VarsDZ_1

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом

Задания для семинара №1

1Для собственного полупроводника найти вероятность заполнения электроном уровня с заданной энергией Е при T=300 К. Считать что при 300 К уровень Ферми (Ef)

расположен по середине запрещенной зоны Еg

2Найти концентрацию носителей в Si при T=300K (тип носителей и положение уровня Ферми выбрать в соответствии с вариантом)

3Найти концентрацию электронов и дырок в Si при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

4Найти концентрацию электронов и дырок в Ge при Т=300К, при заданных концентрациях донорной и акцепторной примеси. Считать примесь полностью ионизованной.

5Найти удельное сопротивление (ρ) собственного полупроводника при 300 К. Значения подвижностей μp, (μn / μp) и собственной концентрации носителей (ni) заданы в соответствии с вариантом