Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
СОДЕРЖАНИЕ.doc
Скачиваний:
5
Добавлен:
28.03.2015
Размер:
677.38 Кб
Скачать

Содержание

Введение 3

1.Элементарная база 4

2.Структурная схема 13

3.Анализ работы узлов 15

4.Расчетная часть 21

5.Технологическая часть 22

6.Техника безопасности 24

Список использованных источников 26

Приложение А 27

Введение

Ограничив функциональность известного по публикациям в Интернете адаптера программирования Willems Eprom Programmer работой только с "параллельными" FLASH РПЗУ автору предлагаемой статьи удалось упростить адаптер, перевести его на доступную элементарную базу и даже использовать для записи информации самодельные картриджи для игровой видеоприставки. При этом сохранена совместимость адаптера с оригинальным программным обеспечением.

Основой для разработки предлагаемого ниже устройства послужила конструкция, описанная в Интернете.

Там же можно проследить довольно интересную историю его создания с многочисленными программными и аппаратными доработками выполненными автором, и его последователями.

Результат - универсальный адаптер, подключаемый к порту LTP компьютера, способный программировать микросхемыFLASH-памяти, EPROM, EEPROM, Nonvalatile SRAM, микроконтролерры фирмMicrochip, Intel, Atmel, Philips получился несомненно, хорошим, но слишком сложным для повторения. Даже наборы деталей и готовые адаптеры, которые можно приобрести через Интернет, слишком дороги для рядового радиолюбителя.

Но если не ставить задачу программировать все в мире микросхемы памяти, можно значительно упростить адаптер и перевести его на доступную элементарную базу.

В денежном выражении экономия, по сравнению с покупкой универсального программатора, может превысить тридцатикратную.

1.Элементная база

1 Микросхема К555ЛН1

1.1.1 Микросхема представляет собой инвертор

1.1.2 Условно графическое обозначение

1.1.3 Назначение выводов

1 Вход данных

2 Выход данных

3 Вход данных

4 Выход данных

5 Вход данных

6 Выход данных

7 Общий GND

8 Вход данных

9 Выход данных

10 Вход данных

11 Выход данных

12 Вход данных

13 Выход данных

1.1.4 Электрические параметры

Номинальное напряжение питания 5

Функциональность НЕ

Выходное напряжение низкого уровня 0.4

Ток потребления , мА 11.5

Выходное напряжение высокого уровня 2.7

Выходной ток высокого уровня 0.02

1.1.5 Работа

К555ЛН1Цифровая микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К555ЛН1 представляют собой шесть логических элементов НЕ. Содержат 84 интегральных элемента. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.

1.2 Микросхема К561ЛН3

1.2.1 Назначение

Основное назначение микросхем К561ЛНЗ - поочередная подача на одну магистраль сигналов от различных источников, причем благодаря большой нагрузочной способности микросхемы магистраль может иметь большую емкость и большое число подключенных к ней нагрузок и источников

сигналов. Эти микросхемы могут найти также широкое применение в качестве буферных элементов.

* Маркировку "ЛН" следует оставить на совести советских

разработчиков.

1.2.2 Условно графическое обозначение

1.2.3 Электрические параметры

Напряжение питания (Uпит) +3..+18V

Параметры при Uпит= 5V +10V +15V

Ток потребления (статический) 1µA < 2µA < 4µA

Выходное напряжение лог. "0", не более 0,05V 0,05V 0,05V

Выходное напряжение лог. "1", не менее 4,95V 9,95V 14,95V

Входное напряжение лог. "0", не более 1,5V 3V 4V

Входное напряжение лог. "1", не менее 3,5V 7V 11V

Входной ток лог. "0"/"1" < 0,1uA

1.2.4 Назначение выводов

1 EA Управление канал1

2 IN1 Вход1

3 OUT1 Вход1

4 IN2 Вход2

5 OUT2 Выход2

6 IN3 Вход3

7 OUT3 Выход3

8 GND Общий

9 IN4 Вход4

10 OUT4 Выход4

11 IN5 Вход5

12 OUT5 Выход5

13 IN6 Вход6

14 OUT6 Выход6

15 EB Управление канал2

16 +Uпит Питание

1.2.5 Работа

Повторители микросхемы К561ЛН3 объединены в две группы (по 4 и 2 элемента соответственно) с общими стабилизирующими входами E внутри каждой группы. Стробирующие входы инверсные. Подача лог."0" на вход EA(EB) разрешает работу всех буферных повторителей группы. Подача лог."1" на вход EA(EB) переводит выходы повторителей данной группы в высоко-импульсное состояние.

1.3 Микросхема КР142ЕН5А

1.3.1 Описание

КР142ЕН5А - линейный положительный стабилизатор

напряжения в корпусе ТО-220 с фиксированным выходным

напряжением 5В.

