Условные графические обозначения компонентов электронных схем.

-(отношение сторон 4 к 10) электрическое сопротивление (резистор). Обозначается – R, выражается (Ом).

На схеме - это сопротивление, а физический предмет (деталь), создающий электрическое сопротивление - резистор.

-переменный резистор

.

-подстроечный резистор

-терморезистор.

-электрический конденсатор С (ф)



-полярный конденсатор

-индуктивность L (катушка - элемент, который создает индуктивность).

Конденсатор - емкость для электрических зарядов.

R(Ом); C(Ф); L(Гн)

-индуктивность сердечника.

-трансформатор - устройство, которое предназначено для преобразования одной величины тока в другую с одинаковой частотой.

-источник напряжения, источник ЕДС.

-диод.

-диод стабилитрон.

-управляемый диод

-светоизлучающий диод.

-биполярный транзистор.

-полевой транзистор.

-измерительный прибор.

-стрелочный измерительный прибор.

Α

-амперметр.

-вольтметр.

-ваттметр.

Последовательное соединение.

R1 R2 R3

Rэ=R1+R2+R3

Параллельное соединение.

R1 Rэ= R1*R2/ R1+R2

R2

Если величина R одинакова, то для параллельного соединения имеем формулу:

Rэ= R/ n,

где n -количество сопротивлений.

Параметры электрических сигналов.

Синусоидальный сигнал.

Т-период (произошел полный цикл изменений)

f = 1/T частота (Гц),

Действующие значение синусоидального сигнала U=Umax/2

Трапециидальный сигнал

Треугольный сигнал

Пилообразный сигнал

Прямоугольный сигнал или

видео импульс

- время импульса

-время фронта

-время спада

-время вершин

Гост16263-70 “Государственная система обеспечения единства измерений” Метрология “Термины и определения”

Скважность Q - это отношение периода следования прямоугольных импульсов к длительности самого импульса

Импульс считается прямоугольным, если его вершина по длительности составляет не менее 0.7 от длительности самого импульса.

В/ и =1 0,7

Если соотношение меньше, то импульс может превратится в трапецеидальный или треугольный.

Полупроводники и их свойства.

К полупроводникам относят: кремний, германий, индий, фосфор, оксиды, сульфиды и ряд минералов.

Полупроводники бывают кристаллические, аморфные и жидкие. Полупроводники не очень хорошо проводят ток.

В полупроводниковой электронике используют кристаллы.

Основные особенности полупроводников: возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры.

G-проводиьость (См)

Электропроводимость полупроводников зависит от: нагревания, облучения (любого, даже освещения ),электрического и магнитного полей, давления ,ускорения, от незначительного количества примеси.

Собственный полупроводник- это вещество, в котором не содержится примеси и нет структурных нарушений кристаллической решетки. (В нем при 0 К- электрический ток отсутствует.)

Процесс образования дырок.

При повышении температуры или при другом воздействии (см. выше) часть ковалентных связей может быть разорвана и валентные электроны, став свободными, могут уйти от своего атома. Потеря электрона превращает атом в положительный ион. В связях, в том месте где он был ,образуется “вакантное” место -дырка.

Заряд дырки положительный и по значению равен заряду электрона. Дырку может заполнить валентный электрон соседнего атома, на месте которого, в ковалентной связи образуется новая дырка. Таким образом, дырки перемещаются в противоположную электронам сторону. При этом следует иметь ввиду, что в кристаллической решетке атомы жестко закреплены в узлах. Если внешнее электрическое поле отсутствует, то электроны проводимости совершают хаотическое движение. И только лишь под воздействием внешнего поля, движение электронов и дырок приобретает преимущественное направление ,а это ничто иное как электрический ток.

Электроны движутся против направления электрического тока, а дырки по направлению (электрический ток движется от большего к меньшему потенциалу)

Определение: Электропроводность собственного полупроводника, возникающая за счет нарушения ковалентных связей называется собственной электрической проводностью.

Процесс образования пары электрон проводимости - дырка проводимости называется генерацией пар носителей зарядов.

Если дырка заполняется электроном, электрон станет не свободным и потеряет возможность перемещаться. А избыточный положительный заряд иона атома окажется нейтрализованным .При этом для внешнего поля одновременно исчезает и дырка и электрон .

Процесс воссоединения электрона и дырки называется рекомбинацией.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ: Среднее время существования пары носителей зарядов, называется временем жизни носителей зарядов.

При отсутствии внешних воздействий и постоянной температуры полупроводник находится в состоянии равновесия ,т.е. число генерированных пар носителей заряда равно числу рекомбинаций.

Числу носителей заряда в единице объема полупроводника, т.е. их концентрация, определяет значение удельной электрической проводимости.

Для собственных полупроводников концентрация электронов и дырок одинакова.