Курсовая работа по предмету: Вакуумная и плазменная электроника

1

Расчёт электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора..................................................................

1.1

Исходные данные. Задание.......................................................................

1.2

Структура и топология МДП-транзистора..............................................

1.3

Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора.............

1.4

Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели..................................

1.5

Расчёт ВАХ с учётом неоднородности ОПЗ под затвором...................

1.6

Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры.........................

1.7

Факультативное задание: Расчёт и корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала..................

1.8

Факультативное задание: Расчёт реальной ВАХ, зависящей от ...

1.9

Факультативное задание: Расчёт параметров эквивалентной схемы...

1

Материал затвора

N+-Si^*

2

Длина канала L, мкм

2

3

Ширина канала W, мкм

30

4

Толщина подзатворного диэлектрика (SiO₂) d, мкм

0.04

5

Концентрация примеси в подложке , см^-3

10¹⁶

6

Подвижность электронов в канале _n, см²/В.с

400

7

Плотность поверхностных состояний , см^-2

310¹⁰

8

Концентрация примеси в n⁺- слоях, см^-3

10²⁰

9

Глубина залегания стока , мкм

0.5