Добавил:

Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

ЭЛЕКТРОНИКА(КАРТОЧКИ)

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

10.06.2015

Размер:

2.02 Mб

Скачать

☆

1 / 21 2 > Следующая >>>

Свойства материалов электронной техники

Функциональные

магнитные

электрические

оптические

механические

Физ-химические

тепловые

Ход петли

Уд. сопротивл. ρ

Цвет

Отн. удлинение

Водопоглощаемость

t плавл.

при растяжении

гистерезиса

Прозрачность

t размягч.

Магнитная

Уд. проводим.σ

Пропускание

Предел прочн.

Гигроскопичность

Теплопроводность

проницаемость

Поглощение

при стат. изгибе

Коэф-т теплопровод.

Отражение

Магнитная

Диэлектр.

Закон

Прочность

Влагопроницаемость

ТКl -темп.коэф.

восприимч.

прониц.

преломления

линейного расширения

Остаточная

Диэлек.воспр.

Закон полного

Упругость

Тропикостойкость

ТКρ -темп.коэф.

индукция

вн. отражения

удел.сопротивления

Коэрцитивная

Диэлектр.потери

Налетоопасность

Ударная

Химостойкость

ТКR- темп.коэф.

сила

tg δ угла….

вязкость

сопротивления

Т Кюри

Элект. прочность

Пятнаемость

Хрупкость

Кислотное число

Нагревостойкость

Магн.индукция

Напряженность

Лучевая прочн.

Пластичность

Растворимость

Холодостойкость

ЭП

Напряжен.МП

Волновое сопрот.

Опт.дисперсия

Предел упруг.

Радиац.стойкость

Теплостойкость

Коэф. затухания

Мутность

Пред. текучести

Дисперсность

t вспышки

Коэффициент

Глянец

Пред. прочности

Адгезия

t воспламенения

фазы

Скорость

Бессвильность

Выносливость

Звукопоглощение

Стойкость к термоуд.

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ

распростран.ЭМВ

(способность к обработке)

-растворимость

Глубина проникн.

Усталость

Огнестойкость

ПОТРЕБИТЕЛЬСКИЕ

-свариваемость

-экономические

-паяемость

Остат.поляриз.

Жесткость

Коррозийн.стойкость

-экологические

-адгезионная способность

-гигиенические

-деформируемость

Коэрц.сила

Твердость

-эстетические

σ =

= qNµ =

qNvэ

(Cм / м)

G2 − G1

ε аµ а

[1 м]

w =

100%

α = ω

(

1+ tg 2 δ −1

J м

а( р2 − р1 )S t

аµ

[

]

χ =

− 1 = µ −1

β = ω

( 1 + tg

П =

δ + 1 1

Н VH µ0 H

sin α

α = β = π f µ a σ [1 м]

= n

χ э

= ε −1 = P/ Е

sin β

[м

]

пр

n =

V =

Eпр

[м

]

l1 − l0

l − l0

V =

2ω

= 2

π f

ТКl

l p =

100%

µa σ

l0 (t1 − t0 )

[м]

1 dρ

α =

ТКρ =

b h

ρ dT

F0.05

Z c

ТК

= ТК

− ТК

p упр

= F0,2

α cos δ

[

]

Q h

εα

Ом

λ =

тек

Sτ(t2 − t1 )

Fmax

= 120π =

µ0

= 376.9911 Ом

p p =

ε0

l =

l p

tgδ =

Eю

ωε α

µ =

µa

= 1 + χ

1.5 F L

pи =

µ0 H

µ0

0,2%

b h2

ε =

εa

0,05%

pупр

pтек pр

ε0

Вещество:Жидкое-Газообразное -Твердое

	Кристаллическое		Аморфное
	А) Поликристаллическое
	Б) Монокристаллическое
		К	Г
	Виды хим. связей
1.	Молекулярная	В узлах КР находятся
2.	Водородная	В узлах КР находятся
2.	Водородная
3.	Ионная	А)нейтральные атомы
3.	Ионная
4.	Ковалентная	Б) чередующиеся + и -
4.	Ковалентная
5.	Металлическая	заряженные ионы
5.	Металлическая
		В) + ионы, в промежутках
		между которыми, находятся
		свободные электроны
		Г) молекулы (диполи)
		Г) молекулы (диполи)		1
				1

Диэлектрики

Активные – служат для преобразования эл. сигналов, генерации, усиления, модуляции и т.д., управляемые…

А) ЭП -сегнетоэлектрики

Б) мех. усилием - пьезоэлектрики (прямой)

В) мех. усилием + ЭП - пьезоэлектрики (обр.)

