- •Физические основы электроники
- •200 800, 200 900, 201 000, 201 100, 201 200, 201 400
- •Содержание
- •Введение
- •1 Основы теории электропроводности полупроводников
- •1.1 Общие сведения о полупроводниках
- •1.1.1 Полупроводники с собственной электропроводностью
- •1.1.2 Полупроводники с электронной электропроводностью
- •1.1.3 Полупроводники с дырочной электропроводностью
- •1.2 Токи в полупроводниках
- •1.2.1 Дрейфовый ток
- •1.2.2 Диффузионный ток
- •1.3 Контактные явления
- •1.3.2 Прямое включение p-n перехода
- •1.3.3 Обратное включение р-п-перехода
- •1.3.4 Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.5 Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.6 Емкости p-n перехода
- •1.4 Разновидности электрических переходов
- •1.4.1 Гетеропереходы
- •1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности
- •1.4.3 Контакт металла с полупроводником
- •1.4.4 Омические контакты
- •1.4.5 Явления на поверхности полупроводника
- •2 Полупроводниковые диоды
- •2.1 Классификация
- •2.2 Выпрямительные диоды
- •2.2 Универсальные и импульсные диоды
- •2.3 Стабилитроны и стабисторы
- •2.4 Варикапы
- •3 Биполярные транзисторы
- •3.1 Общие сведения
- •3.2. Принцип действия биполярного транзистора
- •3.3. Токи в транзисторе
- •3.4. Статические характеристики биполярных транзисторов
- •3.5. Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •3.6 Модели бт
- •3.7. Эксплуатационные параметры транзисторов
- •3.8 Частотные свойства биполярных транзисторов
- •4 Полевые транзисторы
- •4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором
- •4.3. Дифференциальные параметры полевого транзистора
- •4.4 Эквивалентная схема пт
- •4.5 Частотные свойства полевых транзисторов
- •3.10 Работа транзистора в усилительном режиме
- •3.11 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды
- •3.12 Работа транзистора в режиме переключения
- •3.13 Переходные процессы при переключении транзистора
- •Литература
- •Физические основы электроники
2.2 Универсальные и импульсные диоды
Они применяются для преобразования высокочастотных и импульсных сигналов. В данных диодах необходимо обеспечить минимальные значения реактивных параметров, что достигается благодаря специальным конструктивно-технологическим мерам.
Одна из основных причин инерционности полупроводниковых диодов связана с диффузионной емкостью. Для уменьшения времени жизни используется легирование материала (например, золотом), что создает много ловушечных уровней в запрещенной зоне, увеличивающих скорость рекомбинации и, следовательно, уменьшается Сдиф.
Разновидностью универсальных диодов является диод с короткой базой. В таком диоде протяженность базы меньше диффузионной длины неосновных носителей. Следовательно, диффузионная емкость будет определяться не временем жизни неосновных носителей в базе, а фактически меньшим временем нахождения (временем пролета). Однако осуществить уменьшение толщины базы при большой площади p-nперехода технологически очень сложно. Поэтому изготовляемые диоды с короткой базой при малой площади являются маломощными.
В настоящее время широко применяются диоды с p-i-nструктурой, в которой две сильнолегированные областиp- иn-типа разделены достаточно широкой областью с проводимостью, близкой к собственной (i-область). Заряды донорных и акцепторных ионов расположены вблизи границi-области. Распределение электрического поля в ней в идеальном случае можно считать однородным (в отличие от обычногоp-nперехода). Таким образом,i-область с низкой концентрацией носителей заряда, но обладающей диэлектрической проницаемостью можно принять за конденсатор, «обкладками» которого являются узкие (из-за большой концентрации носителей вp- иn-областях) слои зарядов доноров и акцепторов. Барьерная емкостьp-i-nдиода определяется размерамиi-слоя и при достаточно широкой области от приложенного постоянного напряжения практически не зависит.
Особенность работы p-i-nдиода состоит в том, что при прямом напряжении одновременно происходит инжекция дырок изp-области и электронов изn-области вi-область. При этом его прямое сопротивление резко падает. При обратном напряжении происходит экстракция носителей изi-области в соседние области. Уменьшение концентрации приводит к дополнительному возрастанию сопротивленияiобласти по сравнению с равновесным состоянием. Поэтому дляp-i-nдиода характерно очень большое отношение прямого и обратного сопротивлений, что благоприятно сказывается при использовании их в переключательных режимах.
В качестве высокочастотных универсальных используются структуры Шоттки и Мотта. В этих приборах процессы прямой проводимости определяются только основными носителями заряда. Таким образом, у рассматриваемых диодов отсутствует диффузионная емкость, связанная с накоплением и рассасыванием носителей заряда в базе, что и определяет их хорошие высокочастотные свойства.
Отличие барьера Мотта от барьера Шоттки состоит в том, что тонкий i-слой создан между металлом М и сильно легированным полупроводникомn+, так что получается структура М-i-n. В высокоомномi-слое падает все приложенное к диоду напряжение, поэтому толщина обедненного слоя вn+-области очень мала и не зависит от напряжения. И поэтому барьерная емкость практически не зависит от напряжения и сопротивления базы.
Наибольшую рабочую частоту имеют диоды с барьером Мотта и Шоттки, которые в отличие от p-n-перехода почти не накапливают неосновных
носителей заряда в базе диода при прохождении прямого тока и поэтому имеют малое время восстановления tВОСТ(около 100 пс).
Разновидностью импульсных диодов являются диоды с накоплением заряда (ДНЗ) или диоды с резким восстановлением обратного тока (сопротивления). Импульс обратного тока в этих диодах имеет почти прямоугольную форму (рисунок 2.6). При этом значение t1может быть значительным, ноt2должно быть чрезвычайно малым для использования ДНЗ в быстродействующих импульсных устройствах.
Рис. 2.6. Временные диаграммы тока через импульсный диод.
Получение малой длительности t2связано с созданием внутреннего поля в базе около обедненного слояp-n-перехода путем неравномерного распределения примеси. Это поле является тормозящим для носителей, пришедших через обедненный слой при прямом напряжении, и поэтому препятствует уходу инжектированных носителей от границы обедненного слоя, заставляя их компактнее концентрироваться вблизи границы. При подаче на диод обратного напряжения (как и в обычном диоде) происходит рассасывание накопленного в базе заряда, но при этом внутреннее электрическое поле уже будет способствовать дрейфу неосновных носителей к обедненному слою перехода. В моментt1, когда концентрация избыточных носителей на границах перехода спадает до нуля, оставшийся избыточный заряд неосновных носителей в базе становится очень малым, а, следовательно, оказывается малым и времяt2спадания обратного тока до значенияI0.