- •Электронный вариант конспекта по дисциплине «Техническая электроника»
- •Электропроводность полупроводников.
- •Собственная электропроводность п/п.
- •Основы квантовой статистики
- •Примесные п/п.
- •Электронно-дырочный переход
- •Физические процессы в симметричном р-n – переходе
- •Условия равновесия
- •Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе
- •Плотность диффузионного тока.
- •Плотность дрейфового тока. Дырочный ток.
- •Ширина запирающего слоя (зс)
- •Различные виды переходов Несимметричный переход
- •Контакт металл - п/п Контакт Ме – n-п/п
- •Контакт Ме – п/п p-типа
- •Пробой p-n-перехода.
- •Ёмкости p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды Устройство и классификация п/п диодов
- •Вах диода
- •Статические параметры диодов
- •Зависимость характеристики и параметров диодов от температуры
- •Выпрямительные диоды
- •Параметры вд
- •Параллельное соединение диодов
- •Последовательное включение диодов
- •Особенности германиевых и кремниевых вд
- •Импульсные диоды
- •Стабилитроны и стабисторы
- •Варикапы
- •Транзисторы
- •Биполярные транзисторы
- •Режимы работы.
- •Токи в транзисторе
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •Транзистор как чп
- •Параметры бт в схеме с об
- •Параметры бт в схеме оэ
- •Параметры бт в схеме с ок
- •Режим большого сигнала
- •Особенности транзисторов на вч при малых сигналах
- •Эквивалентная схема транзистора
- •Полевые транзисторы
- •Транзисторы, управляемые с помощью p-nперехода или барьера Шоттки
- •Пт с изолированным затвором.
- •Принцип работы пт с индуцированным каналом.
- •Пт со встроенным каналом.
- •Приборы с отрицательным сопротивлением
- •Туннельный диод
- •Токи в тд
- •Тиристоры
- •Динисторы. Переход п2 обычно считается коллекторным переходом. Динисторы можно рассматривать как два включённых навстречу друг другу транзистора.
- •Iвыкл III
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Фотоэлектронные приборы
- •Фотоэлемент
- •Светодиоды
- •Диод Устройство и принцип действия
- •Статические параметры диода
- •Предельные параметры диода
- •Устройство и принцип действия триодов
- •Статические параметры триода
- •Тетроды
- •Пентоды
- •Электронно-лучевые приборы
- •Принципы управления электронным лучом
- •Осциллографические трубки с электростатической фокусировкой и отклонением
- •Приложение 1: «Телевизоры на жк-панелях»
- •Шумы электронных приборов общие положения
- •Шумы транзисторов
- •Надежность электронных приборов
- •Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •Принципы усиления электрических сигналов
- •Точка покоя. Напряжение смещения
- •Работа уэ с нагрузкой. Динамические характеристики уравнение нагрузочного режима
- •Нагрузочные линии усилителя и их построение
- •Сквозная характеристика усилителя на биполярном транзисторе
- •Схемы подачи смещения на вход полевого транзистора
- •Режимы работы усилительных элементов
- •Резисторный каскад
- •Микроэлектронные приборы
- •Классификация интегральных микросхем
- •Методы изоляции элементов имс
- •Полупроводниковые интегральные микросхемы технология изготовления
- •Элементы имс на биполярных структурах
- •Технология создания имс на биполярных структурах
- •Элементы имс на мдп-структурах
- •Параметры пзс
- •Области применения пзс
- •Применение пзс в вычислительной технике
- •Использование пзс в устройствах связи
- •Глава 1. Исторический обзор развития микроэлектроники.
- •1.1. Основные направления развития электроники.
- •1.2. История развития микроэлектроники.
- •Глава 2. Общие сведения о полупроводниках
- •2.1. Полупроводники и их электрофизические свойства
- •2.2. Структура полупроводниковых кристаллов
- •2.3. Свободные носители зарядов в полупроводниках
- •2.4. Элементы зонной теории твердого тела.
- •Глава 3. Методы получения монокристаллов кремния
- •3.1. Метод Чохральского
- •3.2. Метод зонной плавки
- •Глава 4. Электронно-дырочный переход.
- •4.1. Образование p-n-перехода.
- •4.2. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •Глава 5. Биполярные и полевые транзисторы.
- •5.1. Структура биполярных транзисторов и принцип действия.
- •5.2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
- •5.4. Методы получения транзисторов.
- •Глава 6. Интегральные схемы.
- •6.1. Общие понятия.
- •6.2. Элементы биполярных полупроводниковых ис.
- •6.3. Элементы ис на мдп-структуре.
- •Глава 7. Большие интегральные схемы.
- •7.1. Общие положения.
- •Глава 8. Технологический процесс изготовления ис.
- •Глава 9. Гибридные интегральные схемы.
- •Глава 10. Методы обеспечения качества и надежности в процессе серийного производства ппи.
- •10.1. Общие понятия.
