Розрахунок і конструювання мдн-транзисторів
Під час виготовлення польових транзисторів з ізольованим затвором в якості діелектрика і напівпровідників використовуються різноманітні матеріали. Вихідний матеріал – кремній n-типу, тип каналу – р-канал. Після прикладання до затвора негативного зміщення вільні електрони, які містяться в Si n-типу, витісняються з прилеглої до затвора області, і в ній утворюється збіднений шар. Після досягнення певного рівня збіднення збільшення зміщення затвора викликає притягання дірок в область каналу. Коли в області каналу збереться достатня кількість дірок, відбудеться інверсія типу провідності. При цьому дві дифузійні області р-типу будуть з’єднані одна з одною за допомогою інверсного шару з провідністю р-типу, який слугує каналом. Прикладаючи до затвора сигнал, можна модулювати кількість носіїв в області каналу так, що затвор, по суті, регулює струм.
Вихідними даними для розрахунку є:
UЗВ– допустима напруга затвор-витік – не менше Uзатв мах= 129,2 В
UC– напруга живлення стоку – 37 В
ІСφ– середній струм стоку – 40 мкА
ІСімп– імпульсний струм стоку – 4 мА
t – частота зміни інформації – 50 Гц
– опір МДН-транзистора:
Rоткр= 2∙103 Ом при Іроб=5 мА
Rзакр = 2∙109Ом
UВС– допустима напруга витік-стік – не менше 50 В
Свх – вхідна ємність – не більше 1,68 пФ
UП– порогова напруга – не більше 8 В
– тип каналу – р-канал
S – статична крутизна при Іс =4мВ, UСВ=6В не менше 0,6мА/В
Вибір питомого опору підкладки.Питомий опір підкладки n-типу вибирається таким, щоб забезпечити необхідну пробивну напругу стоку і витоку, зменшити глибину каналу, індукованого позитивним зарядом, вбудованого в тонкий підзатворний окисел. У випадку високого питомого опору ρ >1 Ом∙см порогова напруга переважно визначається зарядом поверхневих станів, при ρ> 10 Ом∙см порогова напруга сильно залежить від об’ємного питомого опору, і навіть теоретично стає більшою 6 В. Тому здебільшого використовують кремній з питомим опором, рівним 1…10 Ом∙см. Якщо ρ = 7 Ом∙см напруга пробою р-n переходу стоку (стік-підкладка) може бути отримана рівною 150..200 В, в залежності від конфігурації р-n переходу.
Вибір товщини діелектрика під затвор.Пробивна напруга затвор-підкладка (і, відповідно, максимальна робоча напруга на затворі Uзатв.мах) і крутизна вольт-амперної характеристики МДН-транзистора визначається товщиною двоокису кремнію SiO2під затвором. Якщо товщина підзатворного діелектрика збільшується, пробивна напруга зростає, а крутизна – падає. Оптимальною є товщина = 1000…2000 Å. Для розрахунку приймемо товщину δ = 1700 Å. Тоді
Uзатв.пр.= δ∙ЕSiO2(1)
де ЕSiO2=7 МВ/см – напруженість в діелектрику і Uзатв~129,2 В.
Питома ємність діелектрика над каналом СОмає значення
(2)
і С0=3,159∙10-4Ф/м2, де=7– діелектрична проникливість SiO2.
Розрахунок порогової напруги.Порогова напруга – це напруга на затворі при якій скомпенсовані заряди поверхневих станів і збідненого шару, а на поверхні утворений потенціал величиною 2φВ
(3)
2φВ– вигин зон поверхні шару об’ємного заряду, при якому концентрація рухомих дірок у каналі перевищує концентрацію електронів і іонізованих донорів.
(4)
де – концентрація донорів(м-3), ni – концентрація електронів у власному н/п в умовах термодинамічної рівноваги (м-3); φB= 0,334 В; Фм-nn– контактна різниця потенціалів матеріалу затвора і матеріалу напівпровідника, за даними, Фм-nn= 0,6 В,
Qфікс– заряд поверхневих станів на межі розділу Si–SiO2. Qфікс= 6,7∙10-5Кл/м2; Qоб– об’ємний заряд
(5)
Qоб= 4,061∙10-5Кл/м2
С0= 3,159∙10-4Ф/м2Nq = 23тоді Uпор= 0,927 В
Проте величини отримані в реальних приладах вищі через неможливість дотримання всіх теоретичних передумов, зокрема, створення досить чистих поверхонь напівпровідника і підзатворного діелектрика.
Розрахунок відношення b/l.Геометричні розміри каналу визначаються необхідністю отримання потрібної питомої крутизни β МДН-транзистора:
(6)
де μPSі– рухливість дірок,b – ширина каналу, l – довжина каналу.
статична крутизна визначається в області насичення:
(7)
струм стоку ІСв області насичення пропорційний до квадрата порогової напруги
. (8)
Тоді
(9)
Для забезпечення статичної крутизни gm, питома крутизна β, і, відповідно,b/l, визначаються так:
. (10)
Тоді
, (11)
тобто
Тоді, якщо gm= 3 мА/В і ІС=5мА, β =9∙10-4А/В2
Відношення b/l, яке визначає геометричні розміри каналу
. (12)
При β = 9∙10-4А/В2
Со=3,442∙10-4Ф/м2
μPSі= 210∙10-4м2/(В∙с) b/l70
При gm=0,5 мА/В, ІС=4 мА відношення b/l5.
Якщо довжина каналу l = 15 мкм, ширина каналу b1=3840 мкм, b2=400 мкм.
Якщо довжина каналу l = 12 мкм, ширина каналу b1=2160 мкм, b2=600 мкм.
Розрахунок вхідної ємності.Вхідна ємність – це ємність плоского конденсатора з площею пластин, рівною площі затвора.
Свх=С0∙b∙l (13)
Свх=1,68пФ при b/l = 70
Свх=0,86пФ при b/l =5