Растровый электронный микроскоп высокого разрешения jib-4600f Multibeam (фирмы jeol) с ионной пушкой для микротравления

Параметры

Значения

Тип источника электронов

Термополевой эмиттер (катод Шоттки)

Пространственное разрешение

1,2 нм при 30 кВ, 3 нм при 1 кВ

Энергия электронного луча

от 200 эВ до 30 кэВ

Увеличение

От 50 до 1 000 000 крат

Ток луча

до 200 нА

Аналитические приставки - опции

Система энергодисперсионного микроанализа, система анализа дифракции отражённых электронов, система спектрального анализа катодолюминесценции, детектор прошедших электронов

Источник ионов

Источник ионов галлия

Пространственное разрешение при сканировании ионным пучком

5 нм при 30 кВ

Ускоряющее напряжение ионной пушки

от 5 до 30 кВ

Увеличение при сканировании ионным пучком

от 30 до 300 000 крат

Максимальный ток ионной пушки

30 нА