Контрольные вопросы

7.Объяснить зависимость тока коллектора IC от напряжения VBE и температуры.

8.Объяснить зависимость тока стока ID от напряжения VDS и температуры.

Приложение

Исходные данные:

1.Пример входного файла описания схемы (см. рис.1) и задания на расчет ВАХ диода. SСНЕМE1

*SIMULATION V-I P-N-JUNCTION

.PROBE

.OPT ACCT LIST NODE OPTS NOPAGE

.DC V1 -8.1 2. .01 D MODD(RS) 100 300 50 V1 1 0 DC 0.

D1 1 0 MODD

.TEMP 27 75

.MODEL MODD D (IS=1.E-15 RS=100 N=1 TT=.1n CJO=2p VJ=.6 +BV=8 IBV=1.E-3)

.PRINT DC I(D1)

.END

2.Пример входного файла описания схемы (см. рис.2) и задания на расчет ВАХ бипо- лярного NPN-транзистора.

SСНЕМE2

* SIMULATION V-I TRANSISTOR

.PROBE

.OPT ACCT LIST NODE OPTS NOPAGE

.DC V2 0 10 .01 V1 0 .85 .05 V1 1 0 DC 0

V2 2 0 DC 0

Q1 2 1 0 0 MODT

.MODEL MODT NPN (BF=100 VAF=200 ISE=1.E-15 BR=.1 RB=200 +RC=10 CJE=2P VJE=.6 TF=.1N CJC=2P VJC=.5 TR=10N CJS=2P

.TEMP -60 27 75

.PRINT DC IC(Q1)

.END

3.Пример входного файла описания схемы (см. рис.3) и задания на расчет ВАХ поле- вого n-МОП-транзистора.

SСНЕМE3

* SIMULATION V-I MOS TRANSISTOR

.PROBE

.OPT ACCT LIST NODE OPTS NOPAGE

.DC V2 0 10 .01 V1 0 2. .5 V1 1 0 DC 0

V2 2 0 DC 0

M1 2 1 0 0 MODT W=20U L=2U

.MODEL MODT NMOS (LEVEL=1 VTO=.8 KP=2E-5 GAMMA=.3 +XJ=.7U TOX=50N)

.TEMP -60 27 75

.PRINT DC ID(M1)

.END

4.Пример входного файла описания схемы (см. рис.4) и задания на расчет переходно- го процесса диода.

SСНЕМE4

PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com

* SIMULATION TRANSITION ANALYSIS P-N-JUNCTION

.PROBE

.OPT ACCT LIST NODE OPTS NOPAGE

.PARAM A=.4

.STEP PARAM A .4 1.2 .1

*.STEP PARAM A LIST 0.5, 0.6, 0.8 V1 1 0 SIN({A} 0.2 100K 10N)

D1 1 0 MODD

.TRAN 10N 50U

.MODEL MODD D (IS=1.E-15 RS=100 N=1 TT=.1n CJO=2p VJ=.6 +BV=8 IBV=1.E-3)

.END

5. Пример входного файла описания схемы (см. рис.6) и задания на расчет переходно- го процесса транзистора.

SСНЕМE5

* SIMULATION TRANSITION ANALYSIS TRANSISTOR

.PROBE

.OPT ACCT LIST NODE OPTS NOPAGE V1 1 0 DC 5

V2 2 0 PULSE (0 5 10N 10N 10N 50N 100N) *SIN (.65 .1 100K 1U)

R1 1 3 1K

Q1 3 2 0 0 MODT

.MODEL MODT NPN (BF=100 VAF=200 ISE=1.E-15 BR=.1 RB=200

+RC=10 CJE=2P VJE=.6 TF=.1N CJC=2P VJC=.5 TR=10N CJS=2P *.TEMP -60 27 75

.TRAN 10.n 200N

.END

PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com

Лабораторная работа № 3. Исследование электрической схемы по постоянному сигналу

Цель работы: получение статических характеристик и определение статических из- меряемых параметров.

Продолжительность работы – 4 ч.

Теоретические сведения

Для получения статических характеристик используется моделирование схем по посто- янному току (DC).

Для любого функционального элемента можно рассчитать три статические характери- стики:

∙ IIN = f(VIN) – входная характеристика (рис.1) – зависимость входного тока IIN от входного напряжения IIN;

IIN

VIN

Рис.1. Входная характеристика элемента

VOUT = f(VIN) – передаточная характеристика (рис.2) – зависимость выходного напряже- ния VOUT от входного напряжения VIN;

VOUT

VIN

Рис.2. Передаточная характеристика элемента

∙ IOUT = f(VOUT) – выходная характеристика (рис.3) – зависимость выходного тока

IOUT от выходного напряжения VOUT.

∙

IOUT 1

V0IN VOUT

Рис.3. Выходная характеристика элемента

Для цифровых схем, работающих с логическим сигналом, имеющим только два зна-

чения: V0, V1, можно получить две выходные характеристики: когда VIN = V0 и

VIN = V1.

PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com