Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Мет. указ. к КР

.pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
11.04.2015
Размер:
559.35 Кб
Скачать

Федеральное агентство связи ФГОБУ ВПО «Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики»

Ю.В. Рясный Е.В. Дежина Ю.С. Черных М.С. Чашков С.Л. Ремизов

РАСЧЕТ АНАЛОГОВЫХ И ДИСКРЕТНЫХ УСТРОЙСТВ СВЯЗИ

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К КУРСОВОЙ РАБОТЕ

Новосибирск 2014

ВВЕДЕНИЕ

Целью курсовой работы является систематизация и закрепление знаний, полученных при изучении курса ТЭЦ.

В процессе самостоятельной работы студенты должны спроектировать дискретный фильтр, выделяющий одну из гармоник, полученных на выходе нелинейного преобразователя.

Устройство, которое необходимо разработать, содержит как аналоговую, так и дискретную части. Его структурная схема приведена на рисунке 1.

Блок питания

Электронный

ключ

Авто-

 

Согласующее

 

Нелинейный

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Дискретный

 

 

 

 

 

 

 

генератор

 

устройство

 

преобразователь

 

 

 

 

 

 

 

БИХ-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

фильтр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fд

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

аналоговая часть

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 1 – Структурная схема устройства

Аналоговая часть схемы содержит автогенератор, вырабатывающий исходное (задающее) колебание; нелинейный преобразователь, искажающий форму сигнала; масштабирующий усилитель для согласования автогенератора и нелинейного преобразователя по уровню сигнала, входному и выходному сопротивлениям, а также блок питания. Дискретная часть схемы представляет собой БИХ-фильтр четвертого порядка.

В помощь студентам в настоящих методических указаниях приведены необходимые справочные материалы, рекомендации по расчету, а также ссылки на соответствующие разделы в учебной литературе.

Курсовая работа оформляется на листах формата А4. Работа должна содержать необходимые расчеты с пояснительными графиками и схемами и функциональную схему устройства. Все формулы представляются сначала в буквенном виде и только после этого в численных значениях с указанием размерности конечных результатов.

Все формулы, таблицы, рисунки должны быть пронумерованы. Расчетные значения конденсаторов и резисторов следует округлять до

стандартных величин, предусмотренных ГОСТом. Графическая часть должна выполняться с соблюдением требований ЕСКД.

2

1. Техническое задание

Спроектировать дискретный фильтр, выделяющий гармоническое колебание заданной частоты из сигнала на выходе нелинейного преобразователя и удовлетворяющий условиям, указанным в таблице 1.

Таблица 1 Технические требования к устройству

 

Заданные параметры

Обозначения

Требования к автогенератору

 

1.

Тип автогенератора

Схема рис. 3.1 а или б

2.

Тип транзистора

VTавт

3.

Частота генерации

fг

4.

Напряжение питания

Uпит авт

5.

Сопротивление в коллекторной цепи

Rк авт

Требования к нелинейному преобразователю

 

1.

Тип нелинейного преобразователя

Схема рис. 2 а, б или в

2.

Тип нелинейного элемента

VTнел или VDнел

3.

Напряжение смещения

U0

4.

Амплитуда напряжения на входе

Uт

 

 

Требования к БИХ-фильтру

 

1.

Порядок НЧ-прототипа

m

2.

Номер гармоники, выделяемой фильтром

n

3.

Неравномерность ослабления в полосе пропускания

А

4.

Ослабление в полосе непропускания

Amin

3

2. МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО РАСЧЕТУ

2.1. Расчет автогенератора

В качестве задающего генератора в работе используются схемы на биполярном транзисторе с пассивной RC-цепью обратной связи (рис. 3.1). Однако по согласованию с преподавателем может быть выбрана любая из известных схем автогенераторов на полевых транзисторах, операционных усилителях (ОУ), либо схемы с колебательными контурами. При этом в пояснительной записке желательно привести обоснование принятого решения.

