- •Московский государственный технический университет им.Н.Э.Баумана
- •Калуга,
- •2013 Г.
- •Практическая часть
- •2. Теория.
- •2.1 Модели полупроводниковых диодов
- •Практическая часть
- •Практическая часть
- •1*1014 50 135 1250 1250
- •Практическая часть
- •Лабораторная работа № 5
- •1.2 Краткие сведения по полевым транзисторам с управляющим p-n переходом
- •1.3 Параметры модели Шихмана-Ходжеса
- •1.4 Паспортные параметры птуп и способы идентификации параметров математических моделей
- •1.5 Функциональные схемы для измерения параметров статической математической модели птуп
- •1.6 Задание
- •1.7 Подготовка измерителя параметров полупроводниковых приборов л2-56 к работе
- •1.8 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •1.9 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •1.10. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6
- •2.1 Введение
- •2.2 Краткие сведения по полевым транзисторам с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •2.3 Параметры модели Шихмана-Ходжеса
- •2.4 Паспортные параметры мдп и способы идентификации параметров математических моделей
- •2.5 Функциональные схемы для измерения параметров статической математической модели мдп
- •2.6 Задание
- •2.7 Подготовка измерителя л2-56 к работе
- •2.8 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •2.9 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •2.10. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7
- •1. 1 Введение
- •1.2 Краткие теоретические сведения по тиристорам
- •1.3 Сечения различных типов структур тиристоров и их свойства
- •1.4 Функциональные схемы для исследования вах тиристоров
- •1.5. Задание
- •1.6 Подготовка измерителя л2-56 к работе
- •1.7 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •1.8 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •1.9 Контрольные вопросы
- •Общие сведения по параметрическим и компенсационным стабилизаторам тока
- •Практическая часть
Практическая часть
Оборудование.
Лабораторный стенд 87Л-01, коммутационная плата №1, сменные панели №5 и № 6. В работе использовать генератор тока ГТ, генераторы напряжения ГН1 и ГН2, измерители АВМ1, АВМ2 и АВО, съёмный элемент - транзистор со структурой p-n-p.
Задание. Ознакомьтесь с основными параметрами и характеристиками транзисторов, а также схемами включения. Экспериментально определите входные и выходные вольтамперные характеристики транзистора p-n-p типа.
Порядок выполнения работы.
Соберите схему измерения входных параметров транзисторов при включении их по схеме с общим эмиттером (рис. 4), используя сменную панель №6 и коммутирующую плату №1. При этом присоедините соединительными проводами генератор тока с гнёздами Х3 и Х4 сменной панели. Гнёзда сменной панели Х1 и Х2 с измерителем тока АВМ1, а гнёзда измерительной панели Х5 и Х6 с измерителем напряжения АВМ2. Генератор напряжения ГН2 присоедините к гнездам сменной панели Х11 и Х12.
Рис. 4
Включите питание стенда.
Изменяя входной ток от генератора тока в пределах (0.1 – 2) мА, измерьте изменение входного напряжения (Ube). Входные вольтамперные характеристики (ВАХ) снимаются при двух напряжениях коллектора относительно эмиттера (Uce) – 0 В и – 5 В.
Выключите питание стенда.
Результаты измерений занесите в таблицы №1 и№2 и постройте графики этих зависимостей.
Таблица №1 – Uce=0 В.
Ube |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ib |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица №2 – Uce=-5 В.
Ube |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ib |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Соберите схему измерения выходных параметров транзисторов при включении их по схеме с общим эмиттером, используя сменную панель №6 и коммутирующую плату №1. При этом присоедините соединительными проводами генератор тока с гнёздами Х3 и Х4 сменной панели. Гнёзда сменной панели Х1 и Х2 с измерителем тока АВМ1, а гнёзда измерительной панели Х7 и Х8 с измерителем тока АВМ2. Генератор напряжения ГН2 присоедините к гнездам сменной панели Х11 и Х12. При этом также используйте схему представленную на рис. 2
Включите питание стенда.
Проведите серию измерений тока коллектора в зависимости от напряжения коллектор – эмиттер при различных токах базы. При этом каждая серия измерений отличается по току базы друг от друга на 0.5 мА.
Результаты измерений занесите в таблицы, вида таблицы №3, с фиксацией для каждой таблицы своего тока базы.
Iс
Uсe
Постройте график семейства выходных характеристик транзистора. В семействе должно быть не менее 5-ти зависимостей (при не менее, чем 5–ти фиксированных значениях тока базы).
Проведите серию измерений изменений тока коллектора в зависимости от изменения тока базы (при изменении тока базы примерно на 0.1 мА) при изменении тока базы в диапазоне (0.1-2.5) мА, при фиксированном напряжении коллектор – эмиттер равном – 5 В.
Результаты измерений занесите в таблицу №4.
Таблица №4
Iс |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ib |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ib |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ic |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рассчитайте статический коэффициент передачи тока при различных значениях тока коллектора (при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер равного -5 В) и постройте график функциональной зависимости.
В конце работы сформулируйте и занесите в отчёт выводы по данной лабораторной работе.
Литература Мисюль П.И., Цыган Н.М. Лабораторный практикум по радиоэлектронике стр. 19-21
Контрольные вопросы
Схемы включения транзистора и их краткая характеристика.
Что такое входные характеристики транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером?
Что такое выходные характеристики транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером?
Основные параметры транзистора.
Маркировка и условные графические обозначения транзисторов.
Как рассчитать h-параметры транзистора по его характеристикам?
Приложение
Параметры транзисторов малой мощности даны в таблице.
|
|
Тип транзистора | |
№ пп |
Параметр транзистора |
КТ361 |
КТ208 |
1 |
Тип структуры |
p-n-p |
p-n-p |
2 |
Материал структуры |
Кремний |
Кремний |
3 |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ |
20-90/ (КТ361А) 50-350/ (КТ361Б) при UCB=10 В,IC=1 мА |
20-60/ (КТ208А) 20-240/ (КТ208К) при UCB=1 В,IC=30 мА |
4 |
Максимально допустимое постоянное (обратное) напряжение база-эмиттер |
4 В |
20 В/ (КТ208А, Б,В) 10 В/ (КТ208Д,Е) |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база |
20 В |
20В/(КТ208А,Б, В) 30В/ КТ208Г,Д,Е 45В/ КТ208Ж,И,К 60В/ КТ208Л,М |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RBE<10 кОм. |
15 В |
20В/(КТ208А,Б, В) 30В/ КТ208Г,Д,Е 45В/ КТ208Ж,И,К 60В/ КТ208Л,М |
5 |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
50 мА |
150 мА |
6 |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при t<350C |
150 мВт |
200 мВт |