергетический спектр дискретен. Это означает, что два соседних энергетических состояния могут различаться на весьма малую, но конечную величину;
Размер элементарной энергетической ячейки соответствует законам квантовой физики:
Изменение энергии связано с изменением одного из квантовых чисел;
Любое энергетическое состояние может быть занято лишь двумя частицами с разными спинами.
В п/п нас будет интересовать функция плотности энергетического состояния и функция плотности заполнения этих состояний частицами. Рассмотрим некоторую область пространства, энергии, которая содержит Zуровней (состояний). Попытаемся разместить в этой областиNчастиц. С учётом принципа ПаулиZдолжно быть больше или равноN. Учитывается и то, что частицы неразличимы.
Проведя определённые рассуждения, можно составить уравнения, решение которых даёт нам выражение для функции Ферми, определяющую плотность размещения частиц по состояниям.
F(w) = ф-я плотности заполнения
состояния частицами
W – энергия частицы
Wф - энергия Ферми
k – постоянная Больцмана
T – температура.
Wф– некоторый дискретный уровень энергии.
Предположим, чтоT . Функция изменяется:
W<Wф
Fкв(W)--1
W>Wф
Fкв(W)--0
W=Wф
Fкв(W)—0,5
С точки зрения физической энергия Ферми – это наивысшая энергия частицы, которую она может принимать в некоторой системе при Т=0.
С точки зрения статистики функция Fкв(W) – это вероятность замещения частицами состояния. Если энергия частицы меньше энергии Ферми, то вероятность будет равна 1. Вероятность замещения состояния с энергией, большей энергии уровня Ферми, равна 0.
Уровень Ферми– энергетическое состояние частицы, вероятность замещения которого равна 0,5.
Важной характеристикой энергетической системы является функция плотности энергетического состояния. Это закон изменения числа энергетических состояний за какой-то элементарный интервал времени в зависимости от расположения этого интервала на оси энергии.
Для открытых и закрытых энергетических зон эта функция имеет вид:
Расположение уровня Ферми в п/п.
В собственном п/п уровень Ферми располагается посреди запрещенной зоны. Кривая распределения (Fкв(W)) всегда симметрична относительно уровня Ферми. Положение уровня Ферми и значение функцииFкв(W) зависит от концентрации носителей и от температуры.
При Т=0 функция Ферми имеет ступенчатый характер. Вероятность занятия электронами уровней в зоне проводимости равна 0, а в валентной зоне эта же вероятность равна 1.
W
ЗП
Wс T>0
WФ
WВ T=0
ВЗ
0 0,5 1 Fкв(W)
При Т>0 появляется небольшая вероятность занятия электронами уровней в зоне проводимости, а вероятности занятия уровней в валентной зоне соответственно уменьшается на такую же величину. Из формулы Ферми видно, что при температуре, большей 0, уровень Ферми – это такой уровень, формальная вероятность занятия которого электронами равна 0,5. Формальная потому, что уровень Ферми находится в запрещённой зоне и не может быть занят электронами.
Реальный смысл имеют те участки, которые расположены в зоне проводимости и валентной зоне.
Вышеприведённые процессы (при Т>0) возможны при симметричном размещении кривой Fкв(W), только тогда, когда уровень Ферми находится посередине запрещённой зоны.