Федеральное агентство связи

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики»

(ГОУ ВПО «СИБГУТИ»)

В.Л. Савиных

С.В. Воробьева

Э.Н. Шилай

Электроника

Практикум

Новосибирск 2010

УДК 621.3.049.77

Ктн, доцент В.Л. Савиных

ктн, доцент С.В. Воробьева

асс. Э.Н. Шилай

Кафедра технической электроники.

Иллюстраций 46, таблиц 49.

Рецензент к.т.н., доц. Матвеев В.А.

Методические указания предназначаются для студентов дневной и заочной форм обучения по направлениям 210 300, 210 400, 230 100.

Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве

методических указаний.

 Сибирский государственный университет телекоммуникаций и

информатики, 2010 г.

Содержание

Лабораторная работа № 1 Исследование гибридных интегральных микросхем..4

Лабораторная работа №2Исследование полупроводниковых интегральных

микросхем……………………………………………………………………………9

Лабораторная работа №3Исследование усилителя на биполярном

транзисторе …………………………………………………………………………13

Лабораторная работа №4 Исследование усилителя на полевом транзисторе ...19

Лабораторная работа № 5Исследование характеристик и параметров

операционного усилителя ........................................................................................25

Лабораторная работа №6Исследование функциональных узлов на основе

операционного усилителя …..………………………..……………………………34

Лабораторная работа № 7Исследование работы биполярного транзистора в

режиме ключа ……..……………………………………………………….....……45

Лабораторная работа №8Исследование логических интегральных микросхем

на биполярных транзисторах ………………… ……………………….………….50

Лабораторная работа № 9Исследование логических интегральных микросхем

на полевых транзисторах ………………………………....….………...……..…..56

Лабораторная работа №1

Исследование гибридных интегральных микросхем

1 Цель работы

Изучить устройство гибридных интегральных микросхем (ГИМС) и определить параметры пассивных элементов.

2 Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Устройство ГИМС;

2.1.2 Подложки ГИМС. Требования, предъявляемые к материалам подложек, материалы подложек;

2.1.3 Устройство резисторов, конденсаторов, индуктивностей, пленочных проводников и контактных площадок в составе ГИМС. Требования к материалам этих элементов;

2.1.4 Методы изготовления тонкопленочных резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок ГИМС;

2.1.5 Навесные компоненты ГИМС, особенности их устройства и монтажа;

2.1.6 Конструкция корпусов ГИМС.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Рассказать о конструкции ГИМС.

2.2.2 Рассказать о требованиях, предъявляемых к материалам, использу-емых для подложек ГИМС. Какие материалы используются для подложек?

2.2.3 Рассказать о требованиях, предъявляемых к резисторам, конденсаторам, индуктивностям, пленочныым проводникам и контактным площадкам в составе ГИМС.

2.2.4 От каких факторов зависит величина сопротивления резисторов и емкости конденсаторов?

2.2.5 Какими методами изготавливается заданная конфигурация тонкопленочных резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок ГИМС?

2.2.6 Рассказать о конструкции навесных компонентов ГИМС.

2.2.7 Рассказать о конструкции корпусов ГИМС.