Теория автоколебательных цепей изложена в [1-3]. Исходными данными, для расчета задающего генератора являются:

-тип схемы;

-тип активного элемента (биполярный транзистор – для схем рис. 3.1);

-напряжение питания Uпит авт;

-сопротивление Rк авт в коллекторной цепи биполярного транзистора.

Автогенератор собран на составном транзисторе VT1 - VT2 для увеличения входного сопротивления транзисторного каскада.

При расчете RС - генератора необходимо руководствоваться следующими практическими соображениями. Сопротивление нагрузки выбирается так, что-

бы выполнялось условие: Rк авт R (по меньшей мере на порядок, т.е. в 10

раз). Поскольку это сопротивление задано, то при выполнении расчетов нужно следить за тем, чтобы вычисленные значения сопротивлений R в цепи обратной связи удовлетворяли бы указанным условиям.

Существуют рекомендации и по выбору сопротивления базы Rб :

Rб R. Подобный выбор удобнее делать после расчета значений сопротивлений R.

Емкости конденсаторов С цепи обратной связи обычно выбирают в пределах 100 пФ 1 мкФ, а величину емкости разделительного конденсатора Ср -

из условия: Cр С . В пояснительной записке нужно обосновать применение

такого разделительного конденсатора.

В отличие от напряжения питания активного элемента (биполярного транзистора), которое можно найти в исходных данных к работе, напряжение смещения uбэ0, задающее положение рабочей точки на проходной вольтампер-

ной характеристике (ВАХ) транзистора iк F uбэ , выбирается студентами са-

мостоятельно. Если это не оговорено особо, то рабочую точку лучше всего выбрать в середине линейного участка проходной ВАХ.

Расчет генератора считается законченным, если:

-определены значения всех элементов схемы, найдена амплитуда стационарного колебания на выходе генератора;

-приведена полная схема задающего генератора.

Необходимые справочные данные для расчета приведены в разделе 3 (табл. 3.1

и 3.2, рис. 3.1.)

4

Rк авт

В табл. 3.1 использованы обозначения:

Hус j - передаточная функция цепи прямой связи (т.е. активного уси-

лительного элемента);

Sср - средняя крутизна ВАХ активного элемента генератора;

- сопротивление в коллекторной цепи биполярного транзистора;

Ri - внутреннее сопротивление активного элемента;

Hос j - передаточная функция цепи обратной связи;

R- сопротивление в цепи обратной связи;

С- ёмкость в цепи обратной связи;

Rн - входное сопротивление составного транзистора.

Для получения передаточной функции Hус j транзистор был заменен

упрощенной эквивалентной схемой рис. 2.1, т.е. активный элемент был представлен источником тока, управляемым напряжением (ИТУН). Передаточные функции Hос j для цепей обратной связи легко находятся известными из теории электрических цепей методами.

Рисунок 2.1 – Эквивалентная схема звена усиления

При пользовании формулой для Hус j следует иметь в виду, что

обычноRi Rк авт. Этот факт позволяет упростить формулу:

Н

ус

j S

ср

R

S

ср

R

ej .

(2.1)

 

 

к авт

 

к авт

 

 

В таблице 3.2 приведены входные и выходные характеристики некоторых транзисторов.

ПРИМЕР РАСЧЕТА: Рассчитать RС-генератор, выполненный по схеме, рис. 3.1а, на биполярном транзисторе 2Т658А.

Частота генерации fг 10кГц. Напряжение питания Uпит авт 20В.

Сопротивление нагрузки в коллекторной цепи Rк авт 1кОм.

В стационарном режиме работы автогенератора на частоте генерацииг 2 fг должны выполняться условия баланса амплитуд и фаз:

НУС ( г) НОС ( г) 1

,

(2.2)

 

 

)

 

(

) 2

(

ОС

 

 

УС

г

 

г

 

 

 

5

где Hус г , Hос г – модули передаточных функций Hус j

ного элемента), Hос j (цепи обратной связи), соответственно;

ус г , ос г – аргументы этих передаточных функций.

Для заданной схемы:

Нус г SсрRк авт SсрRк авт ej .

