- •1. Понятие о материалах
- •2. Классификация
- •3. Рождение материала
- •Плазма газ жидкость твердое тело (атом молекула вещество)
- •При нормальных условиях – три агрегатных состояния вещества
- •4. Кристаллическое строение материалов
- •5. Плотнейшие шаровые упаковки
- •Плотная упаковка шаров в одном (а) и двух слоях (б) и образующиеся тетраэдрические (в) и октаэдрические (г) пустоты Кубическая плотнейшая шаровая упаковка
- •Гексагональная плотнейшая шаровая упаковка
- •Аллотропные формы некоторых металлов
- •2010 Г Нобелеевская премия по физике
- •Дефекты кристаллического строения
- •Линейные дефекты. Дислокации
- •3. Схема поверхностного слоя детали.
- •Упругая и пластическая деформация
- •Деформация монокристаллов
- •I стадия легкого скольжения
- •IV стадия - фрагментация
- •Деформация поликристаллов
- •Деформирование двухфазного сплава.
- •Разрушение металлов
Линейные дефекты. Дислокации
Кривая
Одинга-Бочвара
ПОВЕРХНОСТНЫЕ ДЕФЕКТЫ
1. Границы между зернами одной фазы.
Размер кристаллов (зерен) – от 1 до 1000 мкм.
Большеугловая граница – зона 5-15 межатомных расстояний с нарушением порядка в расположении атомов.
Скопление в этой зоне дислокаций и примесей.
Малоугловая граница
Зерна – из мелких (0,1-1 мкм) блоков (субзерен)
Деление зерен на фрагменты – фрагментация или полигонизация.
Структуру называют блочной или мозаичной.
Образование дислокаций при кристаллизации
образование малоугловой границы
(срастание двух зерен)
2. Межфазные границы.
На когерентной границе решетка одной фазы плавно переходит в решетку другой. Несоответствие решеток – упругая деформацию, изгиб атомных плоскостей на границе.
На полукогерентной границе дислокации чередуются с участками сопряжения решеток двух фаз.
При большом несоответствии решеток двух фаз, плавное их сопряжение невозможно, межфазную границу называют некогерентной.
Когерентные частицы – выделения в твердом растворе (матрице) с когерентной границей раздела между ними и матрицей.
3. Схема поверхностного слоя детали.
–адсорбированный слой (0,001– 1) мкм
– слой оксидов (1 – 10 мкм)
– переходный слой (10 – 30 нм)
4 – технологический слой (несколько мм)
5 – основной металл
УФН, Е.В. Антипов и др., 2008, т.178. № 2, 190
Упругая и пластическая деформация
Деформация монокристаллов
I стадия легкого скольжения
Дислокации перемещаются на большие расстояния, монокристалл не упрочняется. Деформирование − без значительного роста действующих напряжений.
II стадия. Первичные системы легкого сдвига блокированы. Движение дислокаций (скольжение) по вторичным плоскостям.
Активная работа источников Франка-Рида (резко увеличивается плотность дислокаций).
Дислокации имеют короткий пробег, происходит интенсивное упрочнение монокристалла.
III стадия − поперечное скольжение винтовых дислокаций. Это приводит к частичной релаксации напряжений, аннигиляции дислокаций разного знака.
Динамический возврат − уменьшение деформационного упрочнения.