- •Технология моделирования электронных устройств с использованием программы multisim Введение
- •Интерфейс программы Multisim
- •Главная панель инструментов
- •Панели электрорадиоэлементов
- •Панель приборов
- •Использование Справки (Help)
- •Создание новой схемы
- •Установка элементов
- •Соединение элементов
- •Установка измерительных приборов
- •Включение схемы
- •Моделирование работы схемы
- •Мультиметр
- •Функциональный генератор
- •Двухканальный осциллограф
- •Графопостроитель
- •Генератор слов
- •Логический анализатор
- •Логический преобразователь
- •Моделирование электронных устройств при помощи программы Multisim Моделирование интегрирующей rc – цепи
- •Моделирование дифференцирующей rc – цепи
- •Требования к оформлению отчетов
- •Примерный вариант типового отчета (фрагмент анализа интегрирующей rc – цепи)
- •Лабораторная работа №1. Исследование полупроводниковых диодов Электронно-дырочный переход (p-n переход)
- •Ступенчатые и плавные р-n переходы
- •Симметричные, несимметричные и односторонние р-n переходы
- •Вольтамперная характеристика р-n перехода
- •Пробои р-n перехода
- •Емкости р-n перехода
- •Светодиод
- •Исследование характеристик диодов
- •Задание на лабораторную работу №1
- •Лабораторная работа №2. Исследование выпрямительных схем
- •3.10.1. Назначение и состав схем выпрямления
- •Требования к выпрямителям
- •Коэффициент пульсаций
- •Однополупериодная схема выпрямления
- •Достоинства и недостатки
- •Задание на лабораторную работу
- •Задание на лабораторную работу №2
- •3.10.9. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3. Исследование стабилизаторов напряжения
- •Однокаскадный стабилизатор напряжения
- •Пример работы схемы однокаскадного стабилизатора напряжения приведен на рис. 44.
- •Коэффициент стабилизации
- •Однокаскадный стабилизатор напряжения c термокомпенсацией
- •Задание на лабораторную работу
- •Задание на лабораторную работу №3
- •Исследование вах биполярных транзисторов
- •Коэффициента передачи по току
- •Задание на лабораторную работу
- •Задание на лабораторную работу №5
- •Полевые транзисторы с р–n переходом
- •Транзисторы с n-каналом и р-каналом
- •Схемы включения
- •Мдп-транзисторы
- •Управление мдп-транзистором через подложку
- •Режимы обеднения и обогащения
- •Преимущества мдп-транзисторов
- •Разновидности мдп-транзисторов
- •Исследования характеристик мдп-транзисторов
- •Задание на лабораторную работу
- •Задание на лабораторную работу №8
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6. Исследование транзисторных усилительных схем Базовые усилительные каскады
- •Усилительный каскад по схеме с об
- •Исследование усилительного каскада по схеме с оэ
- •Параметры усилительных каскадов
- •Задание на лабораторную работу
- •Задание на лабораторную работу
- •Открытое состояние ключа
- •Насыщение ключа
- •Быстродействие ключей
- •Элементы связи
- •Ключевой каскад ттл
- •Отрицательная обратная связь
- •Диоды Шоттки
- •Недостатки ненасыщенного транзисторного ключа
- •Задание на лабораторную работу
- •Задание на лабораторную работу
- •Контрольные вопросы
Задание на лабораторную работу №8
№ варианта |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
Транзистор VT1 |
2N4856 |
2N4857 |
2N4858 |
2N4859 |
2N4860 |
2N4861 |
2N5452 |
2N5454 |
2N5433 |
2N5432 |
Транзистор VT2 |
BST100 |
BST110 |
BST120 |
BST122 |
IRF5210 |
IRF5305 |
IRF7404 |
IRF9530 |
IRFI5210 |
IRFI5305 |
№ варианта |
11 |
12 |
13 |
14 |
15 |
16 |
17 |
18 |
19 |
20 |
Транзистор VT1 |
2N2608 |
2N2609 |
2N4381 |
2N5018 |
2N5019 |
2N5020 |
2N5021 |
2N5114 |
2N5115 |
2N5116 |
Транзистор VT2 |
IRF230N |
IRF540N |
BS170 |
IRF1310 |
IRF250 |
IRF510 |
IRF540 |
IRF520 |
IRF830 |
IRF840 |
Контрольные вопросы
Основные отличия полевых транзисторов от биполярных.
Преимущества полевых транзисторов.
Устройство полевого транзистора с р-n переходом.
Основные процессы в полевых транзисторах.
Способы управления током в полевых транзисторах.
Отличие полевых и канальных транзисторов.
Устройство МДП-транзисторов.
Отличие МДП- и МОП-транзисторов.
Отличительные признаки МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом.
Режимы работы МДП-транзисторов.
Принцип действия МДП-транзисторов.
Роль подложки в МДП-транзисторах.
Пороговое напряжение и напряжение отсечки.
Схемы включения полевых транзисторов.
Изоляция рабочих областей МДП-транзисторов от подложки.
Управление МДП-транзистором через подложку.
Разновидности МДП-транзисторов.
Лабораторная работа № 6. Исследование транзисторных усилительных схем Базовые усилительные каскады
Основные схемы построения усилителей на биполярных транзисторах определяются возможными способами их включения: ОБ, ОЭ и ОК. Базовые схемы усилителей со вспомогательными элементами показаны на рис. 54.
Рис. 54. Базовые усилительные каскады с ОБ (а, б), ОЭ (в) и ОК (г)
Здесь:
–напряжение питания;
–входное напряжение;
–выходное напряжение;
–напряжение источника смещения;
–сопротивление коллекторной нагрузки;
–разделительный конденсатор;
–блокировочный конденсатор;
–эмиттерное сопротивление;
–резисторы делителя, задающего режим каскада по постоянному току.
Усилительный каскад по схеме с об
Особенностью классической схемы каскада с ОБ (рис. 54.а) является наличие отдельного источника смещения , с помощью которого задается режим транзистора по постоянному току, что достаточно неудобно. Поэтому на практике используется каскад с ОБ по схеме рис. 54.б, в котором режим по постоянному току задается делителем на резисторах, а по переменному току база соединена с "землей" через блокировочный конденсатор Сb.
Исследование усилительного каскада по схеме с оэ
В схеме с ОЭ (рис. 55) использованы функциональный генератор для моделирования входного сигнала и осциллограф для просмотра входного и выходного сигналов. Удобно использовать индикаторные вольтметры для контроля напряжений на электродах транзистора в статическом режиме. На рис. 56 представлены осциллограммы входного и выходного напряжений в схеме с ОЭ.