- •Информационные технологии в менеджменте Позиционные системы счисления
- •Перевод целых чисел
- •Перевод правильных дробей
- •Перевод неправильных дробей
- •Двоичная арифметика
- •Формы представления чисел в компьютере
- •Представление чисел с плавающей запятой
- •Прямой, обратный и дополнительный коды
- •Представление информации в компьютере.
- •В упакованном формате
- •В распакованном формате
- •Принцип программного управления
- •Логические основы функционирования компьютеров
- •Основные законы алгебры логики:
- •Анализ комбинационных схем
- •Синтез комбинационных схем
- •Информационные технологии
- •Аппаратное обеспечение информационных технологий
- •Поколения компьютеров - история развития вычислительной техники
- •Нулевое поколение: Механические вычислители
- •Первое поколение. Компьютеры на электронных лампах (194х-1955)
- •Второе поколение. Компьютеры на транзисторах (1955-1965)
- •Третье поколение. Компьютеры на интегральных схемах (1965-1980)
- •Четвертое поколение. Компьютеры на больших (и сверхбольших) интегральных схемах (1980-…)
- •Пятое поколение: 1990 – настоящее время
- •Шестое и последующие поколения
- •Типы компьютеров: персональные, микроконтроллеры, серверы, мейнфреймы и др.
- •Персональные компьютеры (пк)
- •Игровые компьютеры
- •Карманные компьютеры
- •Микроконтроллеры
- •Серверы
- •Суперкомпьютеры
- •Рабочие станции
- •История персональных компьютеров
- •Архитектура компьютера
- •Принципы фон Неймана (Архитектура фон Неймана)
- •Принципы фон Неймана
- •Как работает машина фон Неймана
- •Основные принципы работы компьютера
- •Устройство и назначение процессора
- •Устройство процессора
- •Работа процессора
- •Характеристики процессора
- •Оперативная память компьютера (озу, ram)
- •Назначение озу
- •Особенности работы озу
- •Логическое устройство оперативной памяти
- •Типы оперативной памяти
- •Вид модуля оперативной памяти
- •Контроллеры и шина
- •Магнитные диски
- •Материнские платы
- •Клавиатура
- •Периферийные устройства персонального компьютера
- •Форматы dvd дисков.
- •Флэш память
- •Основные характеристики
- •Принцип действия
- •Slc и mlc приборы
- •Ресурс записи
- •Срок хранения данных
- •Скорость чтения и записи
- •Особенности применения
- •Применение
- •Преимущества
- •Недостатки
- •Общие принципы построения вычислительных сетей
- •Вычислительные сети – как распределенные системы
- •Основные программные и аппаратные компоненты сети
- •Основные проблемы построения сетей
- •Структуризация как средство построения больших сетей
- •Логическая структуризация сети
- •Отдел 2
- •Сетевые службы
- •Принципы объединения сетей на основе протоколов сетевого уровня
- •Ограничения мостов и коммутаторов
- •Модель osi
- •Уровни модели osi Физический уровень
- •Канальный уровень
- •Сетевой уровень
- •Транспортный уровень
- •Сеансовый уровень
- •Прикладной уровень
- •Особенности локальных, глобальных и городских сетей
- •Отличия локальных сетей от глобальных
- •Сети отделов, кампусов и корпораций
- •Сети отделов
- •Сети кампусов
- •Корпоративные сети
- •Понятие internetworking
- •Типы адресов стека tcp/ip
- •Классы ip-адресов
- •Связь доменных имен с ip – адресами
- •Система доменных имен dns
- •Технологии обслуживания пользователей в сетевых информационных системах История вопроса
- •Файл серверные технологии
- •Клиент – серверные технологии
- •Недостатки технологииклиент-сервер
Принцип действия
Принцип работы полупроводниковой технологии флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.
NOR и NAND приборы Различаются методом соединения ячеек в массив и алгоритмами чтения-записи.
Конструкция NOR использует классическую двумерную матрицу проводников («строки» и «столбцы») в которой на пересечении установлено по одной ячейке. При этом проводник строк подключался к стоку транзистора, а столбцов к второму затвору. Исток подключался к общей для всех подложке. В такой конструкции было легко считать состояние конкретного транзистора подав положительное напряжение на один столбец и одну строку.
Конструкция NAND — трехмерный массив. В основе та же самая матрица что и NOR, но вместо одного транзистора в каждом пересечении устанавливается столбец из последовательно включенных ячеек. В такой конструкции затворных цепей в одном пересечении получается много. Плотность компоновки можно резко увеличить (ведь к одной ячейке в столбце подходит только один проводник затвора), однако алгоритм доступа к ячейкам для чтения и записи заметно усложняется.
Технология NOR позволяет получить быстрый доступ индивидуально к каждой ячейке, однако площадь ячейки велика. Наоборот, NAND имеют малую площадь ячейки но относительно длительный доступ сразу к большой группе ячеек. Соответственно различается область применения: NOR используется как непосредственная памятьпрограмм микропроцессоров и для хранения небольших вспомогательных данных. Топовые значения объемов микросхем NOR — 64 МБайт. NAND имеет топовые значения объема на микросхему в единицы гигабайт.
Slc и mlc приборы
Различают приборы в которых элементарная ячейка хранит один бит информации и несколько. В однобитовых ячейках различают только два уровня заряда на плавающем затворе. Такие ячейки называют одноуровневыми (англ.single-level cell, SLC). В многобитовых ячейках различают больше уровней заряда, их называют многоуровневыми (англ.multi-level cell, MLC[2]). MLC-приборы дешевле и более емкие чем SLC-приборы, однако время доступа и количество перезаписей хуже.
Ресурс записи
Изменение заряда сопряжено с накоплением необратимых изменений в структуре и потому количество записей для ячейки флеш-памяти ограничено (типично до 100 тыс. раз).
Одна из причин деградации — невозможность индивидуально контролировать заряд плавающего затвора в каждой ячейке. Дело в том что запись и стирание производятся над множеством ячеек одновременно (это неотъемлемое свойство технологии флеш-памяти). Автомат записи контролирует достаточность инжекции заряда по референсной ячейке или по средней величине. Постепенно заряд отдельных ячеек разбегается и однажды выходит за допустимые границы которые может скомпенсировать инжекцией автомат записи и воспринять устройство чтения. Понятно что на ресурс влияет степень идентичности ячеек. Забавное следствие: с уменьшением топологических норм полупроводниковой технологии создавать идентичные элементы все труднее, поэтому вопрос ресурса записи становится все острее. MLC устройства имеют гораздо худшие параметры ресурса записи чем SLC.