- •10.2. Система получения и использования информации при проведении работ по повышению надежности ппи.
- •10.3. Требования по обеспечению и контролю качества ис в процессе производства.
Пентоды
Устранение динатронного эффекта в пентоде происходит путём создания тормозящего поля между анодом и экранирующей сеткой с помощью специальной сетки, которая получила название защитной, илиантидинатроннойсетки. Для выполнения своей задачи – создания тормозящего поля для вторичных электронов, выбитых из анода, на защитную сетку обычно подаётся нулевой потенциал или реже небольшое постоянное напряжение, отрицательное или положительное, в зависимости от выполняемой лампой функции. Для того чтобы третья сетка не оказывала заметного влияния на скорость движения первичных электронов, проницаемость защитной сетки увеличивается.
Для первичных электронов, летящих к аноду с большой скоростью и обладающих большой энергией, защитная сетка не представляет заметного препятствия, но для вторичных электронов, вылетающих с анода с небольшой скоростью, поле защитной сетки является настолько тормозящим, что не позволяет им попасть на экранную сетку предотвращает динатронный эффект.
С3С2
С1
Статические параметры тетродов и пентодов:
Крутизна характеристики
S= ΔIА /Δ UC, приUА ,UС2,UС3=const
Внутреннее сопротивление
Ri = ΔUА/ΔIА,приUC1 ,UC2,UC3=const
Коэффициент усиления
μ= - ΔUА / Δ UC, приIА=const,UC1,UC3=const
Электронно-лучевые приборы
Электронно-лучевыми приборами называют электровакуумные приборы, в которых формируется сконцентрированный в виде луча электронный поток, управляемый электрическими сигналами. Эти приборы широко применяются в телевидении, осциллографии, радиолокации, вычислительной технике и т.д.
По видам преобразования существует несколько основных типов электронно-лучевых приборов:
приборы, преобразующие электрические сигналы в видимое изображение, – осциллографические трубки, приёмные телевизионные трубки;
приборы, преобразующие видимое изображение в электрические сигналы, – передающие телевизионные трубки;
приборы, преобразующие невидимые глазом изображения в видимые, – электронные микроскопы.
Принципы управления электронным лучом
Преобразование электрической энергии в видимое изображение происходит на экране соответствующих электронно-лучевых трубок. Экран представляет собой тонкий слой вещества, которое обладает способностью светиться под воздействием бомбардировки его поверхности электронами и называется люминофором.
В зависимости от энергии электронов, бомбардирующих экран, возможны следующие явления:
Вторичная эмиссия с экрана. Она произойдёт в том случае, если энергия электронов равна работе выхода вещества люминофора или больше её.
Возбуждение атомов люминофора. Оно происходит в случае, если энергия электронов меньше работы выхода вещества люминофора. При этом часть электронов из валентной зоны и примесных уровней вещества люминофора переходит в зону проводимости. Состояние возбуждения неустойчиво, т.к. при взаимодействии с ионами кристаллической решётки электроны, попавшие в зону проводимости, теряют полученную энергию и очень быстро возвращаются на прежние уровни. Электроны отдают в окружающее пространство ровно столько энергии (в виде электромагнитных волн), сколько они получили при возбуждении и переходе на более отдалённую от ядра орбиту. При создании люминофора добиваются, чтобы энергия излучения попала в спектр видимых глазом электромагнитных волн. Каждой длине волны этого излучения будет соответствовать и определённый цвет свечения экрана.
Для того, чтобы произошло возбуждение атомов люминофора, требуется значительная энергия
W=nqUa,
где q– заряд электрона,n– число электронов,U a- ускоряющее напряжение, действующее на электрон.
Для получения требуемой энергии ускоряющее напряжение должно быть не менее единиц – десятков киловольт.
Общее число электронов n, бомбардирующих экран, должно быть велико, т.е. требуется пучок электронов или электронный луч. Получение пучка электронов в электронно-лучевых трубках, как и в электронных лампах, происходит на основе термоэлектронной эмиссии. Бомбардировка экрана лучом тем эффективней и свечение точки на экране тем ярче, чем больше электронов сосредоточится на единице поверхности экрана. Следовательно, в электронно-лучевой трубке необходимо добиться минимально возможного сечения электронного луча. По аналогии с оптикой это явление называют фокусировкой луча.
Чтобы электронный луч вычерчивал на экране изображение, он должен перемещаться по экрану, поэтому в электронно-лучевой трубке необходима система отклонения луча по экрану.
Таким образом, трубка действует по таким принципам – создание потока заряженных частиц, управление этим потоком и, как результат, преобразование одного вида энергии в другой.
Управление электронным лучом в электронно-лучевых трубках гораздо сложнее, чем в лампах: кроме изменения тока луча, как в лампах, требуется ещё его фокусировка и отклонение. Для воздействия на луч с целью его фокусировки и отклонения используются либо электростатические, либо электромагнитные поля.