Г) тепломпироэлектрики
Д) электреты-диэл., у которых
избыточный заряд
сохраняется длительное t.
Могут служить
источниками ЭП.	4
	4

С) Изотропность- с-ва среды во всех направлениях 2
одинаковы
Д) Анизотропность-св-ва различны
Z	[001]
	(001)
X	Y
		А
	? W=1.12 эВ	B
	? W=1.12 эВ	? W=6 эВ
		? W=6 эВ
		С
1	2	3
Постулат Н. Бора -атом излучает или поглощает
W только при переходе из одного стационарного
состояния в другое.
Гипотеза М.Планка – W электронов в атоме
может принимать опр. дискретные значения,
изменения энергий может происходить только
скачкообразно.
Принцип Паули: на одном энергетическом
уровне может находиться не более 2-х
электронов, с противоположными спинами.
		5

			Дефекты КР
	Постоянные					Временные
Точечные			Протяженные				ЭМП
Точечные			Протяженные				Мех.	возд.
							Мех.	возд.
по Шоттки			Объемные				Тепл. возд.
по Шоттки							Тепл. возд.
			Поверхностные
			Линейные				Дислокация
							Дислокация
							С)Винтовая
по Френкелю							Д) Краевая
по Френкелю
				1		2
Примесные
А) внедрения								3
Б) замещения								3
Б) замещения
						W (эВ) e
1)	ni = pi		= N ехр −			2kT
1)						2kT
	WFi =		W	3kT		m p
2)	WFi =		−		ln
2)			2	4 е		mn
	pn	ni2					nn	= N d
3)	pn	=
3)		nn
4)		WFn	W	−	kT	nn
4)		WFn	=	−		ln
			2		e	ni
5) n p		n	2
		=	i				p p = N a
		=					p p = N a
		p p
6) WFp =			W	kT		p p
6) WFp =			+		ln	ni		6
			2	e		ni		6

Диэлектрики

Пассивные

Электроизоляционные и конденсаторные

Газы		Волокнистые

Масла нефт.		Стекла

Синт.жид. диэл.		Ситаллы

Полимеры		Керамика

Лаки		Слюда

Компаунды		Слоист. Пласт.

Пластмассы		Эластомеры

		Проводники
	1 рода	Проводники	2 рода
	1 рода		2 рода

Металлы высокой			Электролиты
проводимости
Cu, Al, Fe
Латунь
Бронза
Дюралюмин
Сталь (С<2%) Чугун

Сплавы высокого сопротивления

манганин, константан,

нихромы (Fe-Ni-Cr), фехраль (Fe-Cr-Al),

Ме и сплавы разл.назн.
W, Mo,
Au, Ag,
припои,
флюсы,
контактные мат.	10



МММ:Больш. µначи µmax		МТМ:
Легко намагн. и размаг.		Обладают большой Br
Малые Ргистерезис		Трудно намагничив.,
Чем чище МММ, тем		но долго сохраняют W
лучше его магн. характ.		Широкая петля
Узкая петля гистерезиса		гистерезиса
			8

	Нс	Нс

;n, ;p	µ	N<N/<N//
#n/е, ;р/е	µ	N

= r	/ E	1	N// Т
v

=µ E

vnдр=−µnE

pдр

kTµ

D p =

kTµp

= D p τ p

= D

σn = nn eµ n + pn eµ p

σ p = p

+ n

= eD

= −eD

nдиф

n dx

pдиф

τn =

jдр

= σЕ

d ( n)

Сверхпроводящие металлы и сплавы

Неметаллические

Hg, Al, Pb, Nb, V3Ga, Nb3Sn

проводящие

материалы

В,

Тл

0,2

Контактолы

Оксидные

Токопроводящие

проводящие

0,1

клеи, краски,

материалы

покрытия, эмали

SnO2

In2O3

4 6 8

Т, К

Керметы

Проводящие

ρ 1

Сr-SiO

модификации

ТК ρ<0

углерода

Графит

Антрацит

Пиролитический C

Сажа

Стеклоуглерод и др.

