- •1.1 Полупроводник, виды проводимости в полупроводнике, рекомбинация в полупроводнике.
- •1.2 Образование p–n перехода, его свойства, вольтамперная характеристика.
- •2 Полупроводниковые диоды.
- •2.2 Выпрямительный диод
- •2.3 Высокочастотный диод
- •2.4 Импульсный диод
- •2.5 Стабилитрон
- •2.6 Стабистор
- •2.7 Варикап
- •3. Транзисторы
- •3.1 Типы транзисторов, классификация, маркировка транзисторов
- •3.2 Биполярные транзисторы
- •3.2.2 Схемы включения биполярного транзистора
- •3.2.3 Вольтамперные характеристики биполярного транзистора.
- •3.2.5 Коэффициенты усиления биполярного транзистора.
- •Параметры биполярного транзистора.
- •3.2.8 Составной биполярный транзистор.
- •3.3 Полевой транзистор.
- •3.3.1. Понятие, элементы и типы полевых транзисторов.
- •3.3.3 Условные обозначения и схемы включения полевых транзисторов.
3. Транзисторы
3.1 Типы транзисторов, классификация, маркировка транзисторов
Транзистором называется полупроводниковый прибор, имеющий не менее трёх выводов и пригодный для усиления мощности электрических сигналов.
В настоящее время используются два типа транзисторов – биполярные и полевые.
Классификация транзисторов осуществляется по мощности и частоте пропускаемого сигнала.
По мощности транзисторы делятся на:
маломощные Р ≤ 0,3 Вт
средней мощности Р ≤ 5 Вт
мощные Р > 5 Вт
По значению предельной частоты fпр пропускаемого сигнала транзисторы подразделяются на:
низкочастотные fmax ≤ 3 М Гц
среднечастотные fmax ≤ 30 М Гц
высокочастотные fmax ≤ 120 М Гц
сверхвысокочастотные fmax > 120 М Гц
Маркировка транзистора наносится на транзистор и включает в себя информацию об основных его электрических параметрах.
В настоящее время используются два типа маркировок. Первый тип маркировки был разработан в 1964 г. и осуществлялся в соответствии с требованиями ГОСТ 10 862–64. Маркировка состоит из четырёх элементов:
1ый элемент – буква М, обозначающая, что корпус транзистора унифицированный (относится к единой, наиболее распространённой форме);
2ой элемент – буква П, обозначающая, что p–n переходы транзистора имеют плоскостную конструкцию;
3ий элемент – число от однозначного до трёхзначного (1÷800), обозначающее вид применённого в транзисторе полупроводника (кремний, германий), допустимые ток, напряжение, частота и другие электрические параметры, информация о которых находится или в техническом паспорте или в справочнике по полупроводниковым приборам;
4ый элемент – буква русского алфавита (А÷Я), обозначающих отличие некоторых электрических параметров (допустимый ток коллектора, предельная частота и др.) при одинаковых других параметрах.
Например транзистор МП 16А имеет меньший коэффициент передачи по току, чем транзистор МП 16Б, а остальные параметры у них одинаковы.
При использовании не унифицированного корпуса буква М отсутствует. Например, П 401 А. Не унифицированные корпуса больше не используются для изготовления мощных транзисторов.
В 1972 г. была введена новая маркировка транзисторов, которая выполняется в соответствии с ГОСТ 10 862 – 72 и позднее была скорректирована документом ОСТ 11 336.919 – 81. В соответствии с этими документами современная маркировка транзисторов состоит из пяти элементов:
1ый элемент – буква или цифра, обозначающие тип полупроводникового материала:
Г или 1 – германий,
К или 2 – кремний,
А или 3 – арсенид галия,
И или 4 – соединение индия.
Буква используется тогда, когда транзистор может работать при нагреве до 75°С. Число используется тогда, когда транзистор может работать при нагреве до 120°С.
2ой элемент – буква, обозначающая тип транзистора:
Т – биполярный,
П – полевой.
3ий элемент – цифра, указывающая область частот и мощностей, допустимых для транзистора, и их назначения указаны в таблице 3.
Таблица 3 – Назначения областей частот и мощностей транзистора
Частота Мощность |
Низкие частоты |
Средние частоты |
Высокие частоты |
Малая мощность |
1 |
2 |
3 |
Средняя мощность |
4 |
5 |
6 |
Большая мощность |
7 |
8 |
9 |
4ый элемент – число двух или трёхзначное, отображающее электрические параметры, такие как рабочий и предельные значения тока и напряжения, конкретное значение частоты, мощности и других параметров транзистора.
5ый элемент – буква (А÷Я), показывающее отличие от аналогичного транзистора, но с другим значением, например, коэффициента передачи по току.
Например, транзистор 2Т803А – кремневый, биполярный, может работать при повышенной температуре, мощный, среднечастотный.