- •Ключові моменти розвитку електроніки
- •Основи електронної теорії
- •Модель й будова атома
- •Діаграма енергетичних рівнів атомів
- •Зонна модель твердого тіла
- •Енергетична діаграма провідника
- •Основні властивості питомої електропровідності напівпровідників
- •Власна провідність напівпровідників
- •Домішкова провідність напівпровідників
- •Температурна залежність провідності домішкових напівпровідників
- •Дрейфовий і дифузійний струми у напівпровіднику
- •Електронно-дірковий перехід
- •3.1. Формування p-n-переходу
- •Енергетична діаграма p-n-переходу
- •3.2. Властивості p-n-переходу при наявності зовнішньої напруги Пряме включення джерела напруги
- •Зворотнє включення
- •3.3. Вольт-амперна характеристика р-n переходу
- •3.4 Температурні та частотні властивості p-n переходу
- •3.5 Тунельний ефект
- •3.6 Фотогальванічний ефект у р-n-переході
- •Напівпровідникові діоди
- •Ємність діода
- •Еквівалентна схема напівпровідникового діоду
- •Температурні властивості напівпровідникових діодів
- •Розрахунок робочого режиму діода
- •Випрямні діоди
- •Основні параметри, що характеризують випрямний діод
- •Послідовне й паралельне з’єднання діодів
- •Напівпровідниковий стабілітрон (опорний діод)
- •Основні параметри стабілітрону
- •Основні схеми підключення стабілітронів
- •Стабістор
- •Варикап
- •Основні характеристики варикапа
- •Тиристор
- •Класифікація та система позначень тиристорів
- •Основні параметри тиристорів
- •Диністор
- •Триністор
- •Тунельний діод
- •Основні параметри тунельних діодів
- •Транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Біполярні транзистори
- •Принцип роботи біполярного транзистора
- •Фізичні процеси у біполярному транзисторі
- •Основні схеми включення біполярного транзистора
- •Статичні характеристики транзистора
- •Динамічний режим роботи транзистора
- •Транзистор як активний чотирьохполюсник
- •Температурні та частотні властивості транзистора
- •Температурні властивості схеми зі спільною базою
- •Температурні властивості схеми зі спільним емітером
- •Частотні властивості
- •Експлуатаційні параметри транзисторів
- •Власні шуми транзисторів
- •Польові транзистори
- •Польові транзистори з керувальним р-п-переходом
- •Польові транзистори з ізольованим затвором
- •Мікроелектроніка загальні відомості
- •Плівкові та гібридні імс
- •Напівпровідникові імс
Основні характеристики варикапа
Номінальна ємність – це ємність, яку вимірюють між виводами варикапа за заданого зворотного зміщення при температурі навколишнього середовища 20°С. Залежно від призначення варикапи виготовляють з ємністю від одиниць до сотень пікофарад. Здебільшого, номінальну ємність вимірюють при зворотній напрузі 4 В.
Коефіцієнт перекривання за ємністю– це відношення номінальної ємності варикапа, яку вимірюють при мінімальній зворотній напрузі, до мінімальної ємності, яку вимірюють при максимально допустимій зворотній напрузі. Значеннядорівнює декільком одиницям.
Добротність – це відношення реактивного опору варикапа до активного (опір втрат).
Максимально припустима напруга – максимальне миттєве значення змінної напруги, що забезпечує необхідну надійність при довготривалій роботі.
Температурний коефіцієнт ємності – відношення відносної зміни ємності за заданої напруги до абсолютної зміни температури навколишнього середовища.
Максимально припустима потужність ш – максимальне значення потужності, що розсіюється на варикапі, при якому забезпечена необхідна надійність при довготривалій роботі.
Схема включення варикапа у коливальний контур у якості конденсатора змінної ємності
Рис. 42
Змінюючи за допомогою потенціометра R зворотну напругу на варикапі, можна змінювати резонансну частоту контуру. Керуюча постійна напруга подається на варикап через високоомний резистор, налаштування контуру відбувається переміщенням бігунку потенціометру.
Тиристор
Тиристор – це напівпровідниковий прилад із трьома або більше p-n-переходами, ВАХ якого має ділянку з негативними диференційним опором.
З погляду практичного застосування, тиристор – це напівпровідниковий ключ, тобто прилад, що розмикає\замикає коло навантаження.
Тиристор має два статичних стани:закритий стан – тиристор має великий опір, і пропускає малий струм, тавідкритий стан– тиристор має малий опір, і пропускає великий струм.
Перехід з одного стану у інший відбувається відносно швидко під впливом короткочасного зовнішнього сигналу.
Класифікація та система позначень тиристорів
Рис. 43
За кількістю виводів розрізняють:
діодні тиристори (деністори)– що мають два виводи, анод і катод. Умовне графічне позначення наведене на рис.43,а;
тріодні тиристори (триністори)– що мають три виводи: анод, катод та керуючий електрод. Умовне графічне позначення наведене на рис.43,б;
чотирьохелектродні (тетроїдні) тиристори – що мають два вхідних та два вихідних виводи, тощо.
За виглядом вихідної ВАХ розрізняють
тиристори що не проводять у зворотному напрямку;
тиристори, що проводять у зворотному напрямку;
симетричні тиристори, що можуть перемикатися у відкритий стан у обох напрямках.
За способом керування:
тиристори, що керуються зовнішім електричним сигналом по керуючому електроду;
фототиристори, що керуються зовнішнім оптичним сигналом;
оптотиристори, що керуються внутрішнім оптичним сигналом.