- •1.1 Полупроводник, виды проводимости в полупроводнике, рекомбинация в полупроводнике.
- •1.2 Образование p–n перехода, его свойства, вольтамперная характеристика.
- •2 Полупроводниковые диоды.
- •2.2 Выпрямительный диод
- •2.3 Высокочастотный диод
- •2.4 Импульсный диод
- •2.5 Стабилитрон
- •2.6 Стабистор
- •2.7 Варикап
- •3. Транзисторы
- •3.1 Типы транзисторов, классификация, маркировка транзисторов
- •3.2 Биполярные транзисторы
- •3.2.2 Схемы включения биполярного транзистора
- •3.2.3 Вольтамперные характеристики биполярного транзистора.
- •3.2.5 Коэффициенты усиления биполярного транзистора.
- •Параметры биполярного транзистора.
- •3.2.8 Составной биполярный транзистор.
- •3.3 Полевой транзистор.
- •3.3.1. Понятие, элементы и типы полевых транзисторов.
- •3.3.3 Условные обозначения и схемы включения полевых транзисторов.
3.2.8 Составной биполярный транзистор.
В ряде схемных решений коэффициент усиления транзистора по току, даже в схеме с О. Э. оказывается недостаточным. Для повышения коэффициента усиления используется такое соединение двух транзисторов, которое рассматривается как один транзистор и называется составной транзистор (рисунок 3.22).
Рисунок 3.22 – Схема составного биполярного транзистора
Коллекторы этих транзисторов соединены, а эмиттер первого транзистора подключен к базе второго. Рассмотрим в приращениях связи между токами транзисторов и найдем, как выражается коэффициент усиления составного транзистора через коэффициенты усиления каждого из них. Как видно из рисунка 3.22, составной транзистор включен по схеме с общим эмиттером, поэтому коэффициент усиления его по току будет определяться соотношением:
Очевидно, что:
Обозначим через и коэффициенты усиления соответственно транзисторов и . Величину находим из известного соотношения:
, .
Учитывая, что
и ,
Находим :
Суммируя и , находим :
Из последнего соотношения находим коэффициент усиления по току для составного транзистора:
В инженерных расчетах часто используют только последнее слагаемое:
Проверим на сколько это допустимо. Для упрощения анализа будем считать, что . В таблице предоставлены расчеты по точной формуле () и при учете только второго слагаемого, а так же указана относительная погрешность приближенного расчета.
Таблица – Расчёты
-
50
2600
2500
3,8
100
10200
10000
2
Из приведенных расчетов видно, что применение приближенной формулы в инженерных расчетах вполне допустимо. Так же видно, что с увеличением коэффициентов усиления транзисторов погрешность приближенной формулы уменьшается.
В схеме ток эмиттера первого транзистора равен току базы второго транзистора. Из теории работы транзистора известно, что ток базы много меньше тока эмиттера. В то же время, чем больше мощность транзистора, тем больше его базовый ток. Поэтому, чтобы обеспечить близость эмиттерного тока первого транзистора и базового тока второго транзистора необходимо, чтобы первый транзистор был менее мощный, чем второй.
Помимо увеличения коэффициента усиления по току составной транзистор обладает следующими отличительными свойствами. У составного транзистора больше входное сопротивление, чем у одного транзистора. Это ведет к уменьшению входного тока, а значит к уменьшению потерь мощности на выходе источника входного сигнала. Следующее отличие составного транзистора в низком его выходном сопротивлении, поэтому он часто используется как эмиттерный повторитель, который, как известно, используется для согласования низкоомной нагрузки с высокоомным выходом источником сигнала. Недостатками составного транзистора является низкая термостабильность его свойств и большее значение обратного тока коллектора, так как он равен сумме обратных токов коллекторов каждого транзистора.
Применяется составной транзистор в различных усилительных схемах с учетом его свойств. Довольно часто он применяется в компенсационных стабилизаторах напряжения с целью повышения коэффициента стабилизации.