11 хиральность

Резистором называется компонент РЭА, предназначенный

Если i=Im sin ωt, то UR=RIm sin ωt

для регулирования и распределения электрической энергии

между цепями и элементами схем.

Uпред = РномRном

МЛТ

— 2

2К7

В %

Букв.

лат

Эквивалентное сопротивление

1) 1/Rэ=1/R1+1/R2+1/R3+1/Rn

7К5М

± 0,001

2) Rэ=R1+R2+R3+…+Rn

± 0,002

1002

± 0,005

± 0,01

± 0,02

± 0,05

± 0,1

R1 R2

± 0,25

± 0,5

± 1

± 2

± 5

J, I

± 10

± 20

± 30

β =

rдиф

Кф

Rном

R/Rп

ρs

Кф<1

Uвх

α/αп

10>Kф>1

50>Kф>10

ТКС =	(R2 − R1)		−1
			(град	)
	R1(t2	− t1)

ТКС ±100 ppm/0C = ±100·10–6 1/0C.

Температурный коэффициент сопротивления -Положит.

-Отрицат.

			Частотная характеристика									7
			1									7
			0,8								PbSe
			0,8
			0,6					CdS		PbS





			0,4

	I, мА Ф2=0,2 лм
	I, мА Ф2=0,2 лм
40			0,2								f, кГц
40					10
30			0		10				102	103	104
30
20
20		Ф=0 лм		1
				1
10				0,8
10				0,8
				0,6
5 10 15 20 25			U, В	0,4			CdSe			PbSe
5 10 15 20 25				0,2			CdSe		PbS	PbSe
						CdS			PbS
						CdS
				1				2 3		4 λ, мкм
	ВЧ		Rномдо…					f до …..
	ВМ/Ом		Rном=…
	ВВ		Uраб=….					Rном=…

Тензорорезистор R=f(р)

МР –эффект Гаусса R=f(…,Тл)или f(…,А/м)

Конденсатор- элемент РЭА, обладающий

- +

Если Uс=Um sin ωt, то i=ωCUm cos ωt

- +

способностью накапливать энергию ЭП.

-q

- +

(Кл)

εε

А)

К10—12

C =

(Ф)

П120

33 ±10

U (В)

250В

= X C [Ом]

Q=1/ tgδ

ωC

Н90

ТКЕ

Б)

б)

60Н

100

P100Е

Z =

ωC

U, В

код

ITT

± 0,001

МП0

NP0

± 0,002

Эквивалентная емкость

1,6

± 0,005

1) 1/Сэ= 1/С1+1/С2+1/С3+…+1/Сn

2,5

В)

МL

N075

3,2

± 0,01

Сэ= С1+С2+С3+…+Сn

4,0

150

N150

± 0,02

Хс=Хс1+Хс2+…+Х сn

220

N220

6,3

330

N330

± 0,05

4) 1/XС= 1/ XС 1+1/ XС 2+…+1/ XС n

470

КодU

N470

750

N750

± 0,1

Г)

1500

VА

N1500

N2200

± 0,25

2200

3300

N3300

± 0,5

Y5P

± 1

± 2

0.1 мкФ 0.2 мкФ

CU 2

Д) W =

± 5

РЕF

100

± 10

125

± 20

Uп=30

С2 − С1

160

= 2πfL

Ж) ТКЕ = С1 (t2Т − t1 )

1/ град

200

± 30

Е)

250

+50…-10

Варикапполупроводниковый

peз

2πfC

М-

315

П-

+50…-20

(p-n-переход) конденсатор,

350

400

+80…-20

емкость которого зависит от Uобр

МП0-

ТСЕ =

450

+30…-10

И)

100%

Н10-

500

+100…-10

С, пФ

С200 С

С гибридных ИС

S = Cном = l b

Сном = ε ε0 S

Демпфер

Фильтр

Энергонакопитель

Цвет		Номинал		Множ.	Допуск	ТКЕ

Серебряный				10-2	±10%			3
								3
Золотой				10-1	±5%		Uобр
							Uобр
Черный		0	0	1	-	±250

Коричневый	1	1	1	10	±1%	±100

Красный	2	2	2	102	±2%	±50

Оранжевый	3	3	3	103	-	±15

Желтый	4	4	4	104	-	±25

Зеленый	5	5	5	105	±0,5%	±20

Голубой	6	6	6	106	±0,25%	±10

Фиолетовый	7	7	7	107	±0,1%	±5

Серый	8	8	8	108	-	±1			5

Белый	9	9	9	109	-	-
Белый	9	9	9	109	-	-

Вариконд-нелинейный С с диэлектриком из сегнетокерамики.