1.3.2 Условно графическое обозначение

1.3.3 Назначение выводов

1 INPUT ВХОД

2 GND ОБЩИЙ

3 OUTPUT ВЫХОД

1.3.4 Электрические характеристики

Выходное напряжение 5В±0,1В

Входное напряжение 7,5..15В

Максимальный выходной ток (T=-45..+100°С) 2А*

Максимальный выходной ток (T=-20..+40°С) 3А*

Максимальная рассеиваемая мощность (T=-45..+70°С) 10Вт

Максимальная рассеиваемая мощность (T=+100°С) 5Вт

Максимальная рассеиваемая мощность около 1,8Вт

Ток потребления, не более10мА

Дрейф напряжения, не более1,5%

Коэффициент нестабильности по напряжению, не более 0,05% / В

Температурный коэффициент напряжения, не более 0,02% / °С

Температура окружающей среды -45..+100°С

1.3.5 Работа

Выходной ток также ограничен максимальной рассеиваемой мощностью. Например при максимальном входном напряжении 15В максимальный выходной ток не может превышать 1А:

Iвых.макс.=Pmax/(Uвх-Uвых)=10/(15-5)=1А.

Корпус: TO-220 Металлический фланец стабилизаторов

соединен с общим проводом (вывод 2).

1.4 Микросхема К555ИР9

1.4.1 Описание

Микросхема К555ИР9 представляет собой 8-ми разрядный сдвиговый регистр с параллельным вводом информации.

1.4.2 Условно графическое обозначение

1.4.3 Назначение выводов

1. Запись-чтение ®WR

2. Тактовый вход C

3. Вход D4

4. Вход D5

5. Вход D6

6. Вход D7

7. Инверсный выход Q7

8. Общий GND

9. Прямой выход Q7

10. Последовательный вход D®

1.6.3 Назначение выводов

11. Вход D0

12. Вход D1

13. Вход D2

14. Вход D3

16. Питание Ucc

1.4.4 Электрические параметры

Ucc = 5,25 В;

U1вых і 0,5 В;

U0вых і 2,4 В;

Iпотр Ј 20 мА;

I0вх Ј 0,4 мА;

I1вх Ј 0,02 мА;

I0вых і 8 мА;

I1вых Ј -2,6 мА;

tздр Ј 65 нс)

Потребляемая мощность микросхемы К555ИР9 равна:

Pпотр = 105 мВт

1.4.5 Работа

тот регистр позволяет записывать параллельный восьмиразрядный код. Преобразование параллельного кода в последовательный происходит за восемь тактов подаваемых на синхронизирующий вход С. На первом такте подаваемом на вход С параллельный восьмиразрядный код записывается как

Q0~Q7 (Qi – состояние выхода i-го разряда), для этого подаем низкий потенциал на вход ®WR переключая тем самым регистр в режим записи. На первом такте значение Q7 передается на выход. На втором такте подаваемом на С параллельный код Q0~Q7 сдвигается на один разряд Q0~Q1, Q1~Q2, …, Q6~Q7. Последовательный вход D~ заземляем, поэтому в первый разряд записывается нуль (Q0 = 0). На выходе появляется следующий импульс. За восемь тактов весь код выходит из регистра последовательно.

1.5 Светодиод АЛ307ГМ

1.5.1 Назначение

Светодиод АЛ307ГМ предназначен для работы в устройствах индикации для визуального наблюдения событий.

1.5.2 Условно-графическое обозначение и внешний вид:

1.5.3 Электрические параметры

Цвет свечения зеленый

Тип светодиода одноцветные

Минимальная сила света Iv мин.мКд 1.5

Максимальная сила света Iv макс.мКд 1.5

Длина волны,нм 562

при токе Iпр.,мА 10

Тип монтажа в отверстие

Форма линзы круглая

Цвет линзы цветная матовая

Габаритные размеры, мм 5

Максимальный ток, мА -

Максимальное напряжение, В 2.8

1.5.4 Работа

Работа устроена на явлении рекомбинации. При рекомбинации в прилегающих областях полупроводника происходит соединение электронов и дырок, при этом электрон переходит на уровень вверх и испускает видимый фотон.

1.6 Светодиод АЛ307БМ

1.6.1 Назначение

Светодиод АЛ307БМ предназначен для работы в устройствах индикации, для визуального наблюдения событий.

1.6.2 Условно графическое обозначение:

1.6.3 Электрические параметры

Цвет свечения красный

Тип светодиода одноцветные

Тип монтажа в отверстие

Длина волны, нм 655

Минимальная сила света Iv мин.,мКд 0.9

Максимальная сила света Iv макс.,мКд 0.9

при токе Iпр.,мА 10

Видимый телесный угол, град 20

Цвет линзы матовая

Форма линзы круглая

Размер линзы, мм 5

Максимальное прямое напряжение ,В 2

Рабочая температура ,С -60…70

1.6.4 Работа

Работа устроена на явлении рекомбинации. При рекомбинации в прилегающих областях полупроводника происходит соединение электронов и дырок, при этом электрон переходит на уровень вверх и испускает видимый фотон.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]