- •Ключові моменти розвитку електроніки
- •Основи електронної теорії
- •Модель й будова атома
- •Діаграма енергетичних рівнів атомів
- •Зонна модель твердого тіла
- •Енергетична діаграма провідника
- •Основні властивості питомої електропровідності напівпровідників
- •Власна провідність напівпровідників
- •Домішкова провідність напівпровідників
- •Температурна залежність провідності домішкових напівпровідників
- •Дрейфовий і дифузійний струми у напівпровіднику
- •Електронно-дірковий перехід
- •3.1. Формування p-n-переходу
- •Енергетична діаграма p-n-переходу
- •3.2. Властивості p-n-переходу при наявності зовнішньої напруги Пряме включення джерела напруги
- •Зворотнє включення
- •3.3. Вольт-амперна характеристика р-n переходу
- •3.4 Температурні та частотні властивості p-n переходу
- •3.5 Тунельний ефект
- •3.6 Фотогальванічний ефект у р-n-переході
- •Напівпровідникові діоди
- •Ємність діода
- •Еквівалентна схема напівпровідникового діоду
- •Температурні властивості напівпровідникових діодів
- •Розрахунок робочого режиму діода
- •Випрямні діоди
- •Основні параметри, що характеризують випрямний діод
- •Послідовне й паралельне з’єднання діодів
- •Напівпровідниковий стабілітрон (опорний діод)
- •Основні параметри стабілітрону
- •Основні схеми підключення стабілітронів
- •Стабістор
- •Варикап
- •Основні характеристики варикапа
- •Тиристор
- •Класифікація та система позначень тиристорів
- •Основні параметри тиристорів
- •Диністор
- •Триністор
- •Тунельний діод
- •Основні параметри тунельних діодів
- •Транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Біполярні транзистори
- •Принцип роботи біполярного транзистора
- •Фізичні процеси у біполярному транзисторі
- •Основні схеми включення біполярного транзистора
- •Статичні характеристики транзистора
- •Динамічний режим роботи транзистора
- •Транзистор як активний чотирьохполюсник
- •Температурні та частотні властивості транзистора
- •Температурні властивості схеми зі спільною базою
- •Температурні властивості схеми зі спільним емітером
- •Частотні властивості
- •Експлуатаційні параметри транзисторів
- •Власні шуми транзисторів
- •Польові транзистори
- •Польові транзистори з керувальним р-п-переходом
- •Польові транзистори з ізольованим затвором
- •Мікроелектроніка загальні відомості
- •Плівкові та гібридні імс
- •Напівпровідникові імс
Основні параметри стабілітрону
Напруга стабілізації – це номінальне значення напруги на стабілітроні при заданому зворотному струмі стабілітрону в області пробою, В.
Диференціальний динамічний опір стабілітрону –це відношення приросту напруги на стабілітроні до приросту струму у режимі стабілізації , Ом. Величина характеризує ступінь стабільності напруги стабілізаціїпри зміні струму пробою. Чим менший ,тим краща стабілізація.
Опір постійному струму о – характеризує втрати у діоді у певній робочій точці.
Добротність коефіцієнт якості стабілітрону – це відношення статичного опору до динамічного, , .
Температурний коефіцієнт напруги стабілізації (ТКН) – показує зміну напруги стабілізації від температури, .Залежно від виду пробою стабілітрону ТКН може бути додатним (лавинний пробій) або від'ємним (тунельний пробій).
Мінімальний () и максимальний () струми стабілізації.
Мінімальний струм стабілізації – такий струм через стабілітрон, при якому виникає стійкий пробій. Значення обмежується власними шумами стабілітрону.
Максимальний струм стабілізації – таке значення струму стабілітрону, за якого потужність, що розсіюється на стабілітроні, не перевищує припустимого значення,
Максимальна потужність розсіювання –максимальна потужність, що розсіюється на p-n-переході, при якій не виникає тепловий пробій переходу,
Основні схеми підключення стабілітронів
Рис.39
Найпростіша схема стабілізації напруги(рис.39,а), де– обмежуючий (балансний) опір, на якому виділяється надмірне падіння напруги,
.
Схема з пониженням напруги(рис.39,б) – використовується, коли нанеобхідно отримати більш низьку напругу, ніж та, що утворюється після під’єднання стабілітрону,
.
Послідовне з’єднання стабілітронів, розрахованих на однакові струми(рис.39,в) – використовують, коли необхідно отримати більш високі напруги стабілізації.
Каскадне зєднання стабілітронів (рис.39,г) – використовується, коли необхідно збільшити стабільність напруги. При цьомуповинен мати більшу напругу стабілізації, ніж.
Ефективність стабілізації напруги характеризується коефіцієнтом стабілізації – відношенням приросту напруги живлення до приросту напруги стабілізації
.
Стабістор
Стабістор – це напівпровідниковий діод, призначений для стабілізації напруги, робочою ділянкою якого є пряма вітка ВАХ.
Зазвичай стабістори виготовляють з кремнію, для якого Для отриманнявикористовують з’єднання декількох стабісторів. Особливістю стабісторів є негативний ТКН, тобто напруга стабілізації зі збільшенням температури зменшується.
Варикап
Варикап– це напівпровідниковий діод, принцип дії якого ґрунтується на залежності бар’єрної ємності p-n-переходу від зовнішньої напруги; інакше – конденсатор змінної ємності, керований змінною зворотною напругою.
Умовне графічне позначення:
Рис.40
Область застосування – настроювання коливальних контурів, для деяких спеціальних схем або параметричних підсилювачах. Основною характеристикою варикапа є залежність його ємності від напруги (вольт-фарадна характеристика, рис.41).
Рис.41