3 Литература
1 Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – СПб.: Издательство «Лань», 2008, с.155-216.
2 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с. 274-280.
3 Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998, с.201-214.
4 Савиных В.Л. Конспект лекций. Электронная версия. СибГУТИ. 2009
4 Гимс, используемые в работе
В лабораторной работе используются ГИМС серии К217. Исследуются микросхемы К217ЛБ2, К217ЛБ3, К217ЛБ4, К217ТР1 и К217ТК1. Принципиальные схемы приведены на рисунках 1-5.
5 Задание к работе в лаборатории
5.1 Записать тип исследуемой микросхемы согласно заданного варианта.
5.2 Извлечь файл " ГИМС" из папки "Электроника" и выбрать топологию соответствующей ИМС.
5.3 Используя принципиальную схему, найти и обозначить её элементы на топологическом чертеже.
5.4 Для заданного варианта резистора Rm (таблица 1) определить его длину lm и ширину bm , а затем рассчитать коэффициент формы Кфm=lm/bm. Результаты представить в соответствии с таблицей 2.
Таблица 1- Варианты заданий
|
№ вар |
Тип ГИМС |
Rm |
Величина Rm, Ом |
Rn |
№ вар |
Тип ГИМС |
Rm |
Величина Rm, Ом |
Rn |
|
1 |
ЛБ2 |
R1 |
3300 |
R5 |
9 |
ЛБ4 |
R3 |
3300 |
R9 |
|
2 |
ЛБ2 |
R2 |
3300 |
R5 |
10 |
ТР1 |
R1 |
3000 |
R7 |
|
3 |
ЛБ2 |
R3 |
7500 |
R5 |
11 |
ТР1 |
R2 |
3000 |
R8 |
|
4 |
ЛБ2 |
R4 |
7500 |
R5 |
12 |
ТР1 |
R3 |
3000 |
R7 |
|
5 |
ЛБ3 |
R1 |
4700 |
R3 |
13 |
ТР1 |
R4 |
3000 |
R8 |
|
6 |
ЛБ3 |
R1 |
4700 |
R4 |
14 |
ТК1 |
R1 |
3000 |
R7 |
|
7 |
ЛБ4 |
R1 |
3300 |
R7 |
15 |
ТК1 |
R2 |
4200 |
R8 |
|
8 |
ЛБ4 |
R2 |
3300 |
R8 |
16 |
ТК1 |
R3 |
3000 |
R7 |
Таблица 2- Вариант №....., (тип микросхемы)
|
Rm, Ом |
lm |
bm |
КФm |
RS, Ом/ |
ln |
bn |
КФn, |
Rn, Ом (расч) |
Rn, Ом (измер) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5.5 Используя коэффициент формы, рассчитать удельное сопротивление пленки Rs=Rm/Kфm.
5.6 Определить длину ln и ширину bn резистора Rn, рассчитать Кфn, а затем величину его сопротивления Rn= Кфn× Rs.
Измерить при помощи омметра величину сопротивления Rn и сравнить ее с расчетной.
6 Указания к составлению отчета
6.1 Привести принципиальную схему и чертеж топологии ГИМС с обозначением всех элементов и компонентов.
6.2 Результаты исследований по форме таблицы 2.
Рисунок 1- Принципиальная схема ГИМС К217ЛБ2
Рисунок 2- Принципиальная схема ГИМС К217ЛБ3
Рисунок 4- Принципиальная схема ГИМС К217ЛБ4
Рисунок 3- Принципиальная схема ГИМС К217ТР1
Рисунок 5- Принципиальная схема ГИМС К217ТК1
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводниковыхинтегральных микросхем