- •Конспект з дисципліни: «Електроніка та мікросхемотехніка»
- •Фізичні основи побудови напівпровідникових приладів. Електрофізичні властивості напівпровідників.
- •Енергетичні діаграми для провідників, напівпровідників, діелектриків.
- •Провідність напівпровідників
- •Властивості напівпровідникових матеріалів
- •Електронно-дірковий перехід, фізичні властивості
- •Властивості p-n переходів
- •Електронно-дірковий перехід при прикладені напруги зворотної полярності
- •P-n перехід при прикладені напруги прямої полярності
- •Температурна залежність вах p-n переходів
- •Порівняльна характеристика Si I Ge p-n переходів
- •Напівпровідникові діоди
- •Основні електричні параметри діодів
- •Спеціальні типи діодів
- •Системи позначень напівпровідникових діодів
- •Переходи метал – напівпровідник (мнп)
- •Активні напівпровідникові елементи. Біполярні транзистори
- •Основні режими роботи транзистора
- •Технологія виготовлення транзисторів
- •Основні параметри транзисторів
- •Системи позначень
- •Умова підсилення
- •Схеми ввімкнення транзисторів
- •Приблизні параметри активних схем ввімкнення
- •Статичні вах біполярних транзисторів
- •Транзистор як активний чотирьохполюсник
- •Уніполярні, або польові транзистори
- •Основні переваги
- •Вах польового транзистора
- •Польові транзистори з ізольованим заслоном
- •Інші підсилювальні структури
- •Бт з ізольованим заслоном
- •Тиристор (т)
- •Параметри тиристора
- •Технологія виготовлення інтегральних мікросхем
- •Стадії пленарно – дифузійної технологі
- •Семотехніка електронних пристроїв Електронні підсилювачі для пристроїв автоматики
- •Класифікація
- •Основні характеристики підсилювачів
- •Частотна і фазова характеристика підсилювачів
- •Складений транзистор (схема Дарвінгтона)
- •Аналогові мікросхеми (ам)
- •Класифікація ам
- •Операційні підсилювачі
- •Структурні схеми оп
- •Диференційні каскади підсилення
- •Балансні, або мостові схеми
- •Операційні підсилювачі. Структурні схеми оп. Основні характеристики оп
- •Позначення оп
Системи позначень напівпровідникових діодів
В позначені є кілька букв і цифр по яких можна визначити матеріал з якого зроблений прилад і приблизно оцінити область його застосування.
Цифра, або буква, означає матеріал з якого виготовлений прилад.
Г або 1 – Германій і його сполуки
К або 2 – Кремній, або сполука
А або 3 – Галій і його сполуки
М або 4 – Індій і сполуки
Буква – це загально - промислового застосування, цифра спеціальне застосування
2.Буква
Д – діод випростувальний, імпульсний, або магнітний
Ц – випростувальний стовпчик, або блок – це кілька діодів, з’єднані певною схемою (мостова схема)
С – стабілітрони, стабістори і обмежувачі напруги
Л – випромінюючий діод (світлодіод)
О – оптрони
Н – діодні тиристори
У – тріодний тиристор
3.Найбільш характерний признак (цифра)
Для Д:
1 – випростуюючий діод струмом < 0.3 А
2 – випростуюючий ділд струмом < 0.3 – 10 А
3 – магнітодіод
4 - 9 – імпульсні діоди з різною швидкодією
Для Ц:
1 – Стовпчик І < 0.3 А
2 – стовпчик І < 0.3 А
3 – блок І < 0.3 А
4 – блок 0.3 < I < 10 А
Для С:
1 – 9 – означає напругу стабілізації і розсіювану потужність
Для Н:
1 – діодний тиристор І < 0.3 А
2 – діодний тиристор 0.3 < I < 10 А
Для У:
Тріодні тиристори без можливості закривання по входу.
1 – I < 0.3 А
2 – 0.3 < I < 10 А
7 – І > 10 А
Тріодні тиристори з можливістю закривання по входу
_ ,, _
Симетричні тиристори
_ ,, _
4.Дві, або три цифри – порядковий номер розробки
01 – 99
101 – 990
При цьому можна остаточно знайти довідковий матеріал і дані.
5.Класифікаційна буква (крім тих які схожі на цифри 0, 3, 4, І)
Нею визначають нормування по певному параметру.
Приклади:
КЦ407А – кремнієвий випростувальний блок загального застосування на струм від 0.3 до 10 А. Порядковий номер розробки 07, класифікаційна літера по найвищому параметру А
2Д908Б – кремнієвий імпульсний діод спеціального призначення (9 - швидкодія) порядковий номер розробки 08, класифікаційна літера по найважливішому параметру Б
У світі є три системи
Американська JEDEK – три елементи позначення системи
1.Цифра
1 – діод
2 – транзистор
3 – тиристор
2.Буква N
3. Серійний номер
Приклад: 1N4007
2N5551
Японська система JIS
1.Цифра
0 – фотодіод, фототранзистор
1 – діод
2 – транзистор
3 – тиристор
2.Буква S
3.Буква – тип приладу
4.Цифра, яка визначає реєстраційний номер (як правило реєстраційна цифра)
5.Буква – це різні параметри для одного і того самого приладу.
Переходи метал – напівпровідник (мнп)
В сучасній електроніці широко застосовуються переходи МНП, їх ще називають переходами Шоткі (бар’єром Шоткі).
Процеси в таких переходах залежать від роботи виходу електронів, тобто від енергії, яку має затратити електрон, щоб вийти з НП, або М. Чим менше значення роботи виходу, тим більше електронів може вийти з даного матеріалу.
Якщо АМ < АНП, то переважає вихід з металу в НП. Для НП n-типу, то в НП буде ще більше основних носіїв.
Шар збагачується основними носіями і його опір малим при будь якій полярності. Такий перехід називається не випрямляючим контактом.
Аналогічно буде якщо АМ > АНП для НП p-типу – буде більше дірок.
Якщо АМ > АНП для НП n-типу, то утвориться область збіднення на основі носіїв, електрони з НП підуть в М, утвориться потенціальний бар’єр, висота цього бар’єру буде залежати від прикладеної напруги. Він має властивість проводити струм тільки в одному напрямку, такий бар’єр називають Шоткі.
Його особливість є те що в процесах приймають участь носії тільки одного типу, при цьому відсутні процеси накопичення і розсмоктування неосновних носіїв.
Для них властива висока швидкодія і мале падіння напруги при проходженні прямого струму.
Недоліком є те що UBR не перевищує 60 В. Вони широко застосовуються в імпульсних схемах.