Вариант 3

1. Сложите два числа 07 и 04, используя непосредственный способ адресации. Результат запишите в ячейку памяти с адресом A1. Из полученного результата вычтите число 06, хранящееся по адресу A0, используя прямой способ адресации. Результат запишите в ячейку памяти A2, используя индексный способ адресации. Полученный результат помножьте на число 05. Результат запишите в ячейку памяти A3. Очистите регистр АСС. Полученный результат поделите на число 3. Результат запишите в ячейку памяти A4. Посмотрите содержимое регистров АСС, Х и ячеек памяти А1, А2, А3, А4.

2. В ячейки памяти, начинающиеся с адреса 80, запишите 10 произвольных чисел. Выполняя программу в пошаговом режиме, сравните, начиная с первого числа, последовательно каждое последующее число с предыдущим и сохраните содержимое регистра CCR после выполнения каждого шага программы в ячейках памяти, начиная с адреса 41. Посмотрите и объясните значения,полученные в этих ячейках памяти.

3. Запишите в ячейки памяти, начиная с адреса 60, 10 чисел. Найдите среди этих чисел максимальное число, запишите его в аккумулятор, а адрес числа запишите в H:X.

4. Проверьте наличие 1 в первом и шестом разрядах числа в регистре X (число задаётся преподавателем). Запишите в регистр Н число FF, если в этих разрядах установлена единица, и запишите в регистр Н число 00 в любом другом случае.

5. Запишите в регистр Х код СС, если число в регистре А больше 5 и меньше 8. В другом случае запишите в регистр Х код 00. Число в регистре А задаётся преподавателем.

6. Запишите в ячейку памяти с адресом 70 число DD. Выполните над этим числом различные варианты сдвигов влево(ASL, LSL, ROL), записывая результат каждой операции сдвига в последующие ячейки памяти (71, 72, 73). Полученные числа сложите и результат запишите в ячейку памяти с адресом 74. Посмотрите и объясните содержимое ячеек памяти 71, 72, 73, 74.

7. Сделайте проверку наличия 0 в каком-либо разряде аккумулятора (число в аккумуляторе задаётся преподавателем) и запишите в регистр Х номер этого разряда. Если установлены несколько разрядов в 0, то определите их количество (регистр Н) и номера разрядов (в ячейках памяти, начиная с адреса 60). Посмотрите содержимое регистров АСС, Х и использованных ячеек памяти.

8. Запишите в регистр А число 0Е. Сделайте 4 циклических сдвига вправо. Результат запишите в ячейку памяти с адресом 120. Произведите в аккумуляторе циклический сдвиг влево до тех пор пока не инвертируется содержимое флага С. Посмотрите содержимое аккумулятора и регистра признаков.

9. Из двух однобайтовых чисел 36 и 23 составьте последовательность чисел 32, 33, 62, 63 и запишите их в ячейки памяти, начиная с адреса 80, используя индексную адресацию. Посмотрите содержимое использованных ячеек памяти.

10. Запишите в индексный регистр число 130. Запишите в аккумулятор число АВ. Перепишите в ячейку памяти с адресом 130 число 32, находящееся в ячейке памяти с адресом 50. С помощью команды JSR перейдите к ячейке памяти с адресом 150. В подпрограмме, начинающейся с адреса 150, сложите (А) и (130) и вернитесь в основную программу. Перешлите (А) в ячейку памяти с адресом 51. Инвертируйте (А) и обратитесь к подпрограмме сложения (А) с (130). Запишите результат в ячейку памяти с адресом 52. Завершите программу и проанализируйте содержимое регистра АСС и ячеек памяти с адресами 51 и 52.