Ответ: 3

Вопрос: При работе биполярного транзистора в нормальном активном режиме через переход эмиттер-база протекает ток…

Ответ: основных носителей, диффузионный,

Вопрос: При обратном включении p-n-перехода внешний источник питания

Ответ: присоединен «+» к n-области, «-» к p-области.

Вопрос: В гетерогенном p-n-переходе с широкой запрещенной зоной полупроводника n-типа и узкой запрещенной зоной полупроводника p-типа, в режиме инжекции носителей при одинаковой концентрации примеси в областях…

Ответ: инжекция электронов превышает инжекцию дырок,

Вопрос:

Температурная зависимость вольт-амперной характеристики (ВАХ) p-n-перехода определяется

Ответ: изменением контактной разности потенциалов. 

увеличением генерации электронно-дырочных пар,

Вопрос:

Увеличение концентрации доноров в полупроводнике в 5 раз приводит к

Ответ: уменьшению концентрации электронов в 5 раз,

Вопрос:

Ток базы IБ в активном режиме биполярного транзистора связан с током эмиттера IЭ и током коллектора IК соотношением…

Ответ: