- •2.Операционды күшейткіш негізіндегі инверттемейтін күшейткіш.
- •3.Операционды күшейткіш негізіндегі инверттейтін күшейткіш.
- •4.Инверттейтін сумматор
- •Қосып-алу схемасы. Баланс шарты.
- •5.Инверттемейтін сумматор
- •6.Алгебралық теңдеулер жүйесін шешу схемалары.
- •7. Масштабтық коэффициентпен суммалайтын схемалар
- •8.Интегратор
- •9.Айырымдық интегратор. Үшрежимді интегратор.
- •11.Қос интегралды орындайтын схемалар.
- •12. Дифференциатор.
- •13. Айырымдық дифференциатор.
- •14. Дифференциалдық теңдеулер жүйесін шешу схемалары
- •15. Логарифмдік түрлендіру схемалары. Көбейткіш.
- •16. Шалаөткізгіштер физикасы. Ферми деңгейі. Шалаөткізгіштік материалдар.
- •17. P және n типті шалаөткізгіштер. P – n өткелі және оның вольт – амперлік сипаттамасы.
- •18. Диодтар. Қолдану мақсаты мен дайындау тәсілдері бойынша диодтардың классификациясы
- •19. Диод түрлері. Диодтардың жалпы қасиеттері мен параметрлері.
- •20. Транзисторлар, олардың классификациясы. Транзисторлардың жұмыс істеу (күшейткіш) принципі мен оларды қосу схемалары.
- •21. Биполярлық транзисторлар. Екі p – n өткелі бар структуралардың қасиеттері.
- •22. Биполярлық транзисторлар. Статикалық сипаттамалары, h-параметрі. Транзистордың жоғары жиілік және импульстік режимдерде жұмыс істеуі.
- •23. Биполярлық транзисторлар. Қосу схемалары. Типтік қосылулардың эквивалент схемалары және олардың параметрлері
- •24 Биполярлық транзисторлар. Олардың типтері мен ерекшеліктері. Басқармалы p – n өткелі бар биполярлық транзисторлар
- •25. Өрістік транзисторлар. Қосылу схемалары. Статикалық сипаттамалары мен параметрлері
- •Өрістік қосылу сұлбалары және кіріс шығыс параметрлері
- •26. Фильтрлер. Олардың түрлері мен аналогтық схемалары.
- •30. Шалаөткізгіштердегі өткізгіштіктік түрлері. Меншікті және қоспалы өткізгіштік.
- •31. Кіріс сигналын 10 есе күшейтетін иверттемейтін күшейткіш схемасын сызыңыз.
- •32. Кіріс сигналын 10 есе күшейтетін иверттейтін күшейткіш схемасын сызыңыз.
- •46. Берілген екі сигналдың 10*sin(2*pi*10*t) - 20*cos(2*pi*10*t) айырымын интегралдайтын айырымдық интегратор схемасын сызыңыз
- •47. Берілген екі сигналдың 20*cos(2*pi*10*t)-10*sin(2*pi*10*t) айырымын интегралдайтын айырымдық интегратор схемасын сызыңыз.
- •48. Жиілігі 10 кГц сигналды интегралдау қажет. Егер конденсатор сыйымдылығы 0.1 мкФ болса, онда берілген сигналды корректі түрде интегралдау үшін резистор кедергісінің шектік мәні қандай болуы тиіс?
- •49. Жиілігі 10 кГц сигналды интегралдау қажет. Егер резистор кедергісі 10 кОм болса, онда берілген сигналды корректі түрде интегралдау үшін конденсатор сыйымдылығының шектік мәні қандай болуы тиіс?