(усилитель-

(2.3)

Из формулы 2.3 видно, что ус г , значит для выполнения условия

баланса фаз необходимо, чтобы цепь обратной связи вносила сдвиг фаз, равный. Это будет выполнено при равенстве нулю мнимой части знаменателя выражения Hос j из табл. 3.1:

6 R2

2C2

4R R

0

(2.4)

 

г

н

 

 

Отсюда получаем выражение для частоты генерации:

г

6 4R / Rн

.

(2.5)

 

 

RC

 

Теперь можно записать, что:

Нос г

1

 

.

(2.6)

29 4(R / R )2

23R / R

 

н

н

 

Для схемы, приведенной на рис. 3.1б, также можно получить выражение для частоты генерации:

 

г

 

1

 

R Rн

(2.7)

RC

3R 6R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

н

 

и коэффициента передачи цепи обратной связи на частоте генерации:

 

 

 

(R Rн)Rн

 

 

Hос( г)

 

 

.

(2.8)

 

29R2

38RR 12R2

 

 

н

н

 

 

Найдём значения сопротивлений Rн и R, входящих в 2.5, 2.6 для расчёта

г

и Hос( г).

 

 

 

 

 

Входное сопротивление Rн составного транзистора:

 

 

 

Rн Rбэ2,

(2.9)

где - коэффициент усиления транзистора по току (для VT1); Rбэ2 – входное сопротивление транзистора VT2.

Для определения и Rбэ2 нужно выбрать рабочую точку транзистора. Для этого вначале необходимо построить проходную характеристику

транзистора iк F uбэ – зависимость значения тока в выходной цепи от вход-

6

ного напряжения uбэ . В свою очередь, исходными для построения проходной характеристики являются:

 

входная характеристика транзистора iб F uбэ

(рис.2.2);

 

выходная характеристика транзистора iк F uкэ

(рис.2.3).

Эти и подобные им характеристики для разных типов транзисторов являются справочным материалом и приведены в настоящем пособии в разделе 3,

табл. 3.2.

На семействе выходных характеристик используемого транзистора 2Т658А (рис. 2.3) проводится нагрузочная прямая через точки с координатами:

0;Uпит авт и Uпит авт

Rк авт;0 .

iб,мA

1,5

1,0

0,5

0uбэ, В

0,1 0,2 0,3

Рисунок 2.2 – Входная характеристика транзистора

iк , мА

20

iб 0,1мA

16

12

8

iб

4

0

5 10 15 20 25 uкэ, В

Рисунок 2.3 – Выходные характеристики транзистора

По точкам пересечения нагрузочной прямой с выходными характеристиками строим промежуточную характеристику iк F uбэ . Для этих целей удобно составить таблицу:

Таблица 2.1 – Промежуточная характеристика

iб, мA

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1,0

1,1

iк, мA

2,5

4,6

6,5

8,2

10,0

12,2

13,8

15,0

16,3

17,3

18,2

7

iк,мA

20

16

12

8

4

iб,мA

0

0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2

Рисунок 2.4 – Промежуточная характеристика

Затем используя полученную зависимость (рис. 2.4) и входную характеристику iб F uбэ (рис. 2.2), определяют требуемую зависимость: iк F uбэ

(рис. 2.5).

Рассмотрим расчет проходной характеристики подробнее. Зададим значение напряжения uбэ 0,1В и по входной характеристике транзистора

iб F uбэ (рис. 2.2) определим соответствующее ему значение тока базы iб uбэ 0,1В 0,1мA. Затем по промежуточной характеристике iк F iб (рис. 2.4)

определим соответствующее ему значение тока коллектора iк iб 0,1мA 2,5мA.

Все данные, необходимые для построения характеристики, сведены в таблицу 2.2:

Таблица 2.2 – Проходная характеристика

uбэ, В

0,1

0,15

0,2

0,25

0,27

0,3

0,35

iб, мA

0,1

0,25

0,5

0,8

1,0

1,25

1,75

iк, мA

2,5

5,5

10,0

15

17,3

18,2

18,2

По проходной характеристики определяют положение рабочей точки. Лучше всего задаться значением uбэ0 0,2В– это середина линейного участка проходной ВАХ, изображенной на рисунке 2.5.

