Ответ: в

Вопрос: Пороговое напряжение UПОР в кремниевом p-n-переходе составляет

Ответ: UПОР = 0,5В.

Вопрос: Бездрейфовый биполярный транзистор n⁺-p-n работает в нормальном активном режиме. Почему количество электронов дошедших до коллекторного перехода меньше, чем количество электронов вошедших в базу?

Ответ: в базе происходит рекомбинация избыточных носителей. Вопрос: Ширина p-n-перехода при увеличении прямого напряжения… Ответ: уменьшается

Вопрос: Коллекторный ток в схеме включения БТ с ОЭ определяется соотношением…

Ответ: IК = βIБ+IКЭ0,

Вопрос: Входным током в схеме включения транзистора с ОБ является…

Ответ: эмиттерный ток,

Вопрос: В бездрейфовом биполярном транзисторе направленное движение избыточных носителей заряда от эмиттера к коллектору обусловлено…

Ответ: возникновением градиента концентрации избыточных неосновных носителей в базе,

Вопрос: Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике с донорной примесью…

Ответ: Электроны

Вопрос: Дифференциальным коэффициентом передачи тока базы в биполярном транзисторе является…

Ответ: электроны,

Вопрос: Потенциальный барьер p-n-перехода…

Ответ: Препятствует протеканию тока основных носителей,

Вопрос: Вольт-амперная характеристика идеального p-n-перехода представляет

экспоненциальную зависимость

,в которой ток I0 представляет…

Ответ: ток неосновных носителей при обратном напряжении.

Вопрос: Основные носители p- и n- областей электронно-дырочного перехода, находящегося в состоянии электрического равновесия, совершают...

Ответ: диффузионное движение через p-n-переход,

Вопрос: В полупроводнике n-типа при температуре Т=300К имеются следующие носители зарядов (подвижные и неподвижные)…

Ответ: подвижные электроны, дырки, ионы-доноры.

Вопрос: В состоянии электрического равновесия p-n-перехода основные носители p- области и n-области движутся через электронно-дырочный переход…

Ответ: под влиянием градиента концентрации основных носителей заряда в соседних областях (диффузия),

Вопрос: Причиной возникновения дрейфового тока является...

Ответ: наличие подвижных носителей заряда и электрического поля.

Вопрос: В состоянии электрического равновесия (U = 0), в результате диффузии, дырки перемещаются через p-n-переход в направлении…

Ответ: из p-области в n-область,

Вопрос: Электрический пробой p-n-перехода наблюдается…

Ответ: при приложении обратного напряжения,

Вопрос: Фрагмент структуры полупроводника показывает процесс... ΔEGε – энергия, сообщенная электрону

Ответ: генерации электрона и дырки,

Вопрос: Увеличение IЭ при увеличении обратного смещения на коллекторном переходе (эффект Эрли) связано с…

Ответ: уменьшением ширины базы,

Вопрос: В базовую область биполярного транзистора структуры p-n-p инжектируются…

Ответ: дырки

Вопрос: Какие подвижные носители заряда являются неосновными в полупроводнике с донорной примесью...

Ответ: дырки.

Вопрос: При увеличении температуры контактная разность потенциалов…

Ответ: уменьшается,

Вопрос: В дрейфовом биполярном p-n-p-транзисторе инжектированные из эмиттера в базу носители заряда достигают коллекторного перехода в результате…

Ответ: воздействия внутреннего электрического поля, возникающего в области базы и ускоряющего избыточные неосновные носители.

Вопрос: При обратном включении p-n-перехода между диффузионным и дрейфовым токами существует соотношения…

Ответ: IДИФ < IДРЕЙФ,

Вопрос: В схеме включения биполярного транзистора с общей базой коллекторный ток определяется соотношением…

Ответ: IК = αIЭ + IКБ0,

Вопрос: В примесном полупроводнике n-типа отрицательный заряд электронов, созданных примесью, электрически уравновешен…

Ответ: ионами примеси,

Вопрос: В схеме включения биполярного транзистора с ОБ в качестве входного и выходного электродов используются выводы от различных полупроводниковых

областей…

Ответ: эмиттер является входным электродом, коллектор – выходным. Вопрос: Экстракция носителей заряда наблюдается в p-n-переходе… Ответ: при обратном включении p-n-перехода,

Вопрос: Дрейфовый ток в полупроводнике возникает при...

Ответ: наличии подвижных носителей заряда и электрического поля, Вопрос: В нормальном активном рабочем режиме биполярного транзистора максимальным током является…

Ответ: ток эмиттера,

Вопрос: Обратный ток через p-n-переход – представляет собой…

Ответ: дрейфовый ток неосновных носителей,

Вопрос: При обратном напряжении на p-n-переходе биполярного транзистора протекает…

Ответ: дрейфовый ток неосновных носителей,

Вопрос: Увеличение концентрации примеси в полупроводнике приводит к…

Ответ: росту концентрации основных и уменьшению неосновных.

Вопрос: В биполярном транзисторе n-p-n в активном нормальном режиме в область базы происходит инжекция носителей заряда…

Ответ: электронов

Вопрос: Какое распределение неосновных носителей в базе БТ соответствует инверсному активному режиму…