Изменение емкости происходит за счет изменения ε под действием Е и t.

2ε *10-4

1
			Е, кВ/м
2	4	6	Схема колебательного контура для
			Схема колебательного контура для

Точка Кюри –сегнетоэлектрические	управления………………………
Точка Кюри –сегнетоэлектрические
св-ва ………………………..

Если i(t) = I m sin(ωt + ϕ), то

uL (t) = LI m ω cos(ωt + ϕ)

[

]

Б) L =

Lω =

А) L =

X L Ом

∑ i

∑

i =1

А)

Б)

L2>L1

i =1

U = U m ;

I = I m

Цветовзнакая маркировка1 2

индуктивностей

ω U m = Z I m = I m

R + X L

Множитель0,01

Допуск10%

Если Ф=Фm sinωt, то

0,1

ξ = −w dФ = −wФm ωsin(ωt + π / 2)

А)

Б)

В)

Г)

Гн

20%

Ферритовые сердечники

расный

100

ЭДС…………………

Цвет

1000мк

от Ф-………………..

ЭДС в катушке……………………………..

Серебрян

З лотой

ξ = ξm = Фm w 2πf

= 4.44wfФ

= 4.44wfB

Чо

А)

Б)

ичнев

ξинд = −

Ф w

Если w2>w1 Тр-р

Автотрансформатор

Оранжевый

Гн

_______________

ЭДС индукции

Если w2<w1 Тр-р

ξинд = Вlv

Желтый

ЭДС самоиндукции

_______________

Зе еный

ξинд = −L dI = − dψ

а)

б)

PAT

= 1− w2

ψ = wФ − потокосцепление

PЭТ

Ф = BS = BS cos α

Ф =

ξ2 = w2 = k = I1

Rc + Rз

Rm − сопротивление магнитной цепи

ξ1

I 2

Rсердечника

;

Rзазора возд.

а)

µµ0 S

µ0 S

б)

η =

Р2

1 −

dФ

Индуктивность

Р2 + Р

L = w

= −ξ

Р1

I1 =

I 2

>> 1

U 2 =

U1 ,

<< 1

Lc = c L

Трансформатор преобразует величину …….. без изменения ……………………

Энергия МП

Индуктивность

Трансформатор гальванической

W = ФI = LI

= Ф

L = 2l(ln 4l −1) 10−3

развязки пропускает сигнал

неизменным. Используется для

предотвращения поражения I.

Q Добротность

Q =

X L

ωL

L = L0 w2 D 10−3

Дроссели ВЧ служат для разделения

постоянного и переменного токов или

токов разных частот), обладающие

высоким R I~ и малым R I=.

w2 Sµa

Контурные катушки- используются

L =

20 совместно с конденсаторами для

получения резонансных контуров

r = rп + rд + rс + rэ

Вариометры L=f(U) Они состоят из двух

k =

L, соединенных последовательно. Одна из

L1L2

катушек неподвижная (статор), другая

располагается внутри первой и вращается

(ротор).

ТКL

L = L1 + L2 ± 2М

Катушки связи

передают

Температурный коэффициент индуктивности

электромагнитную энергию от одних

элементов схемы к другим.

Катушка индуктивности-РЭ, способный накапливать и излучать энергию МП, ЭМВ,

исп. для построения цепей с f-зависимыми св-ми.

Выпрямительные и импульсные диоды

1) Анод (…………………..)

3) Катод (……………………...)

4) Р-область: основные

6)Р-N-переход гетеропереход

переход Ме-п/п

5) N-область: основные

носители-

Si(р)- Si(n)

GeGaAs

Ме-Р, Ме-N

носители- nn=Nd

ni2

Неосновные носители-

Выпрямляющий

Выпр. Омич.(н/в)

Неосновные носители-

Основа: IV вал. Ge и Si

Wм > Wp.

Основа: IV вал. Ge и Si

np =

(ковалентная хим.св.)

Wм < Wn

(ковалентная хим.св.)

Примеси III вал. (В,Al,Ga,In)

Примеси: V вал. (P,As,Sb,Bi)

Основа: GaAs -АIIIBV

(ковалентно-ионная хим.св.)

Примеси: II вал.(Ве,Mg,Zn,Cd)

Примеси: VI вал.(Sе,S,Te)

Акцепторные

Донорные Nd

11) Образование свободных

21)

W(Т) = β – αТ

электр. и дырокгенерация

(эВ)

12) Исчезновение пары

22)

Na Nd

23)

носителей заряда (нейтрал.)-

ϕк0 =

ϕ = ϕk0 −U

рекомбинация

13) Диффузионное движение

24)

2ε0 ε Δϕ

Na + Nd

δ = δ p + δn =

основных носителей под

действием разности (градиента)

Na Nd

концентраций – инжекция

25)

Nд

14) Дрейфовое движение

δ; δ

неосновных носителей под

Энергетическая диаграмма p-n-перехода в

Nд + Na

действием электрического поля

состоянии равновесия (U=…)

26)

27)

– экстракция

Прямое включение

I = I0 exp

−1 ; U =

15)

I 0

28)

p p + Dn n

,мА

= eS

пр

29)

δ p

eNa

eN δ

Еmax =

Uобр, В

εε

50 4

100

30)

0,4

0,8

Uпр, В

РТ

0,1

I РТ

Iобр,

Обратное включение

31)

∂U

мА

rд

16) Iпр,мА

10)

∂I

32)

S =

33)

εε0S

ε0εe NаNд

Cб =

= S

ϕ Nа + Nд

34)

Uпр, В

Cд =

(Lp pn + Lnnp ) exp

17)

18)

19)

20)

C, пФ

220В

RН

9В

tx- время

tx – время…

U обр, В

U пр, В

Варикап

п/п конденсатор, емкость которого изменяется с ростом Uобр

Q = 1

= Сmax

С = С0

tgδ

ϕ0 −Uобр

min

Емкость p-n-перехода-

С, пФ

Технология изготовления:

1000

GaAs

Планарно-эпитаксиальная-

Диффузионная-

Cмах

Сплавная-

100

102

103

104

105

106

107

f, Гц

Uобр

Cmin

tgδ =

Сбар

104

tgδ = ω rб Сбар

f=20МГц

100МГц

ω rперСбар

103

Qвч =

= ω r

r пер

102

КВ117А

нч

пер

бар

ω rбСбар

ωmin

ωmax

10 15

25 Uобр,В

QminCбарrпер

QminCбарrб

Стабилитрон п/п диод, раб. в режиме эл.пробоя, предназн. для стабилизации обратного U

Стабистор - предназначен для стабилизации прямого напряжения

Виды пробоя

M =

Rогр

Тепловой

Лавинный

Туннельный

1− (U /U

Тепловой

Лавинный

Туннельный

проб

)

Необратим

Электрические

Необратим

Электрические

Uобр B C

–

Обратимые

(низкая Nпр)

(высокая Nпр)

kст =

U ст

r = dUст ≈

Uст

>6В

<6В

dIст

Iст

стаб

U ст

α<0

Iобр

Pmax

I пр, мА

α<0

КС113

Iст.max =

Uст

VD1

≤ Emin −Uст − I

ст.min

н.max

Rогр

VD2

≥ Emax −Uст − I

ст.max

н.min

, В

VD3

Rогр

4 D

пр

Uобр, В

αст

Uст

Iст

=const

Малой мощн

Средней мощн

большой

стабилизации

(до 0,3 Вт)

(от 0,3 до 5 Вт)

(более 5 Вт)

До 10

101…199

401…499

701…799

α>0

α<0

КС156

От 10 до 99

201…299

501…599

801…899

КС133

I обр, мА

От 100 до 199

301…399

601…699

901…999

I пр,%

Туннельные и обращенные диоды

I,мА

I п

100

Тип прибора

Обозначение

0,1

0,2

0,3

ТД усилительные

101…199

ТД генераторные

201…299

ТД переключательные

301…399

0,2 0,4

0,6 U пр, В

Обращенные диоды

401…499

Вырожденные п/п- п/п с высокой концентрацией примеси (Nд, Nа),

п/п с критической

приводящей к уменьшению ширины р-n-перехода (δ), увеличению

концентрацией примеси-

потенциального барьера ;φ. Уровень Ферми в п/п р-типа заходит в ……….., в

(Nд, Nа), приводящей к

п/п n-типа в …………….. На ВАХ появляется участок с отрицательным Rдиф

уменьшению ширины р-n-

=dU/dI=;U/;I (участок ……). На участке ВАС – туннельный эффект –

перехода (δ), увеличению

основные носители проходят сквозь потенциальный барьер

потенциального барьера

(а не преодолевают его), не затрачивая своей энергии.

;φ. Уровень Ферми в п/п

р-типа ложится на

Отношение токов туннельного диода Iп/Iв.

потолок ……….., в п/п n-

Для диодов из GaAs - Iп/Iв > 10, из Ge - Iп/Iв = 3…6.

типа находится на дне

Напряжение пика Uп.

……………..

Для диодов из GaAs - Uп=100…150 мВ, из Ge - Uп= 40…60 мВ.

Проводимость в обратном

Напряжение впадины Uв.

включении больше, чем в

Для диодов из GaAs - Uп=400…500 мВ, из Ge - Uп= 250…300 мВ.

прямом за счет

Напряжение раствора UPP — прямое напряжение, большее напряжения

туннельного эффекта

впадины, при котором ток равен пиковому.

Контакт

eφк

Металл-полупроводник

Шоттки

Омический

Wм

Выпрямляющий

Невыпрямляющий

ПБЭ

ПБ

Wfp

Приконтактный слой

Приконтактный

-обеднен основными

слой обогащен

Металл

Полупроводник

носителями

основными

Р-типа

Wм>Wn

носителями

Обедненный слой

пр

,мА

Wм<Wp

Wм<Wn

Обедненный слой

-имеет противоп.

Wм>Wp

проводимость

(инверсный)

Wм>>Wn

Wм<<Wp

Uпр,

Биполярные транзисторы

									I						1									I							2																		3									I				4
			I								Uкэ									I																	I					I														I			U
																																					I					I
																																			U
																																			U
		U															U								Uкэ											эб								Uкб											U						эк
		U															U																			эб								Uкб											U
		бэ																	бэ																																				бк
		бэ																	бэ																																				бк



		I&1										I&2			5		Iб,		мкА												7																		9													11
																																	Iэ,м


																					Uкэ=0				U кэ=10															Uкб=-10
			1													400					Uкэ=0				U кэ=10								А		40					Uкб=-10
																												А


																300																			30
																300						Г				РТ									30													Uкб=0
																200						Г				РТ									20													Uкб=0
										2						200									Б										20
																100																			10
															&	100											Uбэ, В								10											U		эб,
															&												Uбэ, В																			U		эб,
		&												U 2		0																			0													В
		U1																	0,2			0,4			0,6			0,8							0			0,2				0,4						В	0,8
																			0,2			0,4			0,6			0,8										0,2				0,4				0,6			0,8

		&								&					6		Iк,	мА													8																		10													12
		I1											I	2																			I ,мА																					I	,мкА
														2										Iб=400мкА									к											Iэ=20 мА										б
																20																20																				400
																																																				400
																			1				М			300																										200								T, мкс
																																																15

																15			3													15
		1														15			3							200						15												А				10
												2				10				Е		РТ			Д								В																			Iк,мА
												2								Е		РТ			Д								В
																			2							100						10																5							2 4 6			12 16 19Т, мкс
																5			2							100						10																5							2 4 6			12 16 19Т, мкс
&														&												4						5
																										4						5
																																																0
														U																																		0
	U1														2	0			5			10																						Б
	U1															0									15			20							0			5			10					15			20			Iкм


																											U	кэ		, В																	-U			, В						tнр tзд			tрас tсп
																												кэ																					кб
															13															23								•											33					Э			Б		К			39
				U1																Е2=U2 + I2Rн														Кi		=		I m2		=					К0						ϕ
																				Е2=U2 + I2Rн																		I m2							К0						ϕ
h11		=																																				•																Р			N		Р				Х
																																																2						Р			N		Р
				I1													При Uкэ=0 Iк=																														f	2				1							1
				I1		U 2		=const									При Uкэ=0 Iк=																					I m1				1 +					f					2
						U 2		=const									При Iк=0 Uкэ=																									1 +						2				2
																	При Iк=0 Uкэ=																															2
																																														fпр						4						4
															14															24																			34
				U													U m кэ		= 0.5(U кэmax − U кэ																																								2
h12		=		U	1												U m кэ		= 0.5(U кэmax − U кэ										min )																								3						2
				U 2			I1 =const										U m бэ		(						− U бэmin						)			f max =					fпр				8π RбСкб										3						3
																																																											3


																			= 0.5 U бэmax

I mк

= 0.5(I кmax

− I

кmin )

fβ = (1 − α) fα = fпрОЭ

h22

Im к

fα = (1 + β) fβ = fпрОБ (β /

U 2

=const

КI

Режим

Состояние переходов

Imб

f гр

(β = 1)

Эмиттерный

Коллекторный

U m кэ

Активный

открыт

закрыт

ϕ = − arctg ( f

fпр )

Насыщения

открыт

h21

U m бэ

Отсечки

закрыт

I1 U

=const

КP = КI КU

Инверсный

закрыт

открыт

Р = I mбU mбэ

Iкmax = Pкmax /U кэ

Схема

ОБ

ОЭ

ОК

≈ β

Кi

h21б=α<1

h21э=β

h21к= β+1

21э

Iб U

кэ

=const

Кu

D (<1)

Кр

I к

Rвх

Um бэ

= (Tп − Тс ) .

Zвх

Низкое

Промеж.

Высокое

≈ 50 Ом

≈ 1 кОм

≈ 300кОм

h21б

≈ α

Im б

к max

Zвых

Высокое

Промеж.

Низкое

I э

≈ 1МОм

≈ 50 кОм

≈ 300Ом

пс

Uкб=const

ψ *

β =			α	19	P	К0	= I	к0		U	к0	.	29	\|h21\|				43		\|h21\|						42
β =			α	19	P	К0	= I	к0		U	к0	.		\|h21\|						\|h21\|						42
		1− α												1					100
														0,8					80
			β	20			P						30	0,8					80
			β	20			P						30
α =					η =		R ~		100%					0,6					60
α =					η =				100%					0,6					60
			β + 1				Pпотр							0,4					40
														0,4					40
K			= β + 1	21	Pпотр = Е2 Iк0								31	0,2					20
K	OК		= β + 1	21	Pпотр = Е2 Iк0								31						20
	OК													0					1							f,
														0					1							f,
I э	= I б + I к			22	PR~ = 0,5Um кэ Im к								32	0	10	100	1000		0 0		0,1	1	10	100	МГц
				22									32			f, МГц									МГц
																f, МГц

		1		3										8

					5						6


		2		4


														9


МДП-транзистор с индуцированным каналом не имеет канала при Uзи =0. Канал
образуется при напряжении \|Uзи\|>\|Uпор\| благодаря притоку неосновных носителей заряда
из подложки. В результате под затвором увеличивается концентрация дырок (в р-
канальном) или электронов (в n-канальном), которые образуют канал, ширина которого
возрастает с ростом Uзи.
возрастает с ростом Uзи.													7
													7

	10			12										17
	10			12			14							17
							14
								15
								15



	11			13


														18


МДП транзистор со встроенным каналом может работать как при прямом, так и при
обратном напряжении, но в одном случае он будет работать в режиме обеднения (Uзи
увеличивается, ток стока уменьшается), так и в режиме обогащения (все возрастает).
Канал создан в исходной пластине кремния с помощью диффузионной технологии.
												16
												16


	19			21										26


						23			24
	20			22		23			24




														27


Принцип действия ПТ с управляющим p-n-переходом заключается в том, что
максимальный ток, протекающий через канал достигается при Uзи =0. Когда на затвор
подается обратное напряжение, относительно истока, p-n-переход расширяется, канал

сужается, при некотором Uотс - напряжении отсечки ток стока становится Ic=0.
												25
												25


			28							29				30

Полевые транзисторы

1 / 21 2 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

#
10.06.201584.57 Кб897Экология примерные ответы.docx
#
23.09.2019115.2 Кб8Экология.doc
#
23.09.201973.22 Кб8экономика 2222.doc
#
27.08.20195.6 Mб7Экономика Курсач.rtf
#
10.06.2015344.28 Кб109Электроника и Электротехника.docx
#
10.06.20152.02 Mб47ЭЛЕКТРОНИКА(КАРТОЧКИ).pdf
#
15.11.20192.76 Mб6Электростатика основная.doc
#
10.06.2015765.48 Кб217ЭЛЕКТРОТЕХ(ВСЕ);.docx
#
10.06.20155.51 Mб475электротехника.doc
#
10.06.20154.16 Mб338электротехника2.doc
#
10.06.2015560.78 Кб63ЭМПиВ - Лекция 1.pdf