Определим входное сопротивление составного транзистора Rн , являющееся нагрузкой для звена обратной связи.

Сначала по входной ВАХ транзистора определяют динамическое входное сопротивление транзистора VT2 в рабочей точке:

R

 

 

 

 

 

uбэ

 

0,25 0,15

0,2 кОм.

(2.10)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

бэ2

 

u

бэ0

0,2В

 

iбэ

0,75 0,25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Затем определим коэффициент усиления транзистора по току:

8

 

iк0

 

 

 

10

20.

(2.11)

iб0

 

 

u

0,5

 

 

 

 

 

 

бэ0 0,2В

 

Зная Rбэ2 и , по формуле 2.9 можно рассчитать сопротивление Rн со-

ставного транзистора:

 

 

 

 

Rн Rбэ2 20 0,2 4 кОм

 

Величину сопротивления R выбирают из условия R Rк авт.

Зададим

первоначально R 10 Rк авт 10кОм.

Но эту величину необходимо уточнить

при дальнейшем расчёте.

 

 

 

 

Определим амплитуду стационарного колебания на выходе генератора. Для этого построим зависимость средней крутизны проходной характеристики

Sср от амплитуды напряжения обратной связи

umбэ: Sср F umбэ .

Значение средней крутизны для разных значений uбэ

можно определить

по формуле:

0,5(iк max iк min)

 

Sср

 

 

 

.

(2.12)

um бэ

 

Представим все расчёты в виде таблицы:

Таблица 2.3 – Данные для построения средней крутизны

 

 

umбэ, В

 

0,05

0,1

0,15

 

0,2

 

 

 

iк max, мA

 

15

18,2

18,2

 

18,2

 

 

 

iк min, мA

 

5,5

2,5

1,0

 

0

 

 

 

Sср, мA B

 

95

78,5

57,3

 

45,5

 

Определение

величины

iк max и

iк min

для

uбэ 0,05В показано в на

рис.2.5.

iк,мA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

iкmax 16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

iк0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

um бэ

 

 

 

 

 

 

 

iкmin

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

uбэ0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 uбэ,B

0,1 0,2 0,3 0,4

Рисунок 2.5 – Проходная характеристика

9

На основании таблицы 2.3 строится характеристика Sср F umбэ . Она приведена на рис.2.6.

Sср, мAB

100

80 Scp*

60

40

20

0umбэ, В

0,1 Umбэ 0,2

Рисунок 2.6 – Зависимость средней крутизны от напряжения umбэ

Для того чтобы определить стационарное амплитудное значение Umбэ

необходимо предварительно рассчитать значение средней крутизны в стацио-

нарном режиме

Sср* .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Известно,

что Н

ус

 

г

S*

R

 

 

 

 

 

. С другой стороны из баланса ампли-

 

 

 

 

 

 

 

ср

 

 

к авт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

туд Нус г 1

Нос г . Отсюда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*

 

 

 

 

Нус( г)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sср

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

(2.13)

 

 

 

R

 

 

 

 

H

oc

(

г

)R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к авт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к авт

 

 

 

 

 

 

 

 

Определим значение

 

Нос г

 

для рассчитанных значений

 

Rн

и R.

 

Нос( г)

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

1

 

(2.14)

 

 

 

R 2

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10 2

 

 

 

 

111,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

29 4

 

 

 

 

23

 

 

 

 

 

 

 

 

29 4

 

 

23

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rн

 

 

 

Rн

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

4

 

 

 

 

 

Для этого расчётного значения

 

 

Нос г

средняя стационарная крутизна

 

*

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

111,5

111,5мA B

 

 

 

 

 

 

 

равна

Sср

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.15)

Hoc( г)Rк авт

1 103

 

 

 

 

 

 

 

Полученное значение

Sср*

 

 

 

 

больше

 

максимального значения Sср

111,5мA B 95мA B ,

поэтому при таком значении

 

R точки стационарного

режима не существует.

 

Схема не будет генерировать колебания.

 

 

 

 

10