17. P және n типті шалаөткізгіштер. P – n өткелі және оның вольт – амперлік сипаттамасы.
Электронды-Кемтіктік Ауысу, p–n-ауысу – монокристалл жартылай өткізгіштерге легирлеуіш қоспа араластырғанда қоспалық электрондық өткізгіштердің (n-типтес) қоспалық кемтіктік өткізгіштік (p-типтес) пайда болатын аймақ (облыс). Жартылай өткізгіштердің p-немесе n-аймақтарында көлемдік электр зарядтары түзіледі. Осы электр зарядтарының электр өрісі, p-не n-аймақтары арқылы негізгі ток тасушылардың өтуіне (яғни өткізгіштік электрондардың n-аймағынан p-аймағына қарай, ал кемтіктердің кері бағытта өтуіне) кедергі жасайды. Сондықтан сол шекарада негізгі ток тасушылар үшін жапқыш қабат дейтін қабат түзіледі. Сыртқы электр өрісінде Э.-к. а. бір жақты (вентильді) өткізгіштік қасиетке ие болады (яғни ол p-аймағынан n-аймағына қарай жүретін токты өткізеді де, ал кері бағытта жүретін токты іс жүзінде өткізбейді). Э.-к. а. әр түрлі жартылай өткізгіштік приборларда (мыс., түзеткіш диодта, транзисторларда, т.б.) кеңінен қолданылады.Төмендегі суретте көрсетілген құрылымның жартысы (оң жақтағы делік) n-типті қоспамен легирленген , ал екінші жартысы p-типті қоспамен. Р-n ауысудың шекарасында кемтіктер n-типті қабатқа, ал электрондар р-типтіге ұмтылады да, еркін тасушыларсыз аймақ пайда болғанға дейін, яғни тасушылар тепе-теңдігі орын алғанға дейін қозғалыста болады. Пайда болған еркін тасушыларсыз аймақ кедейленген қабат деп аталады да, диэлектриктер қасиеттерін сақтайды.
Кедейленген қабаттағы зарядтың өсуі – бұл ішкі эффект, яғни p-n ауысудың шеттеріндегі потенциалдар айырымының өзгеруі бақыланбайды. Бірақ егер р-қабатқа оң потенциал, ал n-қабатқа – терісін (төмендегі суретте көрсетілгендей) түсірсек, кеміктер p-n ауысу арқылы р-қабаттан n-қабатқа қарай, ал электрондар n-қабаттанр-қабатқа ұмтылады.
p-n ауысудың вольт-амперлік сипаттамасы.
18. Диодтар. Қолдану мақсаты мен дайындау тәсілдері бойынша диодтардың классификациясы
Шалаөткізгіш диод (орыс. Полупроводниковый диод) — бір электронды-кемтікті өткелі (р — n өткелі) немесе Шоттки өткелі (металл-шалаөткізгіш түйіспесі) бар екіэлектродты шалаөткізгіш аспап. Көбіне өткелдің бір жақты өткізгіштігі пайдаланылады және шалаөткізгіш диод тұрақты ток немесе төменгі жиілікті айнымалы тізбегіндегі әрекеті оның вольт-амперлік сипаттамасы бойынша анықталады. Шалаөткізгіш диодтың бір жақты өткізгіштігі мен вольтамперлік сызықты емес сипаттамасы түзеткіштік, детекторлық, түрлендіргіштік диодтарда пайдаланылады. р — n еткелінің тесіліп-ойылуына байланысты құбылыстар негізінде стабилитрондар, ағынды-үшпалы-диодтар жұмыс істейді. Варикаптың жұмысы негізінде р — n өткелінің тосқауылдық сыйымдылығы пайдаланылады. Концентрациясы жоғары шалаөткізгіштегі р- n өткелінде пайда болатын туннельдік эффект, туннельдік және қайтарылған диодтарда қолданылады. Конструкциясы жагынан Шалаөткізгіш диодтың негізгі екі тобы бар: жалпақ және нүк телік. Жасалу технологиясы бойынша диодтар балқыма, диффузиялық, планарлық және т.б. болып белінеді.
Диодтар пайдаланылуына байланысты былай классификацияланады: жоғарғы сапалы, стабилитрон, варикаптар, туннельді, фотодиодтар, шум генераторлары, магнитодиодтар, жарықшағылдырушы
Түзеткіш ,Универсалды,импульсті,
стабилитрон и стабисторлар
туннельді
арнаулы
варикап