VarsDZ_1
.pdfЗадания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
0,05 |
|
|
электроны |
|
1 |
|
|
1,E+14 |
|
0 |
|
100 |
|
1,0 |
|
1,E+06 |
|
Задания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
0,075 |
|
|
дырки |
|
0,95 |
|
|
5,E+14 |
|
0 |
|
120 |
|
1,2 |
|
5,E+06 |
|
Задания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 |
|
0,1 |
|
|
электроны |
|
0,9 |
|
|
1,E+15 |
|
0 |
|
140 |
|
1,4 |
|
1,E+07 |
|
Задания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
0,125 |
|
|
электроны |
|
0,85 |
|
|
5,E+15 |
|
0 |
|
160 |
|
1,6 |
|
5,E+07 |
|
Задания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 |
|
0,15 |
|
|
дырки |
|
0,8 |
|
|
1,E+16 |
|
0 |
|
180 |
|
1,8 |
|
1,E+08 |
|
Задания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
0,175 |
|
|
дырки |
|
0,75 |
|
|
5,E+16 |
|
0 |
|
200 |
|
2,0 |
|
5,E+08 |
|
Задания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7 |
|
0,2 |
|
|
электроны |
|
0,7 |
|
|
1,E+17 |
|
0 |
|
220 |
|
2,2 |
|
1,E+09 |
|
Задания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8 |
|
0,225 |
|
|
электроны |
|
0,65 |
|
|
5,E+17 |
|
0 |
|
240 |
|
2,4 |
|
5,E+09 |
|
Задания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
9 |
|
0,25 |
|
|
дырки |
|
0,6 |
|
|
1,E+18 |
|
0 |
|
260 |
|
2,6 |
|
1,E+10 |
|
Задания для семинара №1
1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)
расположен по середине запрещенной зоны Еg
2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)
3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.
5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом
|
Вар. |
|
|
Задание 1 |
|
|
Задание 2 |
|
|
Задание 3-4 |
|
|
|
|
Задание 5 |
|
||||||||||
|
№ |
|
|
Ec-E, эВ |
|
|
Тип |
|
|
Ec-Ef, |
|
|
Nd, |
|
|
Na, см- |
|
|
μp, |
|
|
μn / |
|
ni, см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
см2/(В* |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
носителей |
|
|
эВ |
|
|
см |
-3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
μp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
0,275 |
|
|
дырки |
|
0,55 |
|
|
5,E+18 |
|
0 |
|
280 |
|
2,8 |
|
5,